Статья: Воздействие низкотемпературной аргоновой плазмы слаботочных высоковольтных разрядов на микроорганизмы (2014)

Создана экспериментальная установка для микро- и наноструктурирования поверхности на основе импульсно-периодических ArF-лазера (λ = 193 нм) u Nd: YAG лазера (λ = 532 нм u λ = 355 нм). Описаны схема работы u основные параметры установки. Экспериментально продемонстрирована возможность получения структур с микронными u субмикронными размерами на поверхности диоксида циркония u титана npu облучении наносекундными лазерными импульсами. Представлены микрофотографии поверхностных структур на образцах из диоксида циркония u титана.

Исследовано воздействие на поверхность p-n-переходов на основе гетероструктур InGaAs/InP, изготовленных по мезатехнологии, плазмы хладона-14. В ходе экспериментов варьировались составы газовой смеси, температура и время плазмохимической обработки. Оценивался уровень темнового тока p-n-перехода, а также состояние приповерхностного слоя p-n-перехода (структурное совершенство, оптические параметры, состав) до и после обработки.

Работа посвящена актуальной проблеме минимизации удельной емкости pin-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP, выращенных МОС-гидридной эпитаксией. Проанализированы профили концентрации атомов серы, полученные методом масс-спектроскопии вторичных электронов (ВИМС), и рассчитаны по C-V-характеристикам профили концентрации неосновных носителей заряда в структуре pin-фотодиодов. Исследованы и выявлены причины появления повышенной емкости InGaAs/InP pin-фотодиодов, связанные с аномальной диффузией серы из подложки InP и разработаны меры по их устранению. В результате значительно повышен процент годных по емкости фотодиодов.

Приведены результаты измерения фотоэлектрической связи матричного фотоприемного устройства ультрафиолетового диапазона спектра, созданного в ОАО «НПО «Орион». Фотоприемное устройство изготовлено на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN на подложке GaN с помощью разделения верхних эпитаксиальных слоев на мезаобласти. Приведена схема установки. Измерения показали нетривиальный результат – отрицательную величину коэффициента фотоэлектрической связи, то есть падение уровня темнового сигнала на некоторых фоточувствительных элементах, окружающих засвечиваемый элемент.

Исследован эффект «паразитного излучения» в матричных фотоприемных устройствах (МФПУ) на основе антимонида индия. Установлено, что паразитное излучение попадает на матричный фоточувствительный элемент через щели, предназначенные для вывода платиновых контактов с растра на керамическое кольцо вакуумного корпуса МФПУ. Подавление эффекта достигнуто путем использования конструкции типа «экран» и установкой холодного оптического фильтра в плоскости входного окна диафрагмы. В конструкции МФПУ с цилиндрической диафрагмой уровень и разброс по площади фоточувствительного элемента паразитного излучения достигают минимальных значений.

Проведены расчеты спектра поглощения полупроводникового соединения CdHgTe по теоретической модели, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов, принимая во внимание модель Кейна и выведенные из нее выражения энергии запрещенной зоны, квазиимпульса, края валентной зоны легких и тяжелых дырок. Исследованы спектры поглощения экспериментальных структур КРТ с эпитаксиальным слоем заданной толщины. Проведено сравнение измеренных и рассчитанных спектров поглощения структур КРТ.

Методами атомно-силовой микроскопии, растровой электронной микроскопии и рефлектометрии проведены исследования морфологии поверхности полупроводниковых подложек из высоколегированного антимонида индия (InSb), предназначенных для эпитаксиального выращивания InSb. Изготовлены подложки на основе InSb с атомарно-гладкой поверхностью и малым количеством дефектов, пригодные для выращивания эпитаксиальных слоев InSb

Установлено, что при положительном потенциале на осевом электроде коаксиального резонатора CERA-RX(C) в режимах генерации рентгеновского излучения в спектре СВЧ-сигнала из резонатора регистрируются сателлиты основной частоты 2,45 ГГц, частота которых линейно зависит от величины потенциала. Hа основе полученных результатов делается вывод о формировании в азимутально симметричной ЭЦР-области источника сгустков электронов, скорость азимутального дрейфа которых определяется потенциалом на осевом электроде

