Архив статей

Характеристики пассивирующего покрытия CdTe, нанесенного на эпитаксиальный слой HgCdTe (2016)
Выпуск: Том 4, №5 (2016)
Авторы: Пермикина Елена Вячеславовна, Кашуба Алексей Сергеевич

Представлены результаты исследований пассивирующего покрытия из теллурида кадмия, нанесенного на поверхность ГЭС КРТ методом «горячей стенки». Показано, что с увеличением толщины пассивирующего слоя CdTe улучшается его кристаллическая структура. Установлено, что химическая обработка поверхности ЭС КРТ перед пассивацией улучшает электрофизические свойства границы раздела HgCdTe/CdTe. Представлен механизм роста теллурида кадмия на КРТ.

Сохранить в закладках