ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X

· Языки: ru / en

Статья: ПРЕДЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НОВЫХ СМОТРЯЩИХ ГИБРИДНЫХ ИК-МАТРИЦ НА ОСНОВЕ HgCdTe (1999)

Читать

Читать онлайн

Рассмотрена физика работы новой смотрящей ИК гибридной матрицы на основе HgCdTe р-n-переходов. Проанализированы предельные пороговые характеристики таких матриц на спектральные диапазоны 3 - 5 и 8 - 14 мкм. Архитектура рассматриваемых матриц намного проще чем у существующих: накопительные емкости занимают всю площадь под фоточувствительной ячейкой, а в качестве элементов коммутации используются сами фоточувствительные р-n-переходы. Накопительные емкости могут быть изготовлены на основе диэлектриков с относительно высокой диэлектрической проницаемостью (типа TiO2 и интегрированных сегнетоэлектриков). В отличие от фото-ПЗС и -ПЗИ, в рассматриваемой матрице не используется перенос заряда между пространственно разнесенными электродами. Определены параметры фоточувствительных и накопительных элементов, при которых реализуются наибольшие времена накопления и пороговые характеристики, близкие к теоретическому пределу. Показано, что в принципе рассматриваемая матрица обладает уникальными параметрами и в ней могут быть подавлены шумы усилителя типа 1/f. Так, матрицы, площадь фоточувствительного р-n-перехода которых составляет 20х20 мкм2, могут работать в BLIP-режиме и иметь время накопления фотосигнала и формат, равные постоянной времени человеческого глаза и 1024х1024 элементов для диапазона 3 - 5 мкм и, соответственно, 300 мкс и 256х256 элементов для диапазона 8–10 мкм при температуре фона 300 К.

We theoretically study physical processes in new promising hybrid IR FPAs based on HgCdTe p-n junctions and analyze them ultimate perfomance for 3 - 5 microns and 8 - 10 microns spectral ranges. Arhitecture of these FPAs are much simpler than that of existing FPAs: IR-sensitive HgCdTe p-n junctions are used as switches themselves, and capacitors used as storage elements occupy all the area under each p-n junction. These capacitors can be produced on the base of dielectrics with relatively high permittivity (of TiO2 type or integrated ferroelectrics). In contrast to CCD and CID, the proposed FPA does not use change transfer between electrodes separated in spase. We formulate requirements to the parameters of photosensitive elements and storage capacitors to reach the largest intergration time and threshold characteristics close to the theoretical limit. It is shown that in priciple the considered FPAs have unique parameters and 1/f noise of amplifiers can be suppressed in them. FPA for 3 - 5 microns spectral range with p-n junction of 20 X 20 micronsя2 area can operate in BLIP mode at background temperature 300K; its photosignal intergration time equal to the persistence of human eye and format can reach 1024 • 1024 pixels. For 8 - 10 microns range these parameters are 300 microns and 256 • 256 pixels, respectively, when TiO2 storage capacitors are used.

Ключевые фразы: инфракрасная техника, смотрящие матрицы, фотодетекторы

Автор (ы): Осипов В. В. (Osipov V. V.), Пономаренко Владимир Павлович, Селяков Андрей Юрьевич

Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 546. Неорганическая химия
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы

Для цитирования:

ОСИПОВ В. В., ПОНОМАРЕНКО В., СЕЛЯКОВ А. Ю. ПРЕДЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НОВЫХ СМОТРЯЩИХ ГИБРИДНЫХ ИК-МАТРИЦ НА ОСНОВЕ HGCDTE // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 1999. №2

Текстовый фрагмент статьи

Моя история просмотров (10)

01. Статья: ВОССТАНОВЛЕНИЕ И ОБРЕТЕНИЕ БОГАТЫРСКОЙ СИЛЫ В ЭПИЧЕСКИХ ПОВЕСТВОВАНИЯХ ХАКАСОВ

02. Статья: ИСПАНСКИЙ СОЦИУМ: СТАБИЛЬНАЯ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ

03. Статья: ТОРГОВО-ЭКОНОМИЧЕСКИЕ И НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ СВЯЗИ США И СССР В ГОДЫ РАЗРЯДКИ (ОБЗОР РОССИЙСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ 1972-2022 ГГ.)

