Статья: ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ПЛАЗМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ИМПУЛЬСНЫХ НАНОСЕКУНДНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РАЗРЯДАХ (2014)

Предложен вариант акустооптической брэгговской дифракции для модуляции шестицветного излучения, генерируемого Ar-лазером в сине-зеленой области спектра. Приведена методика расчета параметров дифракции многоцветного излучения на примере дифракции в монокристалле парателлурита. Выполнены эксперименты с использованием парателлурита в качестве акустооптической ячейки. Эксперименты подтвердили эффективное преобразование электрических сигналов в оптические с минимальными искажениями.

В работе представлена универсальная автоматизированная установка для проведения комплексного исследования параметров матричных фотоприемных устройств (ФПУ) как «смотрящего» типа, так и работающих в режиме временной задержки и накопления (ВЗН). В качестве тестового сигнала используется излучение абсолютно черного тела (АЧТ), равномерно засвечивающего матрицу фоточувствительных элементов (ФЧЭ). Приведены результаты анализа основных конструктивных и программных особенностей, позволяющих достичь необходимой точности измерения входных сигналов, а также расширить спектр решаемых задач.

В данной работе исследовано влияние параметров быстрого термического отжига (БТО) в вакууме или инертной среде на вольт-амперные характеристики, сформированных травлением ионами Ar+, фотодиодов на основе ГЭС GaN/AlGaN. Целью работы являлся подбор оптимальных параметров отжига фотодиодных структур GaN/AlGaN с соответствующими параметрами вольт-амперных характеристик: дифференциальные сопротивления диодов и контактов при нулевом смещении R0, Rк.

В данной работе предложен подход к решению проблемы выбора оптимальных параметров многорядного фотоприемного устройства (ФПУ) с режимом временной задержки и накопления (ВЗН), предназначенного для регистрации точечных источников оптического излучения в ИК-диапазоне. Суть данного подхода заключается в построении модели рассматриваемого ФПУ с учетом необходимого набора данных, таких как: распределение интенсивности фонового излучения по матрице фоточувствительных элементов (ФЧЭ), параметры источника сигнала, предполагаемая структура ФПУ и т. д. На основании имеющейся информации производится расчет таких параметров ФПУ, как: оптимальный размер ФЧЭ в направлении сканирования и в направлении, перпендикулярном сканированию, допустимое рассогласование частоты опроса и скорости сканирования, необходимая стабильность скорости сканирования и т. д. После получения оптимальных параметров системы, производится расчет модуляционных характеристик матрицы ФЧЭ, осуществляется оценка разрешающей способности и т. д. В работе рассматриваются алгоритмы пеленгации точечных источников излучения многорядными ФПУ с ВЗН.

Проведено исследование температурной зависимости ширины запрещенной зоны AlGaN. Разработаны и построены модели показателя преломления и коэффициента поглощения AlGaN. Разработана методика моделирования спектров УФ-пропускания по профилям состава многослойных гетероэпитаксиальных структур AlGaN.

Проведен анализ матричных фотоприемных устройств формата 320х256 элементов на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN (ГЭС InGaAs) с p─i─n-фотодиодами, работающих в режиме лавинного усиления. Гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС) с фоточувствительным слоем InGaAs i-типа проводимости выращивались методами мосгидридной эпитаксии (МОСГЭ) на подложках InP. Качество p─i─n-фотодиодов, работающих в режиме лавинного усиления, оценивалось по измерению вольт-амперных характеристик. Лавинное усиление начиналось при напряжениях минус 15 В, определен коэффициент лавинного усиления для архитектуры прибора с общей областью поглощения и усиления.

Разработана технология изготовления крупноформатного матричного фотоприемного устройства (МФПУ) на спектральный диапазон 3 ─ 5 мкм формата 640х512 с шагом элементов 15 мкм на основе фотодиодов из антимонида индия. МФПУ является развитием выпускаемого серийно МФПУ формата 320х256 элементов с шагом 30 мкм с охладителем типа интегральный Стирлинг и блоком предварительной электронной обработки сигналов. Дефектность лучших образцов МФПУ составляет ≈0,1 %. Среднее значение разности температур эквивалентной шуму (ЭШРТ) в оптимальном режиме составляет ≈21 мК.

При разработке и изготовлении новой БИС иногда возникает необходимость редактирования схемы или топологии кристалла с целью улучшения его параметров. Рассмотрены методы коррекции топологии кристаллов, используемые для устранения ошибок при разработке и проектировании БИС. Представлены достоинства и недостатки методов коррекции.

В этой статье рассмотрены теоретические основы параллельных вычислений и приведены способы распараллеливания линейных алгоритмов. На примере алгоритма расчёта потенциала в рабочей области электронно-оптической системы рассмотрена практическая реализация распараллеливания, приведен сравнительный анализ результатов тестирования на различных ЭВМ.

Представлены результаты экспериментальных исследований отрицательной короны постоянного напряжения, возбуждаемой металлическим острием над плоскостью покрытой диэлектриком. Установлено, что обработка поверхности пленок ПТФЭ слаботочным поверхностным разрядом приводит к существенному улучшению контактных свойств и увеличению работы адгезии.

Свойства электрических дуг, горящих в цилиндрических каналах плазмотронов (генераторов низкотемпературной плазмы), ещё полностью не изучены, поэтому в процессе исследования было промоделировано течение воздуха в областях тангенциальной подачи, в цилиндрическом канале, в сужающемся сопле или в смесительной камере плазмотронов и за их пределами (в окружающей среде). В итоге, было выполнено 3D-моделирование течения холодного плазмообразующего газа для исследуемых высоковольтных плазмотронов переменного тока со стержневыми электродами в цилиндрических каналах.

В работе представлены результаты измерения эквивалентного сопротивления плазмы, являющегося мерой способности плазмы поглощать ВЧ-мощность. Рассмотрен индуктивный ВЧ-разряд в инертных газах в диапазоне давлений 1 мТорр - 10 Торр. Показано, что при частотах упругих столкновений, не превышающих 3∙107 с-1, значения эквивалентного сопротивления различных газов в пределах ошибки эксперимента «ложатся» на одну кривую. При частотах столкновений более 3∙107 с-1 значительный вклад в поглощение вносит емкостная составляющая разряда.

В борновском приближении найдены дифференциальные сечения тормозного излучения электронов, проходящих через многослойную упорядочную структуру кулоновых центров, находящихся во внешнем электрическом поле. Показано, что пространственная структура тормозного излучения имеет по сравнению с малым (порядка десяти) числом слоев более сложный осцилляционный характер, связанный с интерференцией электронов при отражении их от потенциального барьера внешнего однородного поля и суперпозицией их движений в кулоновом и однородном поле.

Работа посвящена проблеме управления параметрами вихревых потоков, образующихся в природе и во многих технических приложениях, например, при обтекании летящего тела. Впервые нитевидные плазменные каналы сформированы внутри воздушного вихря. Зарегистрирована перестройка структуры течения за фронтом цилиндрической ударной волны.

Выполнены измерения синфазной и квадратурной составляющих первой гармоники ЭДС-сигнала отклика поликристаллов YBa2Cu3O7-x в постоянном магнитном поле. Обнаружено отсутствие эффекта пиннинга вихрей Джозефсона в слабосвязанной среде в магнитных полях меньше Hc2j, где Hc2j - величина верхнего критического поля джозефсоновских слабых связей. Определенная начальная кривая намагниченности позволила описать нелинейную часть намагниченности, обусловленную слабыми связями керамики.