состояние дел по ОКР Лучезар на 27.11

Письмо с исправленным ТЗ от Департамента металлургии и материалов МПТ

изменения после совещания в Сириусе
Цель выполнения ОКР: разработка технологий гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов AlGaInP, AlGaAs, InGaN и организация их опытно-промышленного производства для высокоэффективных кристаллов светодиодов, не уступающих по своим световым и электрофизическим характеристикам мировым аналогам.
Сводный перечень замечаний «Лучезар»

МСК “БЛ Групп”

ТЗ 2008 года на разраотку гетероструктур для индикаторов зеленого и красного спектра

Письмо поодержки “Опттрон”, Лассард, Инжект, Протон, Орбита

Письмо поддержки

О потребности в эпитаксиальных структурах

Согласовано АО “Арсенал”КрЗПП
Разработка технологий изготовления высокоэффективных светодиодных гетероэпитаксиальных структур видимого и ИК-диапазонов с целью обеспечения современных требований к спектральным, электрическим и световым характеристикам