Представлены принципы аналитической системы физического проектирования лавинных гетерофотодиодов с разделенными областями поглощения и умножения (ЛГФД с РОПУ). Система базируется на аналитических выражениях для поля лавинного пробоя p─n-гетероструктуры и межзонного туннельного тока в ней. Этот ток определяет минимальный уровень шума в ЛГФД с РОПУ на основе прямозонных полупроводников. Рассмотренный метод сильно облегчает оптимизацию уровней легирования слоев гетероструктуры и их толщин. Кроме того, он придает процессу оптимизации существенно более выраженное физическое содержание.
The analytical approaches to physical design of avalanche heterophotodiodes with separate regions of absorption and multiplication (AHPD with SRAM) are presented. The approaches are based on the analytical expressions for the field of avalanche breakdown of heterostructure and interband tunnel current in it. This current defines the minimum level of noise in AHPD with SRAM on the basis of direct bandgap semiconductors. Considered method greatly facilitates the optimization of the level of doping of the heterostructure layers and their thicknesses. In addition, it gives the optimization process significantly more pronounced physical content.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 22155207
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.