Исследована энергетическая цена синтеза озона в ячейке поверхностного диэлектрического барьерного разряда (ДБР). Разряд возникает на поверхности пластины из стеклотекстолита размерами 100х100 мм вдоль границ расположенных с определенным шагом параллельно друг другу прямоугольных полос-электродов. Проведены исследования с пластинами с различным шагом следования прямоугольных полос-электродов. Результаты исследования показывают важность уч¸та геометрии ячейки поверхностного ДБР для получения оптимальной с точки зрения минимизации энергозатрат пространственно-временной конфигурации электрического поля

В работе представлены результаты исследования по увеличению однородности микроразрядов в ячейке диэлектрического барьерного разряда (ДБР). Результаты исследования важны для оптимизации плазмохимических процессов. В частности, в созданном макете плазмохимического генератора озона на ДБР с магнитодиэлектрическими барьерами производительность по озону на 30-40% выше, чем в случае использования обычных диэлектриков в качестве барьера

Приведены результаты экспериментальных исследований излучательных и спектральных характеристик искрового канала в аргоне атмосферного давления как в магнитном поле, так и без него. Показано, что наложение магнитного поля существенно меняет распределение интенсивности в спектре излучения разряда

Представлены результаты экспериментального исследования параметров плазмы, формируемой в узком коаксиальном резонаторе инжектора CERA-RI-2. Определены зависимости газовой и энергети- ческой эффективности формирования ионного потока от массового расхода рабочего газа – Ar.

Работа посвящена анализу воздействия ударных волн на контактную границу различной формы. Для поиска решения используется радиационно-магнитные уравнения Рейнольдса, квазимонотонный численный метод повышенной разрешающей способности, специальные методы построения квазиортогональной и адаптивной криволинейной расчетной сетки. Описан процесс роста и циркуляции простых (уединенные) двумерных возмущений, характер воздействия на них внешнего магнитного поля. Выполнены расчеты всех основных параметров плазменного образования.

Работа посвящена разработке методов расчета термодинамических и транспортных свойств замагниченной термоядерной плазмы на основе модели Томаса–Ферми. Выполненные в работе оценки и расчеты показали, что магнитное поле со значениями индукции B < 107 Гс оказывает влияние только на транспортные свойства плазмы, но не изменяет вид внутренних оболочек атомов и ионов. Получены распределения потенциала Томаса–Ферми по радиусу атомной ячейки для плазмы золота, а так же изотермы давления в зависимости от плотности

Представлена теория лазерного акселерометра нового типа. Рассмотрено изменение моды излучения при ускоренном движении в пространстве его резонатора. Получены выражения для частоты, фазы и для разрешённых направлений излучения в жёстком прямоугольном резонаторе, движущемся с постоянным ускорением, в зависимости от ускорения движения резонатора и начального распределения фазы

Рассчитан состав паровой фазы и парциальные давления компонентов пара над расплавом Bi-Pb-Sn- Cd методом термодинамического моделирования, применяя программный комплекс TERRA u модель идеального раствора продуктов взаимодействия npu температуре от 300 до 3000 К u давлениях 0,1; 1; 10 атмосфер. Определены температурные зависимости парциальных давлений u констант реакций термической диссоциации протекающих в паровой фазе

Рассчитаны концентрационные и температурные зависимости содержания компонентов расплава методом термического моделирования, применяя программный комплекс TERRA u модель идеального раствора продуктов взаимодействия. Проведены исследования расплава Bi-Pb-Sn-Cd прu температурах в диапазоне 300-3000 К u давлениях 0,1, 1 u 10 атм. Определены температурные зависимости констант реакции термической диссоциации двойных u тройных интреметаллидов, находящихся в металлическом расплаве

Исследуется протекание тока через конденсатор, заполненный диэлектриком, релаксация которого после скачка напряжения выражается степенным законом Кюри – фон Швайдлера. Показано, что при случайном изменении напряжения, подаваемого на конденсатор, флуктуации тока через него относятся к классу немарковских процессов. Найдены статистические характеристики указанных флуктуаций