Статья: Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных приёмников ИК-излучения (2016)

Читать онлайн

В данной статье представлен анализ современных тенденций в развитии технологии барьерных фоточувствительных структур на основе CdxHg1-xTe (КРТ) для среднего и дальнего инфракрасного (ИК) диапазонов, работающих при температурах, близких к комнатным. Рассмотрены и проанализированы основные подходы к решению задачи повышения рабочей температуры фотодиодного приёмника.

Barrier CdHgTe-based nBn-type structures are analyzed in this paper. At represent, such structures are considered as alternative to creating a photodiode for middle and far infrared range. There are a number of unresolved structural and technological problems in the issue of the creation of such detectors. The presence of a barrier for holes in the valence band in the CdHgTe-based nBn structures requires a number of technological solutions, which are follows: use of large external bias values, precise barrier layer parameters control including an acceptor doping of the barrier, and use of complex multi-layer barriers including a superlattices

Ключевые фразы: КРТ, cdxhg1-xte, фотодетектор, барьерная структура, nBn
Автор (ы): Войцеховский Александр Васильевич, Горн Дмитрий Игоревич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
eLIBRARY ID
26694806
Для цитирования:
ВОЙЦЕХОВСКИЙ А. В., ГОРН Д. И. АНАЛИЗ БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР ТИПА NBN ДЛЯ ФОТОДИОДНЫХ ПРИЁМНИКОВ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2016. №4
Текстовый фрагмент статьи