04. Статья: СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПОСТДИПЛОМНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНЫХ МЕНЕДЖЕРОВ СИСТЕМЫ ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН

05. Статья: ПЛАЗМОХИМИЧЕСКАЯ МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ

06. Статья: Развитие цифрового менеджмента

07. Статья: КОГНИТИВНО-СТИЛИСТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИЗУЧЕНИЯ АЛЛЮЗИВНЫХ АНТРОПОНИМОВ (НА МАТЕРИАЛЕ РОМАНА Д. ТАРТТ "ТАЙНАЯ ИСТОРИЯ")

08. Статья: Хомяков в истории русской мысли

09. Статья: АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР МЕТОДОВ И ТЕХНИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ ПО СНИЖЕНИЮ НЕГАТИВНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ ОТХОДОВ ПРИ РАЗРАБОТКЕ НЕФТЕГАЗОВЫХ МЕСТОРОЖДЕНИЙ

10. Книга: Инерция страха. Социализм и тоталитаризм.

Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.

Создать тему для обсуждения

Список литературы

1. Khry a pov V. T., Ponomarenko V. P., Butkevich V. Y., Taubkin l. I., Stafe- ev V. I., Popov S. A., Osipov V. V. Optical Sensors. // Optical Engineering. 1992. No 31(4), P. 678-684.
2. Kozlowski L. J., Bailey R. B., Cabelly S. A., Copper D. E., Gergis I. S., Annie Chi-Yi Chen, McLevige W. U., Bostrup G. L., Vural K., Ten nat P. E., Ho- ward P. E. High-Performance 5 μm 640 x 480 HgCdTe-on Saphire Focal Plane Arrays//Ibid. 1994. Ne 33(1), P. 54-63.
3. De Wames R. E., Arias J. M., Kozlowski L. J., Williams G. M. An Assessment of HgCdTe and GaAs/AIGAAIAS Technologies for LWIR Infrared Imagers//PROC. SPIE., Infrared Detectors State of the Art. 1992. No 1735, P. 2-16.
4. Arias J. M., Pasko J. G., Zandian M., Kozlowski L.J., De Wames R. E. Molecu- lar Beam Epitaxy HgCdTe Infrared Photovoltaic Detectors//Optical Engineering. 1994. Ne 33(5). P. 1422-1428.
5. Kanno T., Wada H., Nagashima M., Wakayama H., A wa moto K., Kajihara N., Ito Y., Nakamura M. A 256 x 256 Element HgCdTe Hybrid IR FPA for 8-10 μm Band//PROC. SPIE. 1995. No 2552, P. 384-391.
6. Fowler A. M., Gatley I., Vrba F. J., Abies H. D., Hoffman A., Wolaway J. Next Generation in InSb Arrays: ALADDIN the 1024 x 1024 InSb Focal Plane Array Development Project Status Report//Ibid, 1995. No 2198, P. 623-629.
7. Guna pala S. D., Park Jin S., Sarusi G., Lin T.-L., Liu J. K., Maker P. D., Muller R. E., Shott C. A., Hoelter T. 15-μm 128 x 128 GaAs/Al,Ga1-xAs quantum well infrared photodetector focal plane array camera//IEEE transaction on electron devices. 1997. No 44(1), P. 45-50.
8. Gunapala S. D., Liu J. K., Park J. S., Sundram M., Shott C. A., Hoelter T., Lin T.-L., Massie S. T., Maker P. D., Muller R. E., Sarusi G. 9-μm cut off 256 x x256 GaAs/AlxGa1-xAs quantum well infrared photodetector hand held camera//IEEE transaction on electron devices. 1997. No 44(1), P. 51-57.
9. Akiyama A., Sasaki T. 1024 x 1024 Infrared Charge Sweep Device Imager with PtSi Shottky- barrier Detectors//Optical Engineering. 1994. No 33(1), P. 64-70.
10. Tsaur B. Y., Chen C. K., Marino S. A. Long Wavelength Ge, Si/Si Heterojunction Infra- red Detectors and Focal Plane Arrays//PROC. SPIE. 1991. No 1540. P. 580-595.
11. Butler N., Blackwell R., Murphy R., Silva R., Marshall C. Low Cost Un-
