ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636

· Языки: ru / en

Статья: Процессы рекомбинации и анализ времени жизни в узкозонных полупроводниковых структурах CdHgTe (2015)

Читать

Читать онлайн

Обсуждаются основные процессы генерации-рекомбинации носителей заряда в структурах на основе тройного соединения CdHgTe: объемные процессы (излучательная и безизлучательная рекомбинация) и процессы, происходящие на поверхности. Рассматривается концепция моделирования согласно классической теории, представлены параметры и коэффициенты, необходимые для расчета времени жизни в узкозонных гетероэпитаксиальных структурах. Показано влияние ударных Оже-процессов, излучательного механизма и механизмов рекомбинации, зависящих от наличия дополнительных уровней в запрещенной зоне вследствие включений, примесей и несовершенств кристаллической решетки, являющихся центрами рекомбинации ШоклиРида-Холла, в заданном температурном диапазоне. Построены аналитические зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от обратной температуры в полупроводниковых структурах CdHgTe различного состава.

Recombination and generation events concerning with the behavior of the minority carriers in CdHgTe structures including Shockley–Read–Hall recombination, radiative recombination, Auger recombination and surface processes have been discussed. A concept of lifetime simulation according classical model and parameters characterized lifetime behaviour are presented. The various recombination mechanisms in working temperature region analyzed. It is shown that an important role have Auger recombination, radiative recombination and Shockley–Read–Hall recombination through deep-level impurities, characterized by the impurity density energy level in the bandgap. Wherever possible, the concepts are augmented with experimental data. The minority carriers lifetime analytic dependences versus temperature were calculated in p-type HgCdTe structures of varies composition.

Ключевые фразы: гетероэпитаксиальная структура, теллурид кадмия-ртути, CdHgTe, инфракрасный, время жизни неосновных носителей заряда, рекомбинация

Автор (ы): Яковлева Наталья Ивановна (YAkovleva N. I.)

Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
eLIBRARY ID: 23420538

Для цитирования:

ЯКОВЛЕВА Н. И. ПРОЦЕССЫ РЕКОМБИНАЦИИ И АНАЛИЗ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ CDHGTE // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2015. ТОМ 3, №2

Текстовый фрагмент статьи

Моя история просмотров (3)

01. Статья: Процессы рекомбинации и анализ времени жизни в узкозонных полупроводниковых структурах CdHgTe

02. Статья: Моделирование полей яркости объектов на фоне разорванной облачности атмосферы при наблюдении из нижней полусферы

03. Книга: Физика атмосферы

Список литературы

1. Филачёв А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Современное состояние и магистральные направления развития современной фотоэлектроники. — М.: Физматкнига, 2010.
2. Boltar K. O., Burlakov I. D., Ponomarenko V. P., and Filachev A. M. // Proc. SPIE. 2009. V. 7298. P. 72982P-1.
3. Дирочка А. И., Корнеева М. Д., Филачёв А. М. // Прикладная физика. 2011. № 2. С. 37.
4. Бурлаков И. Д., Пономаренко В. П., Филачёв А. М. и др. // Прикладная физика. 2007. № 2. С. 43.
5. Стафеев В. И., Болтарь К. О., Бурлаков И. Д. и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 10. С. 1257.
6. Hall R. N. // Phys. Rev. 1952. V. 87. P. 387.
7. Shockley W. and Read W. T. // Phys. Rev. 1952. V. 87. P. 835.
8. Shockley W. and Read W. T. // Phys. Rev. 1952. V. 87. P. 835.
9. Филачёв А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы. — М.: Физматкнига, 2005.
10. Schroder D. K. // IEEE Trans. Electron Devices. 1982. V. ED-29. P. 1336.
11. Emelie P. Y., Velicu S., Grein C. H., et al. // Journal of Electronic Materials. 2008. V. 37. No. 9.
12. Гуменюк-Сычевская Ж. В., Сизов Ф. Ф., Овсюк В. Н. и др. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 835.
13. Schroder D. K. // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. V. 44. No. 1. P. 160.
14. Luke K. L. and Cheng L. J. // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. P. 2282.
15. Lopes V. C., Syllaios A. J., and Chen M. C. // Semicond. Sci. Technol. 1993. P. 824.
16. Rogalski A. // Rep. Prog. Phys. 2005. V. 68. P. 2267.
17. Jozwikowski K. and Rogalski A. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. P. 736–41.
18. Humpreys R. G. // Infrared Phys. 1986. V. 26. P. 337.
19. Elliott T., Gordon N. T., and White A. M. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 2881.
20. Schacham S. E., Finkman E. // J. Appl. Phys. V. 57. No. 6. P. 2001.
21. Emelie P. Y., Velicu S., Grein C. H., et al. // Journal of Electronic Materials. 2008. V. 37. No. 9.
22. Rogalski A., Adamiec K., and Rutkowski J. Narrow-Gap Semiconductor Photodiodes (Bellingham: SPIE Optical Engineering Press), 2000.
23. Dmitriev A. V., Mocker M. // Physics Reports. 1995. V. 257.P. 85.
24. Casselman T. N. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. P. 848.
25. Krishnamurthy S. and Casselman T. N. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. P. 828.
26. Beattie R. and White A. M. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 802.
27. Beattie A. and Landsberg P. T. // Proc. R. Soc. Lond. 1959. V. A 249. P. 16.
28. Casselman T. N. and Petersen P. E. // Solid State Commun. 1980. V. 33. P. 615.
29. Kinch M. A. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. P. 809.
30. Hansen G. L., Schmidt J. L., and Casselman T. N. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 7099.
31. Hansen G. L. and Schmidt J. L. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 1639.
32. Gumenjuk-Sichevskaja J. V., Sizov F. F., Ovsyuk V. N., et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. P. 800.
33. Gumenjuk-Sichevskaya J. V. and Sizov F. F. // Semiconductor Science Technology. 1999. V. 14. P. 1124.
34. Weiler M. // Semiconduct. Semimet. 1981. V. 16. P. 119.
35. Мухитдинов А. М., Стафеев В. И. // ФТП. 1992. Т. 6. Вып. 10. С. 1830.
36. Войцеховский А. В., Денисов Ю. А., Коханенко А. П. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 7. С. 1771.

