С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Войцеховский А. В., Горн Д. И. Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами 5
Роках А. Г., Шишкин М. И., Вениг С. Б., Матасов М. Д., Аткин В. С. Аналогии между экзоэлектронной фотоэмиссией и вторично-ионным фотоэффектом в полупроводниках 11
Логунов М. В., Неверов В. А., Мамин Б. Ф. Исследование структурных неоднородностей карбида кремния методом малоуглового рентгеновского рассеяния 15
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Пляка П. С., Алихаджиев С. Х., Толмачев Г. Н. Исследование пылевых частиц, образующихся при распылении сложного оксида в кислородном высокочастотном разряде 19
ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ЛАЗЕРНЫЕ ПУЧКИ
Кулиш В. В., Лысенко А. В., Алексеенко Г. А., Коваль В. В., Ромбовский М. Ю. Супергетеродинные плазменно-пучковые ЛСЭ с винтовыми электронными пучками 24
Крылов В. И., Хомяков В. В. Тормозное излучение электронов, проходящих через многослойную структуру кулоновых центров и ускоряемых электрическим полем 29
Чебан А. Ю., Хрунина Н. П., Леоненко Н. А. Результаты экспериментальных исследований по резанию карбонатных горных пород мощным лазерным излучением 34
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Холоднов В. А., Бурлаков И. Д., Другова А. А. Аналитический подход к выбору оптимальной структуры лавинных гетеро-фотодиодов на основе прямозонных полупроводников 38
Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Лозовой К. А. Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками 45
Акимов В. М., Андреев Д. С., Демидов С. С., Иродов Н. А., Климанов Е. А. Вольтамперные характеристики фотодиодов матрицы фоточувствительных элементов планарного типа на основе структуры p-InP/InGaAs/n-InP 50
Балиев Д. Л., Лазарев П. С., Болтарь К. О. Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного модуля формата 320×256 на основе InGaAs 54
Роках А. Г., Шишкин М. И., Скапцов А. А., Пузыня В. А. О возможности плазменного резонанса в пленках CdS-PbS в средней инфракрасной области спектра 58
Скребнева П. С., Бурлаков И. Д., Яковлева Н. И. Исследование гетероэпитаксиальных структур CdHgTe методом спектроскопической эллипсометрии 61
Кашуба А. С., Пермикина Е. В., Головин С. В. Исследование поверхности эпитаксиальных гетероструктур CdхHg1-хТе после полирующего травления 67
Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Силина А. А., Смирнова Н. А., Шматов Н. И. Исследование условий выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe (х ≤ 0,04) методом вертикальной направленной кристаллизации по Бриджмену 72
Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М., Байрамов Р. Б. Влияние атомов примеси Sm и гамма-излучения на спектры фотопроводимости слоистых монокристаллов GeS 76
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Бедарева Е. А., Горелик Л. И., Колесова А. А., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Шкетов А. И. Светосильный двухдиа-пазонный инфракрасный объектив 80
Тиранов Д. Т., Гусева А. А., Филиппов В. Л. Моделирование полей яркости объектов на фоне разорванной облачности атмосферы при наблюдении из нижней полусферы 85
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» 88
Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике 90
Бланк-заказ для подписки 92
