В работе представлены результаты разработки и реализации нового конструктивного варианта пикселя микроболометра, основным отличием от аналогичных известных конструкций которого является использование тонких пленок тантала в качестве поглощающего материала. Использование предлагаемых материалов и толщин слоев, составляющих пиксель, позволяет увеличить и достичь 98 % поглощения ИК-излучения при неоднородности 2,5 % в спектральном диапазоне 8—14 мкм, а также уравнять коэффициенты и достичь равномерности поглощения в спектральном диапазоне 3—5 мкм и 8—14 мкм, повысить быстродействие и чувствительность. Снижение толщины слоев приводит к увеличению температуры пикселя в 3 раза с соответственным увеличением чувствительности болометра, но при сохранении его динамических характеристик.
The performance of microbolometers could be improved by configuration of pixels with high values of IR absorption and absorption uniformity in the 3—5 and 8—14 μm spectral band and decreased thermal capacity, resulting in an increase of microbolometer sensitivity and speed of response. This was an aim of the present work. This paper presents the development of a new configuration of the microbolometer pixel with tantalum thin film used as an IR absorbing layer with high value of IR absorption (98 %) and low absorption non-uniformity (2.5 %) in the 8—14 μm spectral band, and also with high value of IR absorption (80 %) and low absorption non-uniformity (13 %) in the 3—14 μm spectral band. It has been found that reduction of the pixel layers’ thicknesses causes a threefold increase in microbolometer sensitivity with the dynamic range held constant.
Идентификаторы и классификаторы
Разработана конструкция пикселя микроболометрического детектора, имеющего равные коэффициенты поглощения в двух спектральных диапазонах (3—5 мкм и 8—14 мкм), основным отличием от аналогичных известных конструкций которого является использование нанотолщинных пленок тантала в качестве поглощающего материала, что позволяет уменьшить толщины составляющих слоев, увеличить быстродействие за счет снижения теплоемкости и увеличения коэффициента поглощения пикселя. Результаты работы могут быть использованы при разработке и изготовлении микроболометрических матриц на основе терморезистивного слоя из оксида ванадия с различными размерами пикселей.
Список литературы
1. Карзанов В. В., Марков К. А., Сдобняков В. В., Демидов Е. С. // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. Вып. 9. С. 1060.
2. Демин С. А., Жукова С. А., Турков В. Е., Трошин Б. В. / Патент RU 2574524 С1 от 10.02.2016 г.
3. Жукова С. А., Обижаев Д. Ю., Турков В. Е., Рискин Д. Д., Кудрявцев П. Н., Четверов Ю. С. // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 5. С. 41.
4. Обижаев Д. Ю., Жукова С. А., Бабаевский П. Г., Четверов Ю. С. // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 9. С. 14.
5. Жукова С. А., Обижаев Д. Ю., Жуков А. А., Бабаевский П. Г. // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 9. С. 20.
6. Жуков А. А., Жукова С. А., Четверов Ю. С., Бабаевский П. Г. // Прикладная физика. 2005. № 6. С. 154.
7. Zhukov A. A., Zhukova S. A., Tchetverov Y. S., Babaevsky P. G. // Proceedings of SPIE. 2005. Vol. 5834. P. 282.
8. Zhukov A. A., Zhukova S. A., Korneeva G. A., Chetverov Yu. S. // Proceedings of SPIE. 2004. Vol. 5398. P. 166.
9. Babaevsky P. G., Zhukov A. A., Zhukova S. A., Chetverov Yu. S., Shapoval S. Yu. // Proceedings of SPIE. 2004. Vol. 5398. P. 171.
10. Zhukova S. A., Zhukov A. A., Drachev A. I. // High Energy Chemistry. 2005. Vol. 39. No. 3. P. 232.
1. V. V. Karzanov, K. A. Markov, V. V. Sdobnjakov, and E. S. Demidov, Semiconductors 36, 9, 1060 (2002).
2. S. A. Demin, S. A. Zhukova, V. E. Turkov, and B. V. Troshin, Patent RU 2574524 С1 (10.02.2016).
3. S. A. Zhukova, D. Yu. Obizhaev, V. E. Turkov, D. D. Riskin, P. N. Kudrjavtsev, and Y. S. Chetverov, J. of Nano and Microsystem Technique, No. 5, 41 (2014).
4. D. Yu. Obizhaev, S. A. Zhukova, P. G. Babaevsky, and Yu. S. Chetverov, J. of Nano and Microsystem Technique, No. 9, 14 (2009).