cooled Microbolometer Imaging System for Dual Use//Ibid. 1995. No 583-591.
12. People R., Bean J. C., Bathe a C. G., Sputz S. K., Peticolas L. J. Broad Band (8-10) μm Normal Incidence Pseudomorphic GexS1-x/Si Strained Layer Infrared Photodetector Operating Between 20 and 70 K//Appl. phys. lett. 1992. No 61(9), P. 1122-1124.
13. Park J. S., Karuna siri R. P. S., Mill Y. J., Wang K. L. Hole Intersubband Absorption in S-doped Multiple Si Layers//Ibid. 1991. No 58(10). P. 1083-1085.
14. Vaghjiani H. L., Jonson E. A., Kane M. J., Grey R., Philips C. C. GaAs Asym- metrically Doped n-i-p-i Superlattices for 10 μm Infrared Subband Detector and Modulator Applications.// J. Appl. Phys. 1994. No 76(7). P. 4407-4412.
15. Chishko V. F., Khry a pov V. T., Kasatkin I. L., Osipov V. V., Smolin O. V. High-Sensitivity Photoresistors Based on Homogeneous Pb1-xSnxTe In Epitaxial Films//Infrared Physics. 1992. No 33. P. 197-201.
16. Rogalski A. New Trends in Semiconductor Infrared Detectors//Optical Engineering. 1994. No 33(5), P. 1395-1412.
17. Kanno T., Saga M., Kajihara N., Awamoto K., Sudo G., Ito Y., Ishizaki H. Development of LPE Grown HgCdTe 64 x 64 FPA with a Cutoff Wavelength of 10.6 μm.//PROC. SPIE., Infrared Technology XIX. 1993. No 2020. P. 49-56.
18. Wang S. C. H., Du doff G., Jost S., Roussis J., Voelker J., Winn M., Wyman T. High Performance Longwave Infrared Scanning Focal Plane Arrays for Surveillance Applica- tions.//Ibid, 1994. No 2225. P. 335-349.
9. A jisava A., Od a N. Improvement in HgCdTe Diode Characteristics by Low Temperature Post plantation Annealing//Journal of Electronic Materials. 1995. No 24(9). P. 1105-1111.
Im-
20. Bou chut Ph., Guillot S., Porn in J. L., Ramband Ph., Gottu D. HgCdTe Pho- tovoltaic Linear Array for The Cassini Infrared Spectrometer//PROC. SPIE 1994. No 2225. P. 360-368. 21. Levine B. F. Quantinum-Well Infrared Photodetectors//J. Appl. Phys. 1993. Ne 74. RI - R81.
22. Rogalsky A. GaAs/AlGaAs Quantinum Well Photoconductors Versus HgCdTe Photodiodes for Long Wavelength Infrared Application.//PROC. SPIE. 1994. No 2225. P. 118-129.
23. Edited by Howes M. J., Morgan D. V. Charge-Coupled Device and Systems. John Willey and Sons. Chichester, New York, Brisbane, Toronto, 1979.
24. Sequin C. H., Tompsett M. F. Charge Transfer Devices. Academic Press INC. New York, San Francisco, London, 1975.
25. Chao Wen Wu, Hao-Hsiung Lin. Two Dimensional Simulation on The Electric Field Spike of Indium Antimonide Charge Injection Devices//Solid State Electronics. 1990. No 33(9). P. 1169- 1178.
26. Wadsworth M. V., Borrello S. R., Dodge J., Gooch R., McCardel W., Nado G., Shilhanek M. D. Monolithic CCD Imagers in HgCdTe//IEEE transaction on electron de- vices. 1995. No 42(2). P. 244-250.
27. Chen M. C., Colombo L. Minority Carrier Lifetime in Indium Doped n-type H90,78Cdo,22Te Li- quid-Phase Epitaxial Films//J. Appl. Phys. 1992. No 72(10). P. 4761-4766.
28. Wijewarnasuriya P. S., Lange M. D., Sivananthan S., Fauril J. D. Carrier Re- combination in Indium Doped HgCdTe (211) B Epitaxial Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy.//Ibid. 1994. No 75(2). P. 1005-1009.
