Публикации автора

В данной работе представлены результаты применения магнетронной распылительной системы. Методом магнетронного распыления составной графитово-медной мишени получены поверхностные медно-углеродные структуры и выявлены условия их образования. Приведены характерные изображения структур на подложке, полученные с помощью атомно-силовой микроскопии. Найдены режимы распыления графитово-медной мишени. Показано, что на эффективность процесса распыления, кроме конструкции магнетрона и мишени, во многом влияют условия эксперимента. В работе экспериментально подобрана плотность потока распылённых атомов на подложку, температура мишени и подложки, давление аргона. Найдено, что подобные структуры не образуются без промежуточного металлического слоя. В нашем случае это была пленка меди. В общем виде учесть влияние всех этих параметров на полученный результат для расчета процесса распыления составной мишени не представляется возможным. Поэтому трудно оценить возможность получения подобных структур с другими металлами.

Процесс нанесения металлических или диэлектрических плёнок и контроль их толщины и качества часто определяет успех или неуспех эксперимента. Измерение толщины обеспечивают соответствующие датчики, устанавливаемые в непосредственной близости от подложки. Кроме того, известно, что функциональные возможности любой напылительной системы повышаются при подаче отрицательного напряжения смещения на подложку. Это позволяет получать пленки более высокой чистоты, управлять параметрами кристаллической структуры и другими свойствами плёнок. При возникновении на подложке отрицательного потенциала смещения в момент подачи на неё высокочастотного (ВЧ) напряжения происходит направленное движение в сторону растущей плёнки положительно заряженных ионов рабочего газа, что приводит к травлению поверхности. В данной работе для создания устройства контроля толщины были объединены два физических процесса: травление подложки при подаче на неё отрицательного смещения и оптический метод контроля растущей плёнки. Лежащий в основе системы контроля роста пленок оптический метод делает предложенное устройство в значительной степени универсальным.

Современные технологические операции в микроэлектронике, интегральной фотонике, а также в современных биомедицинских исследованиях требуют прецизионных измерений геометрических и диэлектрических параметров наноразмерных слоёв. В некоторых случаях из-за специфики формирования нанометровых слоёв, заключающейся в островковом (кластерном) механизме роста на начальных стадиях, использование традиционных оптических методов не позволяет получить объективную информацию. Настоящая статья посвящена исследованию метода контроля параметров формирования кластерных нанометровых плёнок с помощью плазмонной спектроскопии.

Согласно соотношению неопределенности микроструктуры не могут находиться в состоянии покоя даже при нулевой температуре. Создание ленгмюровских пленок приводит к коллективным движениям отдельных дифильных молекул, то есть к созданию волновых движений возникающих в ленгмюровских пленках. Согласно квантовой теории волновые движения поля могут быть описаны как рождение квазичастиц. В статье показано, что наличие волновых процессов приводит к перестройке структур, собранных из набора монослоев ленгмюровских пленок. Эти процессы можно описывать, исследуя устойчивость таких многослойных структур. В данной статье рассматривается процесс спонтанного нарушения симметрии и возможность спонтанных структурных переходов в ленгмюровских пленках. На простой модели определяются условия, при которых происходят такие переходы и устанавливается, существуют ли устойчивые состояния, такие как X- или Z-структуры, при структурных переходах из Y-типа пленки.