5. S. A. Zhukova, D. Yu. Obizhaev, A. A. Zhukov, and P. G. Babaevsky, J. of Nano and Microsystem Technique, No. 9, 20 (2007).
6. A. A. Zhukov, S. A. Zhukova, Y. S. Tchetverov, and P. G. Babaevsky, Prikladnaya Fizika, No. 6, 154 (2005).
7. A. A. Zhukov, S. A. Zhukova, Y. S. Tchetverov, and P. G. Babaevsky, Proc. of SPIE 5834, 282 (2005).
8. A. A. Zhukov, S. A. Zhukova, G. A. Korneeva, and Yu. S. Chetverov, Proc. of SPIE. 5398, 166 (2004).
9. P. G. Babaevsky, A. A. Zhukov, S. A. Zhukova, Yu. S. Chetverov, and S. Yu. Shapoval, Proc. of SPIE 5398, 171 (2004).
10. S. A. Zhukova, A. A. Zhukov, and A. I. Drachev, High Energy Chemistry 39, 232 (2005).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Бубис Е. Л., Ложкарев В. В., Cтепанов А. Н., Смирнов А. И., Кузьмин И. В., Мальшакова О. А., Гусев С. А., Скороходов Е. В. Исследование процессов визуализации и инвертирования объектов фазоконтрастным методом с нелинейными фильтрами 5
Мелкумян Б. В. Интенсивность, вектор излучения и волновой вектор моды ускоренного резонатора 10
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Андреев В. В., Васильева Л. А. Воздействие коронного разряда на нанесённые на поверхность текстолита плёнки термостойких кремнийорганических лаков с добавками порошков Al2O3 и TiO2 16
Гаджиев М. Х., Саргсян М. А., Терешонок Д. В., Тюфтяев А. С. Исследование аргоновой плазмы дугового разряда с катодом из чистого вольфрама 22
Головин А. И. Пространственное распределение электрического потенциала в стационарном открытом разряде 27
Гришин Ю. М., Мяо Лун Об особенностях структуры плазменного потока в канале индукционного ВЧ-плазмотрона с осевой подачей газа 33
Задириев И. И., Рухадзе А. А., Кралькина Е. А., Павлов В. Б., Вавилин К. В. Влияние внешней цепи на параметры ионного потока, получаемого при помощи емкостного ВЧ-разряда в радиальном магнитном поле 39
Смирнов С. А., Титов В. А., Шикова Т. Г., Овцын А. А., Кадников Д. В. Влияние газообразных продуктов гетерогенных реакций на параметры плазмы аргона 43
Тарасенко В. Ф., Бакшт Е. Х., Бураченко А. Г., Ломаев М. И. Характеристическое излучение азота при субнаносекундном пробое в сильно неоднородном электрическом поле при положительной полярности элек-трода 49
Юшков Ю. Г., Тюньков А. В., Золотухин Д. Б., Окс Е. М. Электронно-лучевое испарение бора для ионно-плазменного синтеза покрытий в форвакуумной области давлений 54
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Якушев М. В., Сидоров Г. Ю. Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур с диэлектриком AL2O3 на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) 58
Давлетшин Р. В., Лазарев П. С., Никонов А. В., Корнеева М. Д. Исследование пространственного распределения спектральной фоточувствительности матричных фотоприёмных устройств из КРТ 63
Жукова С. А., Турков В. Е., Демин С. А., Трошин Б. В. Микроболометрический детектор, чувствительный в двух спектральных диапазонах 67
Никонов А. В., Яковлева Н. И. Влияние непрямых переходов на оптические характеристики гетероэпитаксиальных слоев соединений A3B5 73
Седнев М. В., Кочегаров А. А., Макарова Э. А. Исследование сопротивления микроконтактов гибридной сборки матричных ФЧЭ и схем считывания 78
Войцеховский А. В., Горн Д. И. Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных приёмников ИК-излучения 83
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Гусейнов Дж. И., Мургузов М. И., Исмаилов Ш. С., Гасанов О. М., Джафаров Т. А. Термоэлектрическая добротность твердых растворов (SnSe)1-x(Er2Se3)x 87
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Баранова Л. А. Цилиндрический зеркальный энергоанализатор модифицированной конструкции 94
ИНФОРМАЦИЯ
Импакт-факторы российских научных журналов за 2015 г. по данным Thomson Reuters 100
Правила для авторов журнала 104
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
E. L. Bubis, V. V. Lozhkarev, A. N. Stepanov, A. I. Smirnov, I. V. Kuzmin, O. A. Malshakova, S. A. Gusev, and E. V. Skorokhodov Processes of visualization and image inversion by the phase-contrast method with linear and nonlinear filters 5
B. V. Melkoumian Accelerated resonator mode intensity, vector of radiation and wave vector 10
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
V. V. Andreev and L. A. Vasilyeva Impact of the corona discharge to films of heat-resistant organosilicone varnishes with additives of the Al2O3 and TiO2 powders inflicted on a textolyte surface 16
