Статья: ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СО СТРУКТУРОЙ PNP-ТИПА В АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОЙ ТЕХНОЛОГИИ HBT-HEMT (2022)

Читать онлайн

Выполнен анализ современного состояния разработок интегральных микросхем (ИМС) для жестких условий эксплуатации, на основании которого предложено использование арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT. Представлены результаты приборно-технологического (TCAD) моделирования электрических характеристик гетеропереходного биполярного транзистора со структурой pnp-типа на основе GaAs. Определены следующие основные параметры: напряжение Эрли Va, коэффициент усиления базового тока в схеме с общим эмиттером BETA, напряжение пробоя промежутка коллекторэмиттер VK3BR, граничная частота /гр. Исследовано влияние на указанные параметры атомарного состава x соединения AlGaAs, ширины активной базы WE и даны рекомендации по выбору их оптимальных значений. Приведена оценка изменения параметров приборной структуры pnp-HBT при вариации температуры.

Ключевые фразы: гетеропереход, гетеропереходный биполярный транзистор, ашву ашву, моделирование, эксплуатационные характеристики, коэффициент усиления по току, напряжение эрли, напряжение пробоя
Автор (ы): Ловшенко Иван Юрьевич
Соавтор (ы): Кратович П. С., Стемпицкий Виктор Романович, Дворников Олег Владимирович, Кунц А. В., Павлючик А. А.
Журнал: ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ (МЭС)

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

УДК
621.382. Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника
Для цитирования:
ЛОВШЕНКО И. Ю., КРАТОВИЧ П. С., СТЕМПИЦКИЙ В. Р., ДВОРНИКОВ О. В., КУНЦ А. В., ПАВЛЮЧИК А. А. ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СО СТРУКТУРОЙ PNP-ТИПА В АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОЙ ТЕХНОЛОГИИ HBT-HEMT // ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ (МЭС). 2022. № 4
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)