Статья: Методики расчета и контроля разностной дозы примеси в лавинных InGaAs/InP структурах (2017)

Читать онлайн

В данной статье приводятся методики расчета разностной дозы примеси Qа и ее контроля при планарной технологии изготовления лавинных фотодиодов (ЛФД) на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP. Разработанные методики контроля разностной дозы в лавинных InGaAs/InP структурах использовались на различных этапах изготовления ЛФД. Показана необходимость более жесткого контроля доз концентрации производителем эпитаксиальных структур, согласования методик их измерения, коррекции диффузионных процессов под конкретные дозы примесей.

Consideration is given to methods of calculation and control of the impurity difference dose in avalanche InGaAs/InP structures at planar technology of fabrication. Three methods were been used for investigation of the impurity difference dose. It is shown a necessity of control for an impurity concentration dose by a manufacturer of epitaxial structures.

Ключевые фразы: лавинный фотодиод, эпитаксиальные гетероструктуры, ingaasinp, разностная доза
Автор (ы): Будтолаев Андрей Константинович, Кравченко Николай Владимирович, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
eLIBRARY ID
29933702
Для цитирования:
БУДТОЛАЕВ А. К., КРАВЧЕНКО Н. В., ХАКУАШЕВ П. Е., ЧИНАРЕВА И. В. МЕТОДИКИ РАСЧЕТА И КОНТРОЛЯ РАЗНОСТНОЙ ДОЗЫ ПРИМЕСИ В ЛАВИННЫХ INGAAS/INP СТРУКТУРАХ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2017. №4
Текстовый фрагмент статьи