Статья: Проектирование интегральной схемы считывания формата 6x576 с ВЗН в холодной зоне (2011)

Читать онлайн

Спроектирована микросхема считывания для линейки ИК‐фотодиодов на основе КРТ формата 6x576 c ВЗН в холодной зоне. Сдвиг между элементами в направлении, перпендикулярном сканированию, — 14 мкм. Топология кристалла разработана для КМОП‐технологии с проектными нормами 0,8 мкм, двумя уровнями поликремния и двумя уровнями металла.

The 6x576 TDI ROIC for MCT infrared photo detectors has been developed. Photo detectors have the 14 μm shift in a crossscan direction. The chip layout has been designed for 0.8 micron double poly, double metal CMOS-process.

Ключевые фразы: интегральная схема, ПРОЕКТИРОВАНИЕ, топология, КМОП-ТЕХНОЛОГИЯ
Автор (ы): Зайцев Алексей Андреевич (Zaytsev A. A.), Хромов Сергей Сергеевич, Болтарь Константин Олегович, Кузнецов Петр Александрович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.382. Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника
Для цитирования:
ЗАЙЦЕВ А. А., ХРОМОВ С. С., БОЛТАРЬ К., КУЗНЕЦОВ П. А. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СЧИТЫВАНИЯ ФОРМАТА 6X576 С ВЗН В ХОЛОДНОЙ ЗОНЕ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2011. №5
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.