Статья: Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур с диэлектриком Al2O3 на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) (2016)

Читать онлайн

Экспериментально исследовано влияние наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием CdTe на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) с Al2O3 в качестве диэлектрического покрытия. Показано, что для структур с варизонным слоем характерна бóльшая глубина и ширина провала емкости на низкочастотной вольт-фарадной характеристике, а также бóльшие значения дифференциального сопротивления области пространственного заряда, чем для структур без варизонного слоя. Установлено, что основные особенности гистерезиса емкостных зависимостей, характерные для варизонных структур с SiO2/Si3N4, наблюдаются и для МДП-структур с Al2O3. Причины увеличения гистерезиса ВФХ при создании варизонного слоя в структурах с SiO2/Si3N4 или с Al2O3 остаются дискуссионными, хотя можно предположить, что определенную роль в формировании гистерезиса играет кислород.

The effect of the presence of near-surface graded-gap layers with a high content of CdTe on admittance of MIS structures based on MBE n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22—0.23) with Al2O3 as a insulator coating was experimentally investigated. It was shown that structures with graded-gap layer is characterized by greater depth and width of the capacitance dip in the low-frequency capacitance-voltage characteristics, and high values of differential resistance of space charge region than for structures without a gradedgap layer. It was established that the main features of the hysteresis of capacitive dependencies typical for graded-gap structures with SiO2 / Si3N4, observed for MIS structure with Al2O3 insulator. The reasons for the increase of hysteresis for CV characteristics when creating graded-gap layer in structures with SiO2 / Si3N4 or Al2O3 remain debatable, although it can be assumed that a certain role of oxygen in the hysteresis formation.

Ключевые фразы: МДП-структура, HgCdTe, ОКСИД АЛЮМИНИЯ, варизонный слой, адмиттанс, вольтфарадная характеристика, гистерезис
Автор (ы): Войцеховский Александр Васильевич, Несмелов Сергей Николаевич, Дзядух Станислав Михайлович, Васильев Владимир Васильевич, Варавин Василий Семенович, Дворецкий Сергей Алексеевич, Михайлов Николай Николаевич, Якушев Максим Витальевич, Сидоров Георгий Юрьевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
eLIBRARY ID
26694801
Для цитирования:
ВОЙЦЕХОВСКИЙ А. В., НЕСМЕЛОВ С. Н., ДЗЯДУХ С. М., ВАСИЛЬЕВ В. В., ВАРАВИН В. С., ДВОРЕЦКИЙ С. А., МИХАЙЛОВ Н. Н., ЯКУШЕВ М. В., СИДОРОВ Г. Ю. ВЛИЯНИЕ ВАРИЗОННОГО СЛОЯ НА АДМИТТАНС МДП-СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИКОМ AL2O3 НА ОСНОВЕ N-HG1-XCDXTE (X = 0,22—0,23) // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2016. №4
Текстовый фрагмент статьи