SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 398
  • Журналы 19
  • Организации 5
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги 1
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Седнев Михаил Васильевич

Автор
Город
Москва
Учёная степень
Кандидат наук
Должность (ВУЗ, НИИ)
Руководитель структурного подразделения
SciID
0000000236
SPIN-код
9866-5740
ОНП
гетероэпитаксиальные структуры, InGaAs, темновой ток, ГЭС, qwip-структура, матрица фоточувствительных элементов
Заходил
показать
ОНП
гетероэпитаксиальные структуры, InGaAs, темновой ток, ГЭС, qwip-структура, матрица фоточувствительных элементов
17
работы
4
библиотека
0
блог
0
конференции
0
группы
0
контакты
Работы Седнева М. В.: новые поступления
Вольт-амперные характеристики nBp-структур с поглощающим слоем In0,53Ga0,47As
Статья
Вольт-амперные характеристики nBp-структ…
Исследование фотодиодов с граничной длиной волны до 2,06 мкм на основе структур InGaAs
Статья
Исследование фотодиодов с граничной длин…
Применение вакуумных методов напыления при формировании топологии элементов микросхем
Статья
Применение вакуумных методов напыления п…
Матричные фотодиоды ультрафиолетового диапазона на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN, полученных молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксиями
Статья
Матричные фотодиоды ультрафиолетового ди…
Анализ механизмов темновых токов матриц ультрафиолетовых фотодиодов на основе гетероструктур AlGaN
Статья
Анализ механизмов темновых токов матриц …
Применение индия для формирования низкоомных микроконтактов к контактным слоям арсенида галлия гетероэпитаксиальных QWIP-структур
Статья
Применение индия для формирования низкоо…
 
Ещё ...
Библиотека Седнева М. В.: новые поступления
Вольт-амперные характеристики nBp-структур с поглощающим слоем In0,53Ga0,47As
Статья
Вольт-амперные характеристики nBp-структ…
Применение вакуумных методов напыления при формировании топологии элементов микросхем
Статья
Применение вакуумных методов напыления п…
Матричные фотодиоды ультрафиолетового диапазона на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN, полученных молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксиями
Статья
Матричные фотодиоды ультрафиолетового ди…
Антиотражающие покрытия фотоприемников на основе антимонида индия
Статья
Антиотражающие покрытия фотоприемников н…
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.