ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ (МЭС)

Архив статей журнала

АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЕ ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ С УМНОЖИТЕЛЯМИ КРУТИЗНЫ ВХОДНЫХ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ КАСКАДОВ (2022)
Выпуск: № 3 (2022)
Авторы: Прокопенко Николай Николаевич, Дворников Олег Владимирович, Чумаков Владислав Евгеньевич, Клейменкин Дмитрий Владимирович

Рассматриваются базовые схемотехнические решения операционных усилителей (ОУ), ориентированные на изготовление на одном GaAs кристалле полевых транзисторов (field effect transistor, FET) со встроенным каналом n-типа и p-n-p транзисторов. Предлагается перспективная архитектура трехкаскадного ОУ на основе pHEMT (pseudo morphic high electron mobility transistor) и p-n-p HBT (hetero junction bipolar transistor), в которой реализуются малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля, обусловленной влиянием токов базы p-n-p транзисторов и его температурными и радиационными изменениями. Исследуется три варианта построения входных каскадов, в которых предусмотрено увеличение на 1-2 порядка крутизны усиления при работе pHEMT в микроамперных диапазонах токов (10-100 мкА).

Сохранить в закладках
ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СО СТРУКТУРОЙ PNP-ТИПА В АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОЙ ТЕХНОЛОГИИ HBT-HEMT (2022)
Выпуск: № 4 (2022)
Авторы: Ловшенко Иван Юрьевич, Кратович П. С., Стемпицкий Виктор Романович, Дворников Олег Владимирович, Кунц А. В., Павлючик А. А.

Выполнен анализ современного состояния разработок интегральных микросхем (ИМС) для жестких условий эксплуатации, на основании которого предложено использование арсенид-галлиевой технологии HBT-HEMT. Представлены результаты приборно-технологического (TCAD) моделирования электрических характеристик гетеропереходного биполярного транзистора со структурой pnp-типа на основе GaAs. Определены следующие основные параметры: напряжение Эрли Va, коэффициент усиления базового тока в схеме с общим эмиттером BETA, напряжение пробоя промежутка коллекторэмиттер VK3BR, граничная частота /гр. Исследовано влияние на указанные параметры атомарного состава x соединения AlGaAs, ширины активной базы WE и даны рекомендации по выбору их оптимальных значений. Приведена оценка изменения параметров приборной структуры pnp-HBT при вариации температуры.

Сохранить в закладках