1. Блохин С.А., Сахаров А.В., Надточий А.М. и др. Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs. Физика и техника полупроводников, 2009, т. 43, № 4, с. 537-542. EDN: RCPXNT
2. Андреев В.М., Хвостиков В.П., Ларионов В.Р. и др. Высокоэффективные концентраторные (2500 солнц) AlGaAs/GaAs-солнечные элементы. Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, № 9, с. 1070-1072. EDN: RGPOBL
3. Henry C.H. Limiting efficiencies of ideal single and multiple energy gap terrestrial solar cells. J. Appl. Phys., 1980, vol. 51, no. 8, art. 4494. DOI: 10.1063/1.328272 EDN: NSFKAD
4. King R.R., Law D.C., Edmondson K.M., et al. Metamorphic concentrator solar cells with over 40 % conversion efficiency. Proc. ICSC-4, 2007, pp. 5-8.
5. Yamaguchi M., Dimroth F., Geisz J.F., et al. Multi-junction solar cells paving the way for super high-efficiency. J. Appl. Phys., 2021, vol. 129, art. 240901. DOI: 10.1063/5.0048653 EDN: TOJJIJ
6. Lin G., Bi J., Song M., et al. III-V Multi-junction solar cells. In: Optoelectronics. Advanced Materials and Devices. IntechOpen, 2013, pp. 446-450. DOI: 10.5772/50965
7. Lu K. Comparison and evaluation of different types of solar cells. Appl. Comput. Eng., 2023, vol. 23, pp. 263-270. DOI: 10.54254/2755-2721/23/20230664
8. Anup B., Bishweshwar P., Gunendra P.O., et al. Novel materials in perovskite solar cells: efficiency, stability, and future perspectives. Nanomaterials, 2023, vol. 13, iss. 11, art. 1724. DOI: 10.3390/nano13111724 EDN: LGTNTX
9. Крылов П.Н., Закирова Р.М., Кобзиев В.Ф. и др. Структура и оптические свойства слоистых нанокомпозитов ZnSe/SiO2. ЖТФ, 2016, т. 86, № 7, c. 69-73. EDN: XAXMUV
10. Medvid A., Onufrijevs P., Jarimaviciute-Gudaitiene R., et al. Formation mechanisms of nano and microcones by laser radiation on surfaces of Si, Ge, and SiGe crystals. Nanoscale Res. Lett., 2013, vol. 8, no. 1, art. 264. DOI: 10.1186/1556-276X-8-264 EDN: RMRGLB
11. Зайнабидинов С.З., Утамурадова Ш.Б., Бобоев А.Й. Структурные особенности твердого раcтвора (ZnSe)1-x-y(Ge2)x(GaAs1-δBiδ)y c различными нановключениями. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2022, № 12, с. 48-52. DOI: 10.31857/S1028096022120342
12. Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Усмонов Ш.Н. и др. Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x. Письма в ЖТФ, 2020, т. 46, № 22, c. 23-28. DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50303.18257 EDN: YEIWFQ
13. Мирсагатов Ш.А., Лейдерман А.Ю., Атабоев О.К. Механизм переноса заряда в инжекционных фотодиодах на основе структуры In-n+CdS-nCdSxTe1-x-pZnxCd1-xTe-Mo. Физика твердого тела, 2013, т. 55, № 8, с. 1524-1535. EDN: RCSXEZ
14. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М., Сов. радио, 1978.
15. Зайнабидинов С., Саидов А., Бобоев А. и др. Особенности свойств поверхности твердого раствора полупроводника (GaAs)1-x-у(Ge2)x(ZnSe)y с квантовыми точками ZnSe. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2021, т. 15, № 1, с. 107-112. DOI: 10.31857/S1028096021010167
16. Alfimova D.L., Lunin L.S., Lunina M.L. Growth and properties of GayIn1-yPzAs1-x-zBix solid solutions on GaP substrates. Inorg. Mater., 2014, vol. 50, no. 2, pp. 113-119. DOI: 10.1134/S0020168514020010 EDN: SKMDFL
17. Priyanka V, Balbir S.P., Nagesh T. Synthesis and investigation of topological behaviour and structural modification in Se-Te-Ge-Bi nanostructured alloys. Appl. Surf. Sci. Adv., 2022, vol. 8, art. 100220. DOI: 10.1016/j.apsadv.2022.100220
18. Зайнабидинов С.З., Саидов А.С., Бобоев А.Й. и др. Структура, морфология и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)х. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки, 2022, № 1 (100), с. 72-87. DOI: 10.18698/1812-3368-2022-1-72-87 EDN: WNZYQP
19. Saidov A.S., Usmonov Sh.N., Amonov K.A., et al. Photothermovoltaic effect in p-Si-n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y structure. Appl. Sol. Energy, 2019, vol. 55, no. 5, pp. 265-268. DOI: 10.3103/S0003701X19050116 EDN: XCDDWX
20. Yu L., Li D., Zhao S., et al. First principles study on electronic structure and optical properties of ternary GaAs:Bi alloy. Materials, 2012, vol. 5, no. 12, pp. 2486-2497. DOI: 10.3390/ma5122486
21. Li D.C., Yang M., Zhao S.Z., et al. First principles study of Bismuth alloying effects in GaAs saturable absorber. Opt. Express, 2012, vol. 20, iss. 10, pp. 11574-11580. DOI: 10.1364/OE.20.011574
22. Володин В.А., Горохов Е.Б., Ефремов М.Д. и др. Фотолюминесценция структур с нанокристаллами германия, сформированных в матрице арсенида галлия. Письма в ЖЭТФ, 2003, т. 77, № 8, с. 485-488.
23. Супрун С.П., Шерстякова В.Н., Федосенко Е.В. Эпитаксия ZnSe на GaAs при использовании в качестве источника соединения ZnSe. Физика и техника полупроводников, 2009, т. 43, с. 1570-1575. EDN: RCQAHH
24. Zainabidinov S.Z., Boboev A.Y., Karimov I.N., et al. Structure and electrophysical properties of a solid solution (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y. Sci. Bull. Phys. Math. Res., 2022, vol. 4, no. 1, pp. 15-21.