Статья: Расчет вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с приповерхностными варизонными слоями с повышенным составом (2011)

Читать онлайн

Рассчитаны вольт‐фарадные характеристики МДП‐структур на основе эпитаксиального n-Hg0,77Cd0,23Te с учетом вырождения и непараболичности при разных аппроксимациях значений интегралов Ферми‐Дирака. Оценена емкость, связанная с туннелированием через ловушки, для МДП‐структур на основе n-Hg0,775Cd0,225Te. В результате численного решения уравнения Пуассона построены вольт‐фарадные характеристики МДП‐структур на основе эпитаксиального HgCdTe с приповерхностными варизонными слоями, учет наличия которых необходим для правильной интерпретации экспериментальных данных.

Ключевые фразы: МДП-структура, теллурид кадмия ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, вольт-фарадная характеристика
Автор (ы): Войцеховский Александр Васильевич (Voytsehovskiy A. V.), Несмелов Сергей Николаевич, Дзядух Станислав Михайлович, Бурлаков Игорь Дмитриевич, Селяков Андрей Юрьевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
ВОЙЦЕХОВСКИЙ А. В., НЕСМЕЛОВ С. Н., ДЗЯДУХ С. М., БУРЛАКОВ И. Д., СЕЛЯКОВ А. Ю. РАСЧЕТ ВОЛЬТ-ФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЭС HGCDTE МЛЭ С ПРИПОВЕРХНОСТНЫМИ ВАРИЗОННЫМИ СЛОЯМИ С ПОВЫШЕННЫМ СОСТАВОМ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2011. №5
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.