Статья: Определение термодинамических свойств замагниченной плазмы на основе модели Томаса–Ферми (2014)

Создана экспериментальная установка для микро- и наноструктурирования поверхности на основе импульсно-периодических ArF-лазера (λ = 193 нм) u Nd: YAG лазера (λ = 532 нм u λ = 355 нм). Описаны схема работы u основные параметры установки. Экспериментально продемонстрирована возможность получения структур с микронными u субмикронными размерами на поверхности диоксида циркония u титана npu облучении наносекундными лазерными импульсами. Представлены микрофотографии поверхностных структур на образцах из диоксида циркония u титана.

Исследовано воздействие на поверхность p-n-переходов на основе гетероструктур InGaAs/InP, изготовленных по мезатехнологии, плазмы хладона-14. В ходе экспериментов варьировались составы газовой смеси, температура и время плазмохимической обработки. Оценивался уровень темнового тока p-n-перехода, а также состояние приповерхностного слоя p-n-перехода (структурное совершенство, оптические параметры, состав) до и после обработки.

Работа посвящена актуальной проблеме минимизации удельной емкости pin-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP, выращенных МОС-гидридной эпитаксией. Проанализированы профили концентрации атомов серы, полученные методом масс-спектроскопии вторичных электронов (ВИМС), и рассчитаны по C-V-характеристикам профили концентрации неосновных носителей заряда в структуре pin-фотодиодов. Исследованы и выявлены причины появления повышенной емкости InGaAs/InP pin-фотодиодов, связанные с аномальной диффузией серы из подложки InP и разработаны меры по их устранению. В результате значительно повышен процент годных по емкости фотодиодов.

Приведены результаты измерения фотоэлектрической связи матричного фотоприемного устройства ультрафиолетового диапазона спектра, созданного в ОАО «НПО «Орион». Фотоприемное устройство изготовлено на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN на подложке GaN с помощью разделения верхних эпитаксиальных слоев на мезаобласти. Приведена схема установки. Измерения показали нетривиальный результат – отрицательную величину коэффициента фотоэлектрической связи, то есть падение уровня темнового сигнала на некоторых фоточувствительных элементах, окружающих засвечиваемый элемент.

Исследован эффект «паразитного излучения» в матричных фотоприемных устройствах (МФПУ) на основе антимонида индия. Установлено, что паразитное излучение попадает на матричный фоточувствительный элемент через щели, предназначенные для вывода платиновых контактов с растра на керамическое кольцо вакуумного корпуса МФПУ. Подавление эффекта достигнуто путем использования конструкции типа «экран» и установкой холодного оптического фильтра в плоскости входного окна диафрагмы. В конструкции МФПУ с цилиндрической диафрагмой уровень и разброс по площади фоточувствительного элемента паразитного излучения достигают минимальных значений.

Проведены расчеты спектра поглощения полупроводникового соединения CdHgTe по теоретической модели, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов, принимая во внимание модель Кейна и выведенные из нее выражения энергии запрещенной зоны, квазиимпульса, края валентной зоны легких и тяжелых дырок. Исследованы спектры поглощения экспериментальных структур КРТ с эпитаксиальным слоем заданной толщины. Проведено сравнение измеренных и рассчитанных спектров поглощения структур КРТ.

Методами атомно-силовой микроскопии, растровой электронной микроскопии и рефлектометрии проведены исследования морфологии поверхности полупроводниковых подложек из высоколегированного антимонида индия (InSb), предназначенных для эпитаксиального выращивания InSb. Изготовлены подложки на основе InSb с атомарно-гладкой поверхностью и малым количеством дефектов, пригодные для выращивания эпитаксиальных слоев InSb

Установлено, что при положительном потенциале на осевом электроде коаксиального резонатора CERA-RX(C) в режимах генерации рентгеновского излучения в спектре СВЧ-сигнала из резонатора регистрируются сателлиты основной частоты 2,45 ГГц, частота которых линейно зависит от величины потенциала. Hа основе полученных результатов делается вывод о формировании в азимутально симметричной ЭЦР-области источника сгустков электронов, скорость азимутального дрейфа которых определяется потенциалом на осевом электроде

