Статья: О механизме сокращения микродефектов при диффузии фосфора (2011)

Читать онлайн

Представлено уточнение механизма процесса сокращения микродефектов в кремнии геттерированием микродефектов диффузионным слоем фосфора.

The paper devotes to mechanism of decreasing the microdefects in silicon by gettering a diffusion layer of phosphorus.

Ключевые фразы: ДЕФЕКТ, кремний, геттерирование, фосфор, диффузия
Автор (ы): Климанов Евгений Алексеевич (Klimanov E. A.)
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
Для цитирования:
КЛИМАНОВ Е. А. О МЕХАНИЗМЕ СОКРАЩЕНИЯ МИКРОДЕФЕКТОВ ПРИ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2011. №6
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.