Представлены результаты экспериментальных исследований структурных и фотоэлектрических свойств полученной методом жидкофазной эпитаксии гетероструктуры n-GaAs–p-(ZnSe)1-x-y(Ge2)x(GaAs1-δBiδ)y с различными нановключениями. На основе рентгеновского микрозондового и структурного анализа определен профиль распределения компонентов ZnSe, Ge2 и GaAs1-δBiδ в эпитаксиальном слое с постепенным изменением состава по глубине. Установлено формирование нанокристаллов Ge2 и GaAs1-δBiδ, обусловливающих уникальные фотоэлектрические свойства исследуемой гетероструктуры. Определены механизмы переноса заряда в зависимости от направления тока, выявлен критерий преобладания дрейфового механизма переноса заряда над диффузионным. Фоточувствительность изучаемой гетероструктуры характеризуется тремя основными пиками при энергии фотонов 1,61; 1,97; 2,63 эВ. Результаты анализа спектров показали, что средний пик с максимальной интенсивностью имеет сложную структуру, что позволило идентифицировать дополнительный четвертый пик в энергетическом диапазоне 2,1…2,3 эВ. Установленные пики соответствуют энергетическим спектрам нанокристаллов германия, образованных на границах субкристаллитов пленки, и Ge2 и GaAs1-δBiδ, сформированным в приповерхностной области эпитаксиального слоя