Архив статей

Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного модуля формата 320×256 на основе InGaAs (2014)
Выпуск: №5 (2014)
Авторы: Балиев Дмитрий Леонидович, ЛАЗАРЕВ Павел Сергеевич, Болтарь Константин Олегович

Исследованы темновые токи фотодиодов и основные фотоэлектрические параметры фотоэлектронных модулей коротковолнового ИК-диапазона (0,9—1,7 мкм) формата 320×256, выполненных с шагом 30 мкм на основе эпитаксиальных гетероструктур InGaAs на подложке InP и изготовленных по планарной и меза-технологии.

Сохранить в закладках