Статья: Расчет фотоэлектрических характеристик фотодиодных матричных фотоприемных устройств спектрального диапазона 2,0—3,5 мкм на основе арсенида индия (2011)

Читать онлайн

Проведен расчет температурных зависимостей темнового и фонового токов p+-n-пере-ходов с размерами 20x20 мкм, обнаружительной способности в максимуме спектральной чувствительности d*λ max, а также пороговой мощности P и времени накопления предполагаемого МФПУ формата 640x512 элементов. Показано, что улучшение пороговых параметров при температурах кристалла Т ≤ 100 К возможно за счет снижения фонового тока, а при Т > 100 К — за счет снижения темнового тока p+-n-переходов.

Calculation of photoelectric characteristics of the 2.0—3.5 μm FPA on basis of the InAs photodiodes has been made. The hypothetical FPA has the 640x512format and 20x20 pm elements.

Ключевые фразы: расчет, матричное фотоприемное устройство, формат, обнаружительная способность, пороговая мощность
Автор (ы): Артамонов Антон Вячеславович (Artamonov A. V.), Астахов Владимир Петрович, Карпов Владимир Владимирович, Чишко Владимир Федорович, Левшин Владимир Львович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.3.049. Конструирование электрических цепей
Для цитирования:
АРТАМОНОВ А. В., АСТАХОВ В. П., КАРПОВ В. В., ЧИШКО В. Ф., ЛЕВШИН В. Л. РАСЧЕТ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОДИОДНЫХ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 2,0—3,5 МКМ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2011. №6
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.