Статья: Ориентационные изменения в кристаллических пленках ZnO на темплейтах AlN/-Al2O3 в результате термического воздействия (2017)

Читать онлайн

В данной работе предложена методика формирования бинарных пленок AlN и ZnO неполярных и полуполярных ориентаций на сапфире термохимическим и термическим методами, а также выполнена их характеризация дифракционными и микроскопическими методами. Показано, что отжиг подложек сапфира с террасно-ступенчатой наноструктурой поверхности в восстановительной газовой среде при высокой температуре 1650 °С позволяет получать сплошные неполярные монокристаллическая пленка AlN с гексагональной структурой типа вюрцита. Приведены результаты постростового отжига (1200 °С) поликристаллической пленки ZnO толщиной около 1 мкм, нанесенной на поверхность темплейта (11 2 0) AlN/-Al2O3. Анализ полюсных фигур рентгеновской дифракции демонстрирует формирование в результате постростового отжига текстурированной полуполярной пленки 1011 ZnO. Такая методика формирования неполярных и полуполярных пленок AlN и ZnO может найти широкое применение в пьезоэлетронике и оптоэлектронике.

Consideration is given to a method of forming binary AlN and ZnO films with non-polar and semipolar orientations on sapphire by thermochemical and thermal method. Their characterization is performed by diffraction and microscopic methods. It is shown that the annealing of sapphire substrates with terrace-step nanostructure surface in a reducing atmosphere at a high temperature of 1.650 °C allows to receive a continuous non-polar AlN single crystal film with a hexagonal wurtzite type structure. Also presented are the results of after-growth annealing (1200 ° C) of a polycrystalline ZnO film thickness of about 1 micron deposited onto the surface of the template (11 2 0) AlN/-Al2O3. The analysis of the X-ray diffraction pole figures shows the formation of the semi-polar textured (1011) ZnO films as a result of after-growth annealing. This method of forming the non-polar and semi-polar AlN and ZnO films can be widely used in piezoelectronics and optoelectronics.

Ключевые фразы: сапфир, СКАНИРУЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ, слои, оксидные пленки
Автор (ы): Муслимов Арсен Эмирбегович, Буташин Андрей Викторович, Смирнов Игорь Сергеевич, Новоселова Елена Григорьевна, Исмаилов Абубакр (Абакар) Магомедович, Бабаев Вагиф Алипулатович, Вовк Елена Александровна, Каневский Владимир Михайлович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
535.016. Оптические явления, зависящие от свойств поверхностей раздела
539.231. механическим путем, например напылением
eLIBRARY ID
29256706
Для цитирования:
МУСЛИМОВ А. Э., БУТАШИН А. В., СМИРНОВ И. С., НОВОСЕЛОВА Е. Г., ИСМАИЛОВ А. (., БАБАЕВ В. А., ВОВК Е. А., КАНЕВСКИЙ В. М. ОРИЕНТАЦИОННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ZNO НА ТЕМПЛЕЙТАХ ALN/-AL2O3 В РЕЗУЛЬТАТЕ ТЕРМИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2017. №2
Текстовый фрагмент статьи