M. Kh. Gadzhiev, M. A. Sargsyan, D. V. Tereshonok, and A. S. Tyuftyaev Study of an arc discharge argon plasma from a pure tungsten cathode 22
A. I. Golovin Energy distribution of runaway electron beam generated by stationary open discharge 27
Yu. M. Grishin and Miao Long About features of the plasma flow structure in the channel of an inductively-coupled RF plasmatron with axial gas feed 33
I. I. Zadiriev, A. A. Rukhadze, E. A. Kralkina, V. B. Pavlov, and K. V. Vavilin Influence of an external circuit on the ion beam created by capacitive RF discharge in radial magnetic field 39
S. A. Smirnov, V. A. Titov, T. G. Shikova, A. A. Ovtsyn, and D. V. Kadnikov Influence of gas products of heterogeneous reactions on parameters of the argon plasma 43
V. F. Tarasenko, E. Kh. Baksht, A. G. Burachenko, and M. I. Lomaev Characteristic radiation of nitrogen at a positive polarity of the electrode with a small radius of curvature at subnanosecond breakdown in a non-uniform electric field 49
Yu. G. Yushkov, A. V. Tyunkov, D. B. Zolotukhin, and E. M. Oks Electron-beam evaporation of boron to create a protective coating in the fore-vacuum pressure range 54
PHOTOELECTRONICS
A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. V. Vasil’ev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, G. Yu. Sidorov Impact of graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22—0.23) with Al2O3 insulator 58
R. V. Davletshin, P. S. Lazarev, and A. V. Nikonov, and M. D. Korneeva Spatial distribution of the FPA spectral response 63
S. A. Zhukova, V. E. Turkov, S. A. Demin, and B. V. Troshin Microbolometer detector that is sensitive in two spectral bands 67
A. V. Nikonov and N. I. Iakovleva Effects of the indirect transitions in A3B5 epitaxial layers 73
M. V. Sednev, A. A. Kochegarov, E. A. Makarova Measurements of impedances of indium microcontacts for the FPA and reading circuit 78 A. V. Voitsekhovskii and D. I. Gorn Analysis of the nBn-type structures for infrared photodiode application 83
MATERIALS SCIENCE
J. I. Huseynov, M. I. Murquzov, Sh. S. Ismailov, O. M. Hasanov, and T. A. Jafarov Thermoelectrical figure of merit of the (SnSe)1-x(Er2Se3)x solid solutions 87
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
L. A. Baranova Cylindrical mirror energy analyzer of modified construction 94
INFORMATION
Thomson Reuters Impact Factors for Russian Journals in 2015 100
Rules for authors 104
Другие статьи выпуска
Проведено компьютерное моделирование цилиндрического зеркального энергоанализатора, внешний электрод которого разрезан на несколько электрически изолированных частей, потенциалы на которых могут регулироваться независимо друг от друга. Показано, что в традиционном режиме работы цилиндрического зеркала (запуск заряженных частиц через внутренний цилиндр) модифицированная конструкция в режиме фокусировки второго порядка позволяет в пять раз уменьшить доминирующий коэффициент сферической аберрации третьего порядка, что приводит к существенному повышению разрешающей способности и светосилы анализатора. С целью повышения линейной дисперсии анализатора при запуске заряженных частиц через торцевую диафрагму, перпендикулярную оси анализатора, предложено использовать модифицированную конструкцию в двухкаскадном режиме работы с регистрацией заряженных частиц при их вторичном пересечении оси. Независимая регулировка потенциалов на разрезанном внешнем цилиндре позволяет реализовать фокусировку второго порядка в обоих каскадах и повысить линейную дисперсию анализатора в четыре раза по сравнению с однокаскадным режимом.
Комплексными методами физико-химического анализа был изучен характер взаимодействия и природа дефектности в системе SnSe-Er2Se3. Исследованы температурные и концентрационные зависимости электрических (электропроводность , коэффициент Холла R), термоэлектрических (термоэдс S) и тепловых (теплопроводность tot) характеристик твердых растворов (SnSe)1-x(Er2Se3)x (x = 0,0; 0,0005; 0,0025; 0,005; 0,0075; 0,01) в интервале температур 300—950 K. По результатам и S рассчитаны термоэлектрическая мощность S2, добротность Z и эффективность для данных твердых растворов. Установлено, что при концентрации носителей тока n 2,81×1018 см-3 при комнатной температуре S2 и Z имеют максимальные значения.
