Статья: Влияние непрямых переходов на оптические характеристики гетероэпитаксиальных слоев соединений A3B5 (2016)

Читать онлайн

Проведена оценка влияния непрямых Г-L и Г-Х переходов в зоне Бриллюэна на оптические и электрофизические характеристики гетероэпитаксиальных слоев соединений А3В5 на примере тройных (InGaAs) и четверных (InGaAsP) соединений. Установлено, что с учетом непрямых переходов показатель преломления полупроводниковых соединений уменьшается на величину до 15 % в узком диапазоне длин волн 0,4—0,6 мкм.

Indirect transitions of Г-L and Г-X types in Brillouin zone of zinc-blende semiconductors were researched. Ternary (InGaAs) and quaternary (InGaAsP) alloys were the aim of interest. It was shown that indirect transitions make changes up to 15 % in refractive index in the narrow 0.4—0.6 μm spectral range.

Ключевые фразы: зона бриллюэна, соединения а3в5, индий-галлий-арсенид, непрямые переходы, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, показатель преломления
Автор (ы): Никонов Антон Викторович, Яковлева Наталья Ивановна
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
eLIBRARY ID
26694804
Для цитирования:
НИКОНОВ А. В., ЯКОВЛЕВА Н. И. ВЛИЯНИЕ НЕПРЯМЫХ ПЕРЕХОДОВ НА ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СОЕДИНЕНИЙ A3B5 // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2016. №4
Текстовый фрагмент статьи