1. A. M. Filachev, I. I. Taubkin, and M. A. Trishenkov, The Current Status and Main-Line Trackage for Development of Photoelectronics (Fizmatkniga, Moscow, 2010) [in Russian].
2. K. O. Boltar, I. D. Burlakov, V. P. Ponomarenko, and A. M. Filachev, Proc. SPIE 7298, 72982P-1 (2009).
3. A. I. Dirochka, M. D. Korneeva, and A. M. Filachev, Prikladnaya Fizika, No. 2, 37 (2011).
4. I. D. Burlakov, V. P. Ponomarenko, A. M. Filachev, et al., Prikladnaya Fizika, No. 2, 43 (2007).
5. V. I. Stafeev, K. O. Boltar, I. D. Burlakov, et al., Semiconductors 39, 1257 (2005).
6. R. N. Hall, Phys. Rev. 87, 387 (1952).
7. W. Shockley and W. T. Read, Phys. Rev. 87, 835 (1952).
8. W. Shockley and W. T. Read, Phys. Rev. 87, 835 (1952).
9. A. M. Filachev, I. I. Taubkin, and M. A. Trishenkov, Solid-State Photoelectronics. Physical Base. (Fizmatkniga, Moscow, 2005) [in Russian].
10. D. K. Schroder, IEEE Trans. Electron Devices. ED-29, 1336 (1982).
11. P. Y. Emelie, S. Velicu, C. H. Grein, et al., Journal of Electronic Materials. 37 (9), (2008).
12. J. V. Gumenjuk-Sichevskaja, F. F. Sizov, V. N. Ovsyuk, et al., Semiconductors 35, 835 (2001).
13. D. K. Schroder, IEEE Trans. Electron Devices 44, 160 (1997).
14. K. L. Luke and L. J. Cheng, J. Appl. Phys. 61, 2282 (1987).
15. V. C. Lopes, A. J. Syllaios, and M. C. Chen, Semicond. Sci. Technol. 824 (1993).
16. A. Rogalski. Rep. Prog. Phys. 68, 2267 (2005).
17. K. Jozwikowski and A. Rogalski, J. Electron. Mater. 29, 736–41 (2000).
18. R. G. Humpreys, Infrared Phys. 26, 337 (1986).
19. T. Elliott, N. T. Gordon, and A. M. White, Appl. Phys. Lett. 74, 2881 (1999).
20. S. E. Schacham and E. Finkman, J. Appl. Phys. 57, 2001.
21. P. Y. Emelie, S. Velicu, C. H. Grein, et al., Journal of Electronic Materials 37 (9), (2008)
22. A. Rogalski, K. Adamiec, and J. Rutkowski, Narrow-Gap Semiconductor Photodiodes (Bellingham: SPIE Optical Engineering Press), 2000.
23. A. V. Dmitriev and M. Mocker, Physics Reports 257, 85 (1995).
24. T. N. Casselman, J. Appl. Phys. 52, 848 (1981).
25. S. Krishnamurthy and T. N. Casselman, J. Electron. Mater. 29, 828 (2000).
26. R. Beattie and A. M. White, J. Appl. Phys. 79, 802 (1996).
27. A. Beattie and P. T. Landsberg, Proc. R. Soc. Lond. A 249, 16 (1959).
28. T. N. Casselman and P. E. Petersen, Solid State Commun. 33, 615 (1980).
29. M. A. Kinch, J. Electron. Mater. 29, 809 (2000).
30. G. L. Hansen, J. L. Schmidt, and T. N. Casselman, J. Appl. Phys. 53, 7099 (1982).
31. G. L. Hansen and J. L. Schmidt, J. Appl. Phys. 54, 1639 (1983).
32. J. V. Gumenjuk-Sichevskaja, F. F. Sizov, V. N. Ovsyuk, et al., Semiconductors 35, 80 (2001).
33. J. V. Gumenjuk-Sichevskaya and F. F. Sizov, Semiconductor Science Technology 14, 1124 (1999).
34. M. Weiler, Semiconduct. Semimet. 16, 119 (1981).
35. A. M. Mukhitdinov and V. I. Stafeev, Semiconductors 6, 1830 (1992).
36. A. V. Voitsekhovsky, Yu. A. Denisov, A. P. Kokhanenko, et al., Semiconductors 31, 1771 (1997).

