The second, updated edition of this essential reference book provides a wealth of detail on a wide range of electronic and photonic materials, starting from fundamentals and building up to advanced topics and applications. Its extensive coverage, with clear illustrations and applications, carefully selected chapter sequencing and logical flow, makes it very different from other electronic materials handbooks. It has been written by professionals in the field and instructors who teach the subject at a university or in corporate laboratories. The Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, second edition, includes practical applications used as examples, details of experimental techniques, useful tables that summarize equations, and, most importantly, properties of various materials, as well as an extensive glossary. Along with significant updates to the content and the references, the second edition includes a number of new chapters such as those covering novel materials and selected applications. This handbook is a valuable resource for graduate students, researchers and practicing professionals working in the area of electronic, optoelectronic and photonic materials.
Приведены основные физические характеристики веществ, наиболее часто используемых в практике научных исследований и в технике. Представлены следующие разделы: механика, термодинамика, кинетические явления, электричество и магнетизм, оптика и лазеры, ядерная физика, астрономия и геофизика. Все величины приведены в СИ. Таблицы и графики сопровождаются краткими пояснениями и определениями соответствующих величин.
Для научных работников и инженеров различных специальностей.
Настоящая книга посвящена обстоятельному описанию нового класса полупроводниковых материалов - соединениям типа A3B5, получившим в последние годы широкое практическое применение в полупроводниковой электронике и (в самое последнее время) в лазерной технике.
В книге систематически описаны результаты основных исследований важнейших свойств этих соединений (кристаллохимия, энергетическая зонная структура, электрические и оптические свойства, роль примесей и т. д.), включая самый последний период. Книга содержит обширную библиографию.
Книга рассчитана на физиков, химиков и инженеров, занимающихся изучением свойств полупроводниковых материалов и их применением в полупроводниковых приборах и лазерах. Она может также служить дополнительным пособием для преподавателей и студентов физико-технических вузов по курсу физики полупроводников.
The main purpose of this book is to provide a comprehensive treatment of the materials aspects of group-IV, III−V and II−VI semiconductor alloys used in various electronic and optoelectronic devices. The topics covered in this book include the structural, thermal, mechanical, lattice vibronic, electronic, optical and carrier transport properties of such semiconductor alloys. The book reviews not only commonly known alloys (SiGe, AlGaAs, GaInPAs, and ZnCdTe) but also new alloys, such as dilute-carbon alloys (CSiGe, CSiSn, etc.), III−N alloys, dilute-nitride alloys (GaNAs and GaInNAs) and Mg- or Be-based II−VI semiconductor alloys. Finally there is an extensive bibliography included for those who wish to find additional information as well as tabulated values and graphical information on the properties of semiconductor alloys.
Doped by isovalent or heterovalent foreign impurities (F), II-VI semiconductor compounds enable control of optical and electronic properties, making them ideal in detectors, solar cells, and other precise device applications. For the reproducible manufacturing of the doped materials with predicted and desired properties, manufacturing technologists
This new book covers all known information about phase relations in ternary systems based on III-V semiconductors. It will be of interest to students studying materials science, solid state chemistry, and engineering, in addition to researchers, chemists, and physicists.
Mercury telluride is a semimetal while cadmium telluride is a semiconductor. Both types of behaviour occur in the complete range of solid solutions which exist when the two are combined. References [1-5] give background information on these materials. The solid solutions are usually referred to as CMT (in the UK) and MCT or mer. cad. tel. (in the USA). As x in Cd(x)Hg(l-x)Te varies from 0 to 1, the energy gap varies continuously from about -0.3 to 1.6 eV. This creates the possibility of making both photo-conductive and photo-voltaic (p-n junction) devices with peak sensitivities over a large wavelength range. The high electron mobilities available for low x values make these devices particularly sensitive in the infra-red and photo-detectors for the 3 to 5 and 8 to 14 micron bands are currently the major product in terms of commercial value. For discussion of these devices see references [1,2,5 and 7]. However, solar cells based on CdTe have useful efficiencies and significant amounts of CdTe are also used in detectors of nuclear radiation and for the fabrication of optical components (Chapter 4 of [3] gives background data on these uses). Thus much of the range of solid solutions is of interest and CMT could become of major commercial importance, if the problems of materials preparation can be solved. The techniques currently being used are described in references [1,2,4,6, and 7]. Gertner [7] suggests that the current state of the art is about a decade behind the technology used for III-V compounds.
Mercury cadmium telluride (MCT) is the third most well-regarded semiconductor after silicon and gallium arsenide and is the material of choice for use in infrared sensing and imaging. The reason for this is that MCT can be ‘tuned’ to the desired IR wavelength by varying the cadmium concentration. Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications provides both an introduction for newcomers, and a comprehensive review of this fascinating material. Part One discusses the history and current status of both bulk and epitaxial growth techniques, Part Two is concerned with the wide range of properties of MCT, and Part Three covers the various device types that have been developed using MCT. Each chapter opens with some historical background and theory before presenting current research. Coverage includes: Bulk growth and properties of MCT and CdZnTe for MCT epitaxial growth Liquid phase epitaxy (LPE) growth Metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) Molecular beam epitaxy (MBE) Alternative substrates Mechanical, thermal and optical properties of MCT Defects, diffusion, doping and annealing Dry device processing Photoconductive and photovoltaic detectors Avalanche photodiode detectors Room-temperature IR detectors
Впервые в отечественной литературе представлены наиболее актуальные в научном и практическом отношениях аспекты физики соединений AIIBVI. Основное внимание уделено наиболее важным физическим свойствам этих веществ, например, экситонам, фононам, дислокациям, точечным дефектам, нелинейным оптическим и другим свойствам, составляющим основу современных наиболее важных технических применений полупроводников.
Для научных работников, инженеров, аспирантов, а также студентов старших курсов, специализирующихся в области физики твердого тела, полупроводников, полупроводниковой техники, оптоэлектроники, лазерной техники и акустоэлектроники.
Книга представляет собой коллективную монографию крупных зарубежных специалистов по физике полупроводников, посвященную оптическим свойствам полупроводниковых соединений элементов III и V групп периодической системы (AIIIBV).
Такие соединения (InSb, GaAs, InP, BP и т. д.) в последние годы находят все более широкое применение как материалы для полупроводниковых приборов в электронике и лазерной технике. В книге излагаются результаты последних экспериментальных п теоретических исследовании оптических свойств подобных полупроводников и приводится довольно полная библиография. Кроме того, в книгу включены весьма полезные справочный таблицы оптических постоянных основных полупроводниковых соединений типа AIIIBV.
Книга рассчитана па широкий круг физиков и инженеров, работающих в области исследования полупроводников и применения их в науке и технике.