Статья: Влияние у-облучения на электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов p-TlInSe2 /n-TlSe<Ge> (2011)

Читать онлайн

Рассматривается влияние γ‐квантов на механизм переноса тока в гетероструктуре p-TlInSe2/n-TlSe<Ge>. Выявлено, что взаимодействие радиационных дефектов с исходными дефектами кристаллов приводит к перестройке и перераспределению дефектов на границе раздела гетероперехода. Это сводится к незначительному изменению генерационнорекомбинационных процессов в механизмах токопереноса. Аномальные дозовые зависимости характеристик гетеропереходов объяснены изменением степени компенсации уровней на границе раздела и в базе структуры.

The effect of γ-irradiation on the current transport mechanism in the p-TlInSe2/n-TlSe<Ge> heterostructures is studied. It has been revealed that the interaction of radiation defects with the initial defects of crystals brings in the reconstruction and redistribution of defects at the edge of heterojunction separation. This results leds to an insignificant change of hetero-recombination processes in the current transport mechanism. Abnormal dose dependence of the heterojunction characteristics is explained by a level compensation rate at the edge of separation and in the structure base.

Ключевые фразы: гетеропереход, генерационный ток, радиационный дефект, фототок, СТОЙКОСТЬ
Автор (ы): Абасова Аделя Зияаддин кызы (Abasova A. Z.), Мадатов Рагим Селим оглы, Наджафов Арзу Ислам оглы, Газанфаров Муслим Рагим оглы
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621. Общее машиностроение. Ядерная техника. Электротехника. Технология машиностроения в целом
Для цитирования:
АБАСОВА А. З., МАДАТОВ Р. С., НАДЖАФОВ А. И., ГАЗАНФАРОВ М. Р. ВЛИЯНИЕ У-ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ P-TLINSE2 /N-TLSE<GE> // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2011. №5
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.