Выпуск

Том 3, №2 (2015)

Кол-во страниц: 98 страниц

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ОБЩАЯ ФИЗИКА

Климанов Е. А. О механизмах геттерирования генерационно-рекомбинационных центров в кремнии при диффузии фосфора и бора 121
Ташаев Ю. Н. Моделирование электро-статического поля тороида 126

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Гришина И. А., Иванов В. А., Коврижных Л. М. Современное состояние исследований в области физики плазмы и плазменных технологий в России (обзор по материалам XLII Международной конференции по физике плазмы и УТС) 133
Мещеряков А. И., Вафин И. Ю. Измерения эффективного заряда плазмы по спектру мягкого рентгеновского излучения и по проводимости на стеллараторе Л-2М в условиях боронизации вакуумной камеры 145
Балмашнов А. А., Бутко Н. Б., Степина С. П., Умнов А. М., Хименес М. Х. Параметры ЭЦР-плазмы, формируемой в коаксиальном резонаторе плазменного инжектора CERA-RI-2 (вычислительный эксперимент) 150
Курбанисмаилов В. С., Омаров О. А., Рагимханов Г. Б., Арсланбеков М. А., Абакарова Х. М., Али Рафид А. А. Импульсный объемный разряд в гелии при высоких перенапряжениях 154

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Филачёв А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Достижения твёрдотельной фотоэлектроники (обзор) 162
Яковлева Н. И. Процессы рекомбинации и анализ времени жизни в узкозонных полупроводниковых структурах CdHgTe 169
Пермикина Е. В., Кашуба А. С. Исследование эпитаксиальных гетероструктур HgCdTe 180
Филатов А. В., Карпов В. В., Сусов Е. В., Грибанов А. А., Кузнецов Н. С., Петренко В. И. Фоторезисторы с кодом Грея из гетеро-эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe на спектральный диапазон 2—11 мкм с термоэлектрическим охлаждением 190
Филатов А. В., Сусов Е. В., Акимова Н. М., Карпов В. В., Шаевич В. И. Высоко-стабильные фоторезисторы диапазона 8—12 мкм из ГЭС КРТ МЛЭ 196 Будтолаева А. К., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В. Исследование имплантации бериллия в InP 202

ИНФОРМАЦИЯ

Сводный перечень статей, опубликованный в журнале в 2014 г. 209
Правила для авторов 212
Бланк для подписки 214

C O N T E N T S

GENERAL PHYSICS

E. A. Klimanov Mechanism of gettering the generation-recombination centers in silicon at diffusion of phosphorus and boron 121
Y. N. Tashayev Modeling of the electrostatic field of the charged toroid 126

PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS

I. A. Grishina, V. A. Ivanov, and L. M. Kovrizhnykh Current state of researches in plasma physics and plasma technologies in Russia (a review of the XLII International Zvenigorod Conference, 2014) 133
A. I. Meshcheryakov and I. Yu. Vafin Measurement of the plasma effective charge on the soft X-ray spectrum and on conductivity of plasma at the L-2M stellarator 145
A. A. Balmashnov, S. P. Stepina, N. B. Butko, A. M. Umnov, and М. J. Jimenez Parameters of ECR plasma created in а coaxial cavity of the CERA-RI-2 injector (computer simulation) 150
V. S. Kurbanismailov, O. A. Omarov, G. B. Ragimkhanov, M. A. Arslanbekov, Kh. M. Abakarova, and A. A. Ali Rafid Pulse volume discharge in helium at high overvoltages 154

