Статья: Время автономной работы фотоприемников диапазона спектра 3—5 мкм из InSb и гетероэпитаксиальных структур CdHgTe (2016)

Читать онлайн

Исследовано время автономной работы tав глубокоохлаждаемых дроссельной системой Джоуля–Томсона фоторезисторов и фотодиодов из антимонида индия и фоторезисторов из гетероэпитаксиальных структур CdхHg1-хTe (х ~ 0,3). Наибольшее время автономной работы (tав ≥ 28 с) получено для фоторезисторов из CdхHg1-хTe (х ~ 0,3). Показано, что время tав фоторезисторов и фотодиодов связано с температурой перехода полупроводниковых материалов из примесной области проводимости в собственную область. Обсуждаются возможности повышения времени tав фотоприемников за счет оптимизации требований к характеристикам InSb и CdхHg1-хTe.

A time of an independent work of photoresistors and photodiodes from InSb and photoresistors from hetero-structures CdхHg1-хTe (х~0.3) is investigated. The greatest time of independent work (t ≥ 28 s) is received for photoresistors from CdхHg1-хTe (х~0.3). It is shown that this time is connected with a junction temperature of materials from impurity conduction in the self area. Opportunities of increase of independent work of photodetectors due to optimization of requirements to characteristics InSb and CdхHg1-хTe are discussed.

Ключевые фразы: фотоприемники, время автономной работы, антимонид индия, гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур
Автор (ы): Филатов Александр Владимирович, Сусов Евгений Васильевич, Карпов Владимир Владимирович, Жилкин Владимир Алексеевич, Любченко Сергей Павлович, Кузнецов Николай Сергеевич, Марущенко Андрей Вячеславович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.49. Прочие фоторезисторы, например сверхвысокочувствительные (со сверхпроводимостью)
621.793.162. с помощью химических реакций. Эпитаксиальные пленки
eLIBRARY ID
26248652
Для цитирования:
ФИЛАТОВ А. В., СУСОВ Е. В., КАРПОВ В. В., ЖИЛКИН В. А., ЛЮБЧЕНКО С. П., КУЗНЕЦОВ Н. С., МАРУЩЕНКО А. В. ВРЕМЯ АВТОНОМНОЙ РАБОТЫ ФОТОПРИЕМНИКОВ ДИАПАЗОНА СПЕКТРА 3—5 МКМ ИЗ INSB И ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР CDHGTE // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2016. №3
Текстовый фрагмент статьи