Показана высокая эффективность бактерицидного действия холодной аргоновой плазмы генерируемой слаботочными высоковольтными разрядами при атмосферном давлении. Показано, что увеличение времени обработки плазменными струями слаботочной искры позволяет проводить эффективную инактивацию микроорганизмов на значительно большей площади, чем площадь сопла генератора плазмы

Исследована энергетическая цена синтеза озона в ячейке поверхностного диэлектрического барьерного разряда (ДБР). Разряд возникает на поверхности пластины из стеклотекстолита размерами 100х100 мм вдоль границ расположенных с определенным шагом параллельно друг другу прямоугольных полос-электродов. Проведены исследования с пластинами с различным шагом следования прямоугольных полос-электродов. Результаты исследования показывают важность уч¸та геометрии ячейки поверхностного ДБР для получения оптимальной с точки зрения минимизации энергозатрат пространственно-временной конфигурации электрического поля

В работе представлены результаты исследования по увеличению однородности микроразрядов в ячейке диэлектрического барьерного разряда (ДБР). Результаты исследования важны для оптимизации плазмохимических процессов. В частности, в созданном макете плазмохимического генератора озона на ДБР с магнитодиэлектрическими барьерами производительность по озону на 30-40% выше, чем в случае использования обычных диэлектриков в качестве барьера

Приведены результаты экспериментальных исследований излучательных и спектральных характеристик искрового канала в аргоне атмосферного давления как в магнитном поле, так и без него. Показано, что наложение магнитного поля существенно меняет распределение интенсивности в спектре излучения разряда

Представлены результаты экспериментального исследования параметров плазмы, формируемой в узком коаксиальном резонаторе инжектора CERA-RI-2. Определены зависимости газовой и энергети- ческой эффективности формирования ионного потока от массового расхода рабочего газа – Ar.

Работа посвящена анализу воздействия ударных волн на контактную границу различной формы. Для поиска решения используется радиационно-магнитные уравнения Рейнольдса, квазимонотонный численный метод повышенной разрешающей способности, специальные методы построения квазиортогональной и адаптивной криволинейной расчетной сетки. Описан процесс роста и циркуляции простых (уединенные) двумерных возмущений, характер воздействия на них внешнего магнитного поля. Выполнены расчеты всех основных параметров плазменного образования.

Представлена теория лазерного акселерометра нового типа. Рассмотрено изменение моды излучения при ускоренном движении в пространстве его резонатора. Получены выражения для частоты, фазы и для разрешённых направлений излучения в жёстком прямоугольном резонаторе, движущемся с постоянным ускорением, в зависимости от ускорения движения резонатора и начального распределения фазы

Рассчитан состав паровой фазы и парциальные давления компонентов пара над расплавом Bi-Pb-Sn- Cd методом термодинамического моделирования, применяя программный комплекс TERRA u модель идеального раствора продуктов взаимодействия npu температуре от 300 до 3000 К u давлениях 0,1; 1; 10 атмосфер. Определены температурные зависимости парциальных давлений u констант реакций термической диссоциации протекающих в паровой фазе

Рассчитаны концентрационные и температурные зависимости содержания компонентов расплава методом термического моделирования, применяя программный комплекс TERRA u модель идеального раствора продуктов взаимодействия. Проведены исследования расплава Bi-Pb-Sn-Cd прu температурах в диапазоне 300-3000 К u давлениях 0,1, 1 u 10 атм. Определены температурные зависимости констант реакции термической диссоциации двойных u тройных интреметаллидов, находящихся в металлическом расплаве

Исследуется протекание тока через конденсатор, заполненный диэлектриком, релаксация которого после скачка напряжения выражается степенным законом Кюри – фон Швайдлера. Показано, что при случайном изменении напряжения, подаваемого на конденсатор, флуктуации тока через него относятся к классу немарковских процессов. Найдены статистические характеристики указанных флуктуаций