PHOTOELECTRONICS

A. M. Filachov, I. I. Taubkin, and M. A. Trishenkov A review on advances in the solid-state photoelectronics 162
N. I. Iakovleva Recombination mechanisms and minority carrier lifetime analysis in the narrowband CdHgTe structures 169
E. V. Permikina and A. S. Kashuba The investigation of of CdхHg1-хTe multilayered structures for production of matrix photodetector 180
A. V. Filatov, V. V. Karpov, E. V. Susov, A. A. Gribanov, N. S. Kuznetsov, and V. I. Petrenko Photoresistors with a Gray code from heteroepitaxial structures CdxHg1-xTe on the 2-11 μm spectral range with thermoelectric cooling 190
A. V. Filatov, E. V. Susov, N. M. Akimova, V. V. Karpov, and V. I. Shaevich Processing the highly stable 8—12 μm photoresistors on the basis of molecularbeam heteroepitaxial CdHgTe structures 196
A. K. Budtolaeva, P. E. Khakuashev, and I. V. Chinareva Study of the beryllium im-plantation in InP 202

INFORMATION

Summary list of articles published in 2014 209
Rules for authors 212
Subscription to the Journal 214

Другие статьи выпуска

Исследование имплантации бериллия в InP (2015)

Авторы: Будтолаева А. К., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В.

Авторами исследовалась имплантация ионов бериллия в InP с последующим отжигом с целью ее использования для формирования охранного кольца в планарном лавинном фотодиоде (ЛФД) на основе структур n-InP/n-InGaAs/n+-InP. Проведен качественный анализ изменения профилей легирования в зависимости от температуры и времени отжига. Рассмотрены процессы, происходящие в InP при его легировании бериллием с последующим отжигом имплантированных слоев.

Сохранить в закладках

Высокостабильные фоторезисторы диапазона 8—12 мкм из ГЭС КРТ МЛЭ (2015)

Авторы: Филатов А. В., Сусов Е. В., Акимова Н. М., Карпов В. В., Шаевич В. И.

Разработаны фоторезисторы для диапазона спектра 8—12 мкм из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией. Применение в качестве защитного покрытия поверхности чувствительных элементов собственного анодного окисла обеспечивает вместе с другими методами высокие чувствительность параметров фоторезисторов и их сохраняемость.

Сохранить в закладках

Фоторезисторы с кодом Грея из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe на спектральный диапазон 2—11 мкм с термоэлектрическим охлаждением (2015)

Авторы: Филатов А. В., Карпов В. В., Сусов Е. В., Грибанов А. А., Кузнецов Н. С., Петренко В. И.

Приведены результаты разработки фоторезисторов с термоэлектрическим охлаждением фоточувствительных элементов в топологии пятиразрядного кода Грея из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией и предназначенных для регистрации импульсного лазерного излучения на длине волны 10,6 мкм. Исследованы зависимости отношения сигнал/шум от состава узкозонного рабочего слоя эпитаксиальной структуры и конструкции фоторезистора.

Сохранить в закладках

Исследование эпитаксиальных гетероструктур HgCdTe (2015)

Авторы: Пермикина Е. В., Кашуба А. С.

Представлены результаты исследований эпитаксиальных гетероструктур теллурида кадмия-ртути ориентации [310] р-типа проводимости, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из арсенида галлия. Исследованы морфология поверхности и электрофизические характеристики ГЭС КРТ. Приведены результаты исследований гетероструктур КРТ после полирующего травления и пассивации поверхности.

Сохранить в закладках

Достижения твёрдотельной фотоэлектроники (обзор) (2015)

Авторы: Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А.

Параметры традиционных полупроводниковых фотоприёмников приблизились к своим теоретическим пределам. Лавинные фотодиоды позволяют проводить счёт единичных фотонов не только в режиме Гейгера, но и в линейном режиме, обладающем рядом важных преимуществ. Разработаны фотодиоды даже с «нешумящей» лавиной, что ранее считалось невозможным. Предложены новые фоточувствительные структуры, в том числе структуры с электронным переносом и структуры с энергетическим барьером для основных носителей. Выдающиеся успехи достигнуты в разработке матричных фотоприёмных устройств. Освоены все актуальные спектральные диапазоны — от ультрафиолетового до дальнего инфракрасного. В диапазоне 8—10 мкм получено рекордное значение эквивалентной шуму разности температур 1—2 мК.

