Статья: АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЕ ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ С УМНОЖИТЕЛЯМИ КРУТИЗНЫ ВХОДНЫХ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ КАСКАДОВ (2022)

Читать онлайн

Рассматриваются базовые схемотехнические решения операционных усилителей (ОУ), ориентированные на изготовление на одном GaAs кристалле полевых транзисторов (field effect transistor, FET) со встроенным каналом n-типа и p-n-p транзисторов. Предлагается перспективная архитектура трехкаскадного ОУ на основе pHEMT (pseudo morphic high electron mobility transistor) и p-n-p HBT (hetero junction bipolar transistor), в которой реализуются малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля, обусловленной влиянием токов базы p-n-p транзисторов и его температурными и радиационными изменениями. Исследуется три варианта построения входных каскадов, в которых предусмотрено увеличение на 1-2 порядка крутизны усиления при работе pHEMT в микроамперных диапазонах токов (10-100 мкА).

Ключевые фразы: операционный усилитель, gaas phemt, gaas p-n-p hbt, напряжение смещения нуля, крутизна усиления дифференциального каскада
Автор (ы): Прокопенко Николай Николаевич
Соавтор (ы): Дворников Олег Владимирович, Чумаков Владислав Евгеньевич, Клейменкин Дмитрий Владимирович
Журнал: ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ (МЭС)

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

УДК
621.372.543.2. Пропускающие полосовые фильтры
Для цитирования:
ПРОКОПЕНКО Н. Н., ДВОРНИКОВ О. В., ЧУМАКОВ В. Е., КЛЕЙМЕНКИН Д. В. АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЕ ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ С УМНОЖИТЕЛЯМИ КРУТИЗНЫ ВХОДНЫХ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ КАСКАДОВ // ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ (МЭС). 2022. № 3
Текстовый фрагмент статьи