Статья: СТРУКТУРНЫЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ N-GAAS--P-(ZNSE)1-X-Y(GE2)X(GAAS1-δBIδ)Y C РАЗЛИЧНЫМИ НАНОВКЛЮЧЕНИЯМИ (2026)

Читать онлайн

Представлены результаты экспериментальных исследований структурных и фотоэлектрических свойств полученной методом жидкофазной эпитаксии гетероструктуры n-GaAs–p-(ZnSe)1-x-y(Ge2)x(GaAs1-δBiδ)y с различными нановключениями. На основе рентгеновского микрозондового и структурного анализа определен профиль распределения компонентов ZnSe, Ge2 и GaAs1-δBiδ в эпитаксиальном слое с постепенным изменением состава по глубине. Установлено формирование нанокристаллов Ge2 и GaAs1-δBiδ, обусловливающих уникальные фотоэлектрические свойства исследуемой гетероструктуры. Определены механизмы переноса заряда в зависимости от направления тока, выявлен критерий преобладания дрейфового механизма переноса заряда над диффузионным. Фоточувствительность изучаемой гетероструктуры характеризуется тремя основными пиками при энергии фотонов 1,61; 1,97; 2,63 эВ. Результаты анализа спектров показали, что средний пик с максимальной интенсивностью имеет сложную структуру, что позволило идентифицировать дополнительный четвертый пик в энергетическом диапазоне 2,1…2,3 эВ. Установленные пики соответствуют энергетическим спектрам нанокристаллов германия, образованных на границах субкристаллитов пленки, и Ge2 и GaAs1-δBiδ, сформированным в приповерхностной области эпитаксиального слоя

Ключевые фразы: спектральная фоточувствительность, примесь, твердый раствор, атомное соединение, Гетероструктуры, нанокристалл
Автор (ы): Зайнабидинов Сиражиддин Зайнабидинович (Zaynabidinov S. Z.), Бобоев Акрамжон Йулдашбоевич (Boboev A. Y.), Солиев Икболжон Махаммаджонович (Soliev I. M.), Юнусалиев Нуритдин Юнусали угли (YUnusaliev N. Y.)
Журнал: ВЕСТНИК МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМ. Н. Э. БАУМАНА. СЕРИЯ ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
538.91. Структуры, включая переходы
Для цитирования:
ЗАЙНАБИДИНОВ С. З., БОБОЕВ А. Й., СОЛИЕВ И. М., ЮНУСАЛИЕВ Н. Ю. СТРУКТУРНЫЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ N-GAAS--P-(ZNSE)1-X-Y(GE2)X(GAAS1-ΔBIΔ)Y C РАЗЛИЧНЫМИ НАНОВКЛЮЧЕНИЯМИ // ВЕСТНИК МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМ. Н. Э. БАУМАНА. СЕРИЯ ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ. 2026. № 2 (125)
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.