Сохранить в закладках

Импульсный объемный разряд в гелии при высоких перенапряжениях (2015)

Авторы: Курбанисмаилов В. С., Омаров О. А., Рагимханов Г. Б., Арсланбеков М. А., Абакарова Х. М., Али Р. А.

Экспериментально исследованы электрические, пространственно-временные и спектральные характеристики импульсного объемного разряда (ОР) в Не атмосферного давления в режиме однородного горения, в режиме перехода ОР в искровой канал и при переходе ОР в сильноточный диффузный режим (СДР). Показано, что при перенапряжениях (более 300 %) формируется СДР с плотностью тока 102—103 А/см2, концентрацией электронов ~1016 см-3 и температурой 1—2 эВ.

Сохранить в закладках

Параметры ЭЦР-плазмы, формируемой в коаксиальном резонаторе плазменного инжектора CERA-RI-2 (вычислительный эксперимент) (2015)

Авторы: Балмашнов А. А., Степина С. П., Бутко Н. Б., Умнов А. М., Хименес М. Х.

Представлены результаты численного моделирования движения частиц плазмы в плазменном ЭЦР-инжекторе CERA-RI-2. Определены области доминирующих потерь частиц плазмы и интенсивность плазменных и ионных потоков.

Сохранить в закладках

Измерения эффективного заряда плазмы по спектру мягкого рентгеновского излучения и по проводимости на стеллараторе Л-2М в условиях боронизации вакуумной камеры (2015)

Авторы: Мещеряков А. И., Вафин И. Ю.

В работе измерение сопротивления плазменного шнура было использовано для определения эффективного заряда плазмы в двух режимах омического разряда стелларатора Л-2М: до и после проведения процедуры боронизации вакуумной камеры. В режимах без боронизации вакуумной камеры Zeff принимает значения от 4 до 6 и уменьшается с ростом плотности. С введением процедуры боронизации значения эффективного заряда, измеренные по проводимости, лежат в интервале Zeff = (1,5—2) и не проявляют зависимость от плотности. Сравнение значений эффективного заряда, вычисленных по спектру мягкого рентгеновского излучения и по электропроводности, показывает, что в случае, когда фактор превышения меньше 20, оба метода хорошо согласуются. В импульсах, когда фактор превышения больше значения 20, допущение о доминировании одной примеси, а именно, бора, не верно, и вышеизложенный метод требует более сложного анализа.

Сохранить в закладках

Современное состояние исследований в области физики плазмы и плазменных технологий в России (обзор по материалам XLII Международной конференции по физике плазмы и УТС) (2015)

Авторы: Гришина И. А., Иванов В. А., Коврижных Л. М.

Дан обзор наиболее интересных результатов, представленных на ежегодной XLII Международной (Звенигородской) конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, состоявшейся с 9 по 13 февраля 2015 года в городе Звенигород Московской области. Проведен анализ главных направлений исследований в области физики плазмы в России.

Сохранить в закладках

Моделирование электростатического поля тороида (2015)

Авторы: Ташаев Ю. Н.

Электростатический потенциал заряженного проводящего тора представлен в виде суммы произведений функций Лежандра на гармонические функции. Рассмотрена задача о распределении электростатического потенциала вокруг равномерно заряженного вдоль поверхности непроводящего тора. Решение задачи сведено к вычислению поверхностного интеграла и выражено через эллиптический интеграл первого рода. Обсуждён вопрос о наличии «потенциальной ямы» в центре тора.

Сохранить в закладках

О механизмах геттерирования генерационно-рекомбинационных центров в кремнии при диффузии фосфора и бора (2015)

Авторы: Климанов Е. А.

Механизм процесса геттерирования генерационно-рекомбинационных центров в кремнии n- и р-типа диффузионным слоем фосфора можно описать сегрегационной моделью, учитывающей образование ионных пар металлическая примесь-фосфор в n+-слое. Расчеты удовлетворительно описывают экспериментальные результаты при условии, что геттерируемая примесь (Fe) в n+-слое является двухзарядным акцептором в положении замещения (Fe2-). При этом эффективность геттерирования возрастает с ростом концентрации фосфора пропорционально (n/ni)2[P+]. Закономерности процесса геттерирования при диффузии бора могут быть описаны сегрегационной моделью, в которой стоком для примесей служит слой боросиликатного стекла.

Сохранить в закладках

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.