В данной статье представлен анализ современных тенденций в развитии технологии барьерных фоточувствительных структур на основе CdxHg1-xTe (КРТ) для среднего и дальнего инфракрасного (ИК) диапазонов, работающих при температурах, близких к комнатным. Рассмотрены и проанализированы основные подходы к решению задачи повышения рабочей температуры фотодиодного приёмника.
Изготовлены макеты контактной системы БИС считывания формата 320256 с шагом 30 мкм на кремниевой пластине. Выполнено напыление слоев хрома, никеля и индия с последующим ионным травлением этих слоев через маску фоторезиста для формирования микроконтактов. Приведены результаты измерения сопротивлений соответствующих индиевых микроконтактов при комнатной температуре и при температуре жидкого азота.
Проведена оценка влияния непрямых Г-L и Г-Х переходов в зоне Бриллюэна на оптические и электрофизические характеристики гетероэпитаксиальных слоев соединений А3В5 на примере тройных (InGaAs) и четверных (InGaAsP) соединений. Установлено, что с учетом непрямых переходов показатель преломления полупроводниковых соединений уменьшается на величину до 15 % в узком диапазоне длин волн 0,4—0,6 мкм.
В ходе исследования были сняты спектральные характеристики всех элементов матричного фотоприёмного устройства (МФПУ). Были обнаружены различия в принимаемых спектрах соседних элементов. Найдены закономерности в изменении правой границы спектральной чувствительности. Исследование позволит увеличить точность у разрабатываемых и изготавливаемых МФПУ.
Экспериментально исследовано влияние наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием CdTe на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) с Al2O3 в качестве диэлектрического покрытия. Показано, что для структур с варизонным слоем характерна бóльшая глубина и ширина провала емкости на низкочастотной вольт-фарадной характеристике, а также бóльшие значения дифференциального сопротивления области пространственного заряда, чем для структур без варизонного слоя. Установлено, что основные особенности гистерезиса емкостных зависимостей, характерные для варизонных структур с SiO2/Si3N4, наблюдаются и для МДП-структур с Al2O3. Причины увеличения гистерезиса ВФХ при создании варизонного слоя в структурах с SiO2/Si3N4 или с Al2O3 остаются дискуссионными, хотя можно предположить, что определенную роль в формировании гистерезиса играет кислород.
Показана возможность получения ионов бора в плазме, создаваемой электронным пучком форвакуумного плазменного источника. Генерация ионов бора осуществлялась в результате электронно-лучевого испарении бора с последующей ионизацией атомов бора этим же пучком ускоренных электронов. Приведены результаты измерения состава пучковой плазмы, полученные с применением модифицированного квадрупольного масс-спектрометра RGA–100. Масс-спектры ионов плазмы при испарении бора демонстрируют появление однозарядных ионов бора, доля которых росла с увеличением плотности мощности пучка. Элементный состав покрытия, осажденного на титановую подложку, показывает присутствие доли атомов бора порядка 30—35 % ат. Постоянство элементного состава покрытия по его толщине свидетельствует о стабильности и равномерности процесса его нанесения. Фотография поверхности титанового образца с осажденным покрытием демонстрирует наличие гладкого сплошного поликристаллического слоя с плоской поверхностью. Результаты свидетельствует об успешном применении форвакуумного электронного источника для испарения бора и осаждения однородного борсодержащего покрытия.
Проведены экспериментальные исследования диффузных разрядов в газах повышенного давления при неоднородном распределении электрического поля в промежутке. Показано, что при положительной полярности электрода с малым радиусом кривизны в азоте и воздухе генерируется характеристическое излучение (K-линия азота). Тормозное рентгеновское излучение из анода зарегистрировано в воздухе атмосферного давления при амплитуде падающей волны импульса напряжения 12 кВ.
Представлены экспериментальные данные о параметрах плазмы и о составе газообразных продуктов при обработке ткани из полиэтилентерефталата в плазме пониженного давления (50—300 Па) в аргоне. Анализ газовой фазы проводили методами эмиссионной спектроскопии и масс-спектрометрии. При различной площади обрабатываемого материала измерена напряженность электрического поля и температура газа на оси разряда, мольные доли продуктов деструкции полимера. Рассчитана функция распределения электронов по энергиям. Показано, что с увеличением площади обрабатываемого материала в реакторе изменяется приведенная напряженность электрического поля, температура газа, средняя энергия электронов и коэффициенты скоростей процессов с участием электронов. Спектры излучения плазмы показали, что диссоциация продуктов деструкции полимера приводит к изменению состава активных частиц плазмы: а именно, к образованию атомов О, Н и радикалов ОН.
