Представлены численные расчеты распределения потенциала в поверхностном варизонном слое HgCdTe р‐типа. Уравнение Пуассона было решено как нелинейное интегрально‐дифференциальное уравнение с учетом непараболичности зоны проводимости. Построены энергетические зонные диаграммы при изменении легирования, ширины вари-зонной области и поверхностного потенциала. Рассчитаны характеристики МДП-структуры и определены условия возникновения инверсионного слоя в планарных n на p фотодиодах на основе варизонного р-HgCdTe.
Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.
Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.
Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!
Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.
Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.
Спасибо, понятно.