Статья: Исследование фотодиодных лавинных элементов матричных фотоприемных устройств на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs (2014)

Читать онлайн

Проведен анализ гетероэпитаксиальных структур тройных соединений A3B5 для построения матричных фотоприемных устройств, работающих в режиме лавинного усиления. Установлены оптимальные условия работы лавинных фотодиодов для достижения максимальных значений обнаружительной способности и вольтовой чувствительности. Рассчитаны наиболее критичные параметры фотодиодов, работающих в режиме лавинного усиления. Определен шум-фактор лавинного фотодиода при различных значениях скоростей ионизации электронов и дырок.

InGaAs heterostructures for ADP FPAs production have been investigated and analyzed. Basic functional principles of ADP photodiodes have been determined to achieve maximum value of detectivity and responsivity. Critical characteristic of ADP photodiode have been calculated. An additional noise component due to the randomness of the impact ionization events have been calculated according to local impact ionization theory.

Ключевые фразы: InGaAs, коротковолновый диапазон спектра, инфракрасный, гетероэпитаксиальные структуры, лавинный фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, фотоприемное устройство
Автор (ы): Яковлева Наталья Ивановна (YAkovleva N. I.), Болтарь Константин Олегович, Седнев Михаил Васильевич
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
eLIBRARY ID
22155199
Для цитирования:
ЯКОВЛЕВА Н. И., БОЛТАРЬ К., СЕДНЕВ М. В. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОДИОДНЫХ ЛАВИННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР INGAAS // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2014. ТОМ 2, №4
Текстовый фрагмент статьи