Читать онлайн

В настоящей статье показана возможность увеличить время хранения инверсного состояния OS с 140 до 500 мин при 145 ℃ в сегнетоэлектрических конденсаторах на основе Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) путем сдвига вправо конечной точки интегрирования тока. Учет переходных процессов между управляющими импульсами после отжига в течение 500 мин при температуре 145 ℃ позволяет повысить сохраняемость состояния OS с 21 % до 35 % от начального значения. Противоположная тенденция выявлена для состояний SS (снижение с 56 % до 35 %) и NSS (снижение с 63 % до 45 %). Также показано, что наличие сдвига напряжения, вызванного эффектом импринта, в некоторых случаях может и не приводить деградации поляризации благодаря току, который протекает на полке максимального напряжения управляющего импульса.

Ключевые фразы: tinhzotin, сохраняемость, импринт, сегнетоэлектрик
Автор (ы): Кузьмичёв Дмитрий Сергеевич (Kuzmichev D. S.), КОНСТАНТИНОВ В. С. (KONSTANTINOV V. S.), СИЗЫХ Н. А. (SIZYH N. A.), ХАКИМОВ Р. Р. (HAKIMOV R. R.)
Журнал: НАНОСИСТЕМЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, МАТЕМАТИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
53. Физика
Для цитирования:
КУЗЬМИЧЁВ Д. С., КОНСТАНТИНОВ В. С., СИЗЫХ Н. А., ХАКИМОВ Р. Р. КАК ВНОВЬ ЗАСТАВИТЬ ХРАНИТЬ ИНВЕРСНОЕ СОСТОЯНИЕ // НАНОСИСТЕМЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, МАТЕМАТИКА. 2026. Т. 17 № 2
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.