Статья: Фотоэлектрические свойства гетероперехода (p)InSb-(n)CdTe (2014)

Читать онлайн

Разработана лазерная технология изготовления фотоприемника ближнего и среднего инфракрасного диапазона длин волн на основе гетероперехода (p)InSb-(n)CdTe. Приведены результаты исследований фотоэлектрических свойств гетероперехода. Реализованное значение обнаружительной способности на максимуме спектральной чувствительности составляет D* λ (4,8; 2000; 1) ≈ 1,8×1011 см·Гц½·Вт-1, что не уступает фотонным приемникам на основе p─n-переходов.

Laser technology of manufacturing of near and mid-infrared photodetector based on (p)InSb–(n)CdTe heterojunction was developed. The results of studies of heterojunction photovoltaic properties are presented. Realized value of detectability at the maximum of spectral sensitivity is Dλ * (4.8; 2000; 1) ≈ 1.8×1011 cm Hz1/2W-1, which does not yield the photon detectors based on p—n junctions.

Ключевые фразы: гетеропереход, лазерно-импульсное осаждение, инфракрасный фотоприемник, антимонид индия, теллурид кадмия, спектральная характеристика чувствительности
Автор (ы): Матевосян Ленрик Аршалуйсович (Matevosyan L. A.), Авджян Карапет Эдуардович, Петросян Степан Григорьевич, Маргарян Арцрун Варужанович
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.59. Проводники с особо высоким сопротивлением. Полупроводники
eLIBRARY ID
22155212
Для цитирования:
МАТЕВОСЯН Л. А., АВДЖЯН К. Э., ПЕТРОСЯН С. Г., МАРГАРЯН А. В. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДА (P)INSB-(N)CDTE // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2014. ТОМ 2, №4
Текстовый фрагмент статьи