Архив статей

Методики расчета и контроля разностной дозы примеси в лавинных InGaAs/InP структурах (2017)
Выпуск: №4 (2017)
Авторы: Будтолаев Андрей Константинович, Кравченко Николай Владимирович, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна

В данной статье приводятся методики расчета разностной дозы примеси Qа и ее контроля при планарной технологии изготовления лавинных фотодиодов (ЛФД) на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP. Разработанные методики контроля разностной дозы в лавинных InGaAs/InP структурах использовались на различных этапах изготовления ЛФД. Показана необходимость более жесткого контроля доз концентрации производителем эпитаксиальных структур, согласования методик их измерения, коррекции диффузионных процессов под конкретные дозы примесей.

Сохранить в закладках