Влияние у-облучения на электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов p-TlInSe2 /n-TlSe<Ge> (2011)
Выпуск:
№5 (2011)
Рассматривается влияние γ‐квантов на механизм переноса тока в гетероструктуре p-TlInSe2/n-TlSe<Ge>. Выявлено, что взаимодействие радиационных дефектов с исходными дефектами кристаллов приводит к перестройке и перераспределению дефектов на границе раздела гетероперехода. Это сводится к незначительному изменению генерационнорекомбинационных процессов в механизмах токопереноса. Аномальные дозовые зависимости характеристик гетеропереходов объяснены изменением степени компенсации уровней на границе раздела и в базе структуры.