Публикации автора

Формирование общего контакта в мезапланарных матрицах фоточувствительных элементов на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP (2014)

Авторами показано, что при изготовлении матриц фоточувствительных элементов на гетероструктурах InGaAs/InP по мезапланарной технологии использование травителя HCl: HNO3: CH3COOH: H2O2 = 1:6:1:1 позволило воспроизводимо получать мезаструктуры глубиной 3÷7 мкм с полированной боковой поверхностью и углом наклон мезаструктуры 60°.

Издание: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск: №4 (2014)
Автор(ы): Андреев Дмитрий Сергеевич, Гришина Татьяна Николаевна, Мищенкова Татьяна Николаевна, Чинарева Инна Викторовна, Тришенков Михаил Алексеевич
Сохранить в закладках
Уменьшение времени восстановления чувствительности в p–i–n-фотодиодах на основе InGaAs/InP после воздействия мощных импульсных фоновых засветок (2015)

Предложена топология фотодиода, обеспечивающая малые времена восстановления чувствительности. В предложенной топологии фоточувствительная площадка окружена “карманом”, устраняющим медленные диффузионные составляющие в периферийном фотоотклике. Приведены экспериментальные результаты, подтверждающие уменьшение времени восстановления чувствительности.

Издание: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск: №6 (2015)
Автор(ы): Андреев Дмитрий Сергеевич, Варганова Виолетта Станиславовна, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна, Дирочка Александр Иванович
Сохранить в закладках
Исследование влияния глубины диффузии на параметры матричных фотодиодов на основе InGaAs/InP (2015)

В статье исследуется повышенная взаимосвязь между элементами фоточувствительной матрицы. Установлена причина этого явления: смыкание элементов матрицы из-за боковой диффузии. Выбраны оптимальные величины параметров, а именно, глубина диффузии примеси менее 2,5 мкм и расстояние между p+-областями соседних элементов матрицы 1 мкм, что обеспечило минимальный уровень взаимосвязи без потерь в обнаружительной способности.

Издание: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск: №2 (2015)
Автор(ы): Андреев Дмитрий Сергеевич, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна, Тришенков Михаил Алексеевич
Сохранить в закладках
Пассивация и защита поверхности фотодиодов на основе In1-xGaxAs1-yPy/InP пленкой нитрида кремния (2015)

В статье обсуждается методика пассивации и защиты поверхности In1-xGaxAs1-yPy с помощью обработки в плазме СF4 и N2 и осаждения пленки Si3N4 плазмохимическим методом при температурах не более 200 оС. Разработанная технология обеспечивает получение и стабилизацию плотности темнового тока при U = 10 B на уровне 10-5—10-6 А/см-2, а также плотность микропор 0—20 см-2 при диэлектрической прочности 107 В/см.

Издание: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск: №1 (2015)
Автор(ы): Андреев Дмитрий Сергеевич, Будтолаев Андрей Константинович, Огнева Ольга Викторовна, Чинарева Инна Викторовна, Тришенков Михаил Алексеевич
Сохранить в закладках
Исследование двухстадийной диффузии цинка в гетероструктурах InGaAs/InP (2016)

Авторами исследовалась возможность подавления раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs. Для этого использовалась диффузия цинка в запаянной ампуле при температурах 500 °С, 450 °С. Определены распределение носителей заряда в диффузионном слое и глубина диффузии как в монокристаллическом InP, так и в лавинной структуре на основе InP/InGaAs в зависимости от режима проведения диффузии. Распределение носителей заряда в диффузионном слое в монокристаллическом InP определялось методом электрохимического профилирования с последующим измерением CV-характеристик барьера электролит-полупроводник, а глубина p–nперехода в лавинной структуре путем пересчета CV-характеристик p–n-переходов. В результате использования двухстадийной диффузии цинка была получена конфигурация p–nперехода с заглубленной на 1,5 мкм центральной областью и мелкой периферией (охранным кольцом) на глубине 0,65 мкм. При этом напряжение пробоя фотодиода с охранным кольцом превышает на 3В напряжение пробоя фотодиода без охранного кольца, а уровень темновых токов у всех фотодиодов вплоть до пробоя не превышает 10 нА.

Издание: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск: №5 (2016)
Автор(ы): Андреев Дмитрий Сергеевич, Чинарева Инна Викторовна
Сохранить в закладках
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ КАРДИОРЕСПИРАТОРНОЙ СИСТЕМЫ КВАЛИФИЦИРОВАННЫХ БАСКЕТБОЛИСТОВ И ВОЛЕЙБОЛИСТОВ СПОРТИВНЫХ КОМАНД УНИВЕРСИТЕТОВ (2024)

Цель: выявить различия в особенностях деятельности кардиореспираторной системы квалифицированных баскетболистов и волейболистов в рамках сравнения параметров сердечного ритма и внешнего дыхания.

Материалы и методы. Исследование проходило свою реализацию в условиях ФГБОУ ВО «Поволжский университет физической культуры, спорта и туризма» г. Казань и ФГБОУ ВО «Хакасский государственный университет им. Н. Ф. Катанова» г. Абакана. Выборка испытуемых в количестве 23 человек состояла из квалифицированных спортсменов мужского пола, занимающихся баскетболом и волейболом в спортивных командах университетов. Для определения показателей внешнего дыхания применялись гипоксические пробы: Штанге и Генча, частота дыхательных актов (ЧД), жизненная емкость легких (ЖЕЛ). Для определения деятельности сердечно-сосудистой системы использовались информативные величины: артериальное давление, частота сердечных сокращений (ЧСС) в различных диапазонах, рассчитывался индекс Руффье (ИР) и функциональное состояние (УФС) по индексу Робинсона.

Результаты. Полученные информативные величины были обработаны с помощью методов математической статистики и подлежали полному анализу. На основании этого было определено, что деятельность кардиореспираторной системы у квалифицированных баскетболистов имеет более высокий уровень работоспособности в сравнении с показателями квалифицированных волейболистов с достоверностью различий p < 0,05.

Заключение. Различия в показателях деятельности кардиореспираторной системы следует отнести к более высокому уровню интенсивности тренировочных и соревновательных нагрузок, воздействующих на сердечно-сосудистую и дыхательную систему квалифицированных баскетболистов.

Издание: ЧЕЛОВЕК. СПОРТ. МЕДИЦИНА
Выпуск: Т. 24 № S2 (2024)
Автор(ы): Андреев Виктор Викторович, Мутаева Ильсияр Шафиковна, Коновалов Игорь Евгеньевич, Андреев Дмитрий Сергеевич
Сохранить в закладках