Рассмотрена зависимость характеристик емкостного ВЧ-разряда в геометрии источника плазмы с замкнутым дрейфом электронов от способности внешней электрической цепи пропускать постоянный ток. Приведены энергетические распределения получаемых посредством подобного разряда ионных потоков для случаев замкнутых и разомкнутых по постоянному току электрических цепей, к которым подключён разряд.
Реализована численная модель расчета параметров высокочастотного индукционного (ВЧИ) плазмотрона с газовым охлаждением. Численное моделирование выполнено в пакете прикладных программ ANSYS CFX (14.5) для одного из конкретных конструктивных вариантов технологического ВЧИ-плазмотрона с трехвитковым индуктором и с амплитудой тока из диапазона JK = 50—170 A (с частотой 3 МГц). В качестве плазмообразующего газа рассмотрен аргон. Выявлена особенность распределения поля скорости в канале плазмотрона, а именно, образование тороидального вихревого течения с центром приблизительно в сечении первого витка индуктора. Установлено, что возникновение вихревого течения имеет место при превышении тока разряда некоторого критического значения. Основной причиной формирования вихря является действие радиальной компоненты электромагнитной силы, обуславливающей образование области повышенного давления на оси плазмотрона в срединной зоне индуктора. Определено влияние тока разряда, скорости (расхода) транспортирующего газа через осевой канал и его длины на интенсивность вихревой трубки.
Путем уточнения ранее предложенной математической модели стационарного открытого разряда проведено исследование пространственного распределения потенциала электрического поля. Показано, что в большей части катодного слоя потенциал описывается степенной зависимостью с показателем степени 5/3, что отличается от квадратичной зависимости, использованной ранее в различных работах, включая модель открытого разряда. Однако численная погрешность квадратичной зависимости не превышает 20 %.
В работе исследуется диффузионный режим привязки электрической дуги постоянного тока в среде аргона атмосферного давления к катоду из чистого вольфрама в виде конуса с углом при вершине 60°. Проведено сравнение результатов эксперимента с данными других исследований по дуговым разрядам, где в качестве катодов применялся лантанированный (W-2% La2O3) или торированный (W-2% ThO2) вольфрам. В результате экспериментальных исследований при силе тока 200 А получены следующие значения максимальной температуры на оси разряда, концентрации электронов и максимальной температуры поверхности катода: Te = 2,6 эВ, ne = 1,5×1017 см-3, 3800 К соответственно. Результаты сравнения параметров плазмы вблизи острия катода и температуры поверхности электрода в месте привязки дуги могут быть использованы при разработке оборудования и технологий с применением электродуговых разрядов.
В работе исследованы в окрестности зоны электрического пробоя текстолита в ячейке диэлектрического барьерного разряда микроструктура и элементный состав нанесённых на поверхность текстолита плёнок на основе кремнийорганических лаков и эмалей. Цель и актуальность исследования связаны с необходимостью разработки новых диэлектрических материалов, способных противостоять в разрядной ячейке диэлектрического барьерного разряда в воздухе при атмосферном давлении разрушительному воздействию электрического поля, микроразрядов, а также озона, являющегося очень активным веществом.
Обсуждается вклад каждого параметра в комплексное изменение фазы и интенсивность излучения ускоренного резонатора с неподвижным содержимым. Получено условие синхронизма для интерферирующих рукавов излучения неравномерно движущегося источника. Получено, что при интерференции двух полей с комплексными фазами интерференционный член может превышать интенсивность исходного луча в восемь раз. Представлена связь между введённым в наших работах вектором излучения и волновым вектором. Показано, что вектор излучения, определяющий собственные значения пространственной задачи, кратен волновому вектору при наличии граничных условий вдоль лишь одной координаты, когда боковые граничные условия не определены (например, в двухзеркальном резонаторе с плоским волновым фронтом).
Проведено исследование адаптивного фазоконтрастного метода с нелинейными фильтрами Цернике. Использовались линейные и фототермические фильтры. В качестве фототермических фильтров Цернике использовались частично поглощающие излучение жидкостные и полимерные среды. Экспериментально продемонстрирована эффективная визуализация и инвертирование изображения мелкомасштабных модельных объектов. Визуализирована межсекториальная граница в нелинейном кристалле.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400