Проведен расчет температурных зависимостей темнового и фонового токов p+-n-пере-ходов с размерами 20x20 мкм, обнаружительной способности в максимуме спектральной чувствительности d*λ max, а также пороговой мощности P и времени накопления предполагаемого МФПУ формата 640x512 элементов. Показано, что улучшение пороговых параметров при температурах кристалла Т ≤ 100 К возможно за счет снижения фонового тока, а при Т > 100 К — за счет снижения темнового тока p+-n-переходов.
Изготовлены и исследованы 64-элементные линейки фотодиодов на жидкофазных гомоэпитаксиальных структурах антимонида индия типа n (пленка) — n+(подложка) по базовой имплантационной технологии ОАО «Московский завод “САПФИР”». Показана возможность применения таких фотодиодов с одинаковым успехом при облучении как со стороны эмиттера (р+-слоя), так и со стороны подложки.
Исследовано время автономной работы tав глубокоохлаждаемых дроссельной системой Джоуля–Томсона фоторезисторов и фотодиодов из антимонида индия и фоторезисторов из гетероэпитаксиальных структур CdхHg1-хTe (х ~ 0,3). Наибольшее время автономной работы (tав ≥ 28 с) получено для фоторезисторов из CdхHg1-хTe (х ~ 0,3). Показано, что время tав фоторезисторов и фотодиодов связано с температурой перехода полупроводниковых материалов из примесной области проводимости в собственную область. Обсуждаются возможности повышения времени tав фотоприемников за счет оптимизации требований к характеристикам InSb и CdхHg1-хTe.
В работе рассмотрены пути снижения уровней шумовых тока и напряжения планарных кремниевых фотодиодов, работающих в фотовольтаическом режиме. Экспериментально получены и обсуждаются зависимости шумовых параметров таких фотодиодов от толщины слоя Al контактной системы. Показана возможность улучшения шумовых свойств фотодиодов за счёт увеличения толщины слоя выше критического значения, определяемого глубиной контактного окна.