29. A be Y., Fukida T. TiO2 Thin Films Formed by Electron Cyclotron Resonance Plasma Oxidation at High Themperature and Their Application to Capacitor Dielectrics//Ipn. J. Appl. Phys. 1994. No 33 (9A). Part 2. L1248-L1250.
30. Vorotilov K. A., Orlova E. V., Petrovsky V. I. Sol-Gel Ti02 Films on Silicon Sub- strates//Thin Solid Films. 1992. Ne 207. P. 180-184.
31. Морозов В. А., Осипов В. В., Сел яков А. Ю., Тау бкин И. И. Интегральный матричный приемник нового типа на основе InSb//Микроэлектроника. 1996. Т. 25. No 3. С. 163-175.
32. Chao-Wen Wu, Wen Jack Wu, Hao-Hsiung Lin, Jing Hwa Lin, Kou-Chen Liu, Tai-Ping Sun, Yen-Ming Pann, Sheng-Jenn Yan g. A Novel CID Emulator for InSb Array//PROC. SPIE. 1992. No 1685. С. 334-344.
33. Edited by Jespers P. S., Van de Wiele F., White M. H. Solid State Imaging. Noordhoff International Publishing, Leyden, 1976.
34. Bhan R. K., Gopal V. Analysis of Surface Leakage Current Due to Zener Tunneling in HgCdTe Photovoltaic Diodes//Semiconductor Science Technology. 1994. No 9. С. 289-297.
35. A dar R., Nemirovsky Y., Kidron l. Bulk Tunneling Contribution to the Reverse Breakdown Charasteristics of The InSb Gate Controlled Diodes//Solid State Electronics. 1987. No 30. Р. 1289-1293.
36. Пасеков В. Ф. Экспериментальное подтверждение модели туннельных избыточных токов в р-п-переходах на антимониде индия// Физика и техника полупроводников, 1989. Т. 23. Вып. 3. С. 559-562.
37. Кернер Б. С., Осипов В. В., Смолин О. В., Суханов А. Н., Таубкин И. И. О механизме избыточных токов в р-п-переходах// Там же, 1986. Т. 20. Вып. 9. С. 1739-1742.
38. Кернер Б. С., Селяков А. Ю., Суханов А. Н. Теория локальной туннельной генера- ции носителей в р-л переходах на основе узкозонных полупроводников// Там же, 1990. Т. 24. Вып. 8. C. 1455-1461.
39. Астахов В. П., Дудкин В. Ф., Кернер Б. С., Осипов В. В., Смолин О. В., Таубкин И. И. Механизмы взрывного шума р-п-переходов// Микроэлектроника, 1989. Т. 18. No 5. С. 455-463.
40. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices. A Wiley-Interscience Publication. John Wiley & Sons. New York, Chichester. - Brisbane, Toronto, Singapore, 1981.
41. Edited by Keyes R. J. Optical and Infrared Detectors. Springer-Verlag. Berlin, Heidelberg, New York, 1980.
42. D ostal J. Operational Amplifiers. Elsevier Scientific Publishing Company, Amsterdam, Oxford, New York, 1981.
43. Sukhanov A. N., Osipov V. V., Mamedov I. M. Influence of low-frequency 1/f noise on threshold characteristics of photodetectors with charge accumulation// Infrared Phys. 1992. No 33(6). Р. 451-457.
44. Vorotilov K. A., Yanovskaya M. I., Solovjeva L. I., Valeev A. S., Petrovsky V. I., Vasiljev V. A., Ob vi n zeva I. E. Ferroelectric Capasitors for Integrated Circuits// Microelectronic Engineering, 1995. No 29. Р. 41-44.
45. Neville R. C., Hoeneisen B., Mead C. A. Permittivity of strontium titanate// J. Appl. Phys. 1972. No 43(5). Р. 2124-2131.

Выпуск

№2 (1999)

Кол-во страниц: 157 страниц

Другие статьи выпуска

ПРИМЕНЕНИЕ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗОБРАЖЕНИЯ В ТЕХНИКЕ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ (1999)

Авторы: Волков В. Г., Кощавцев Н. Ф., Лелейкин В. И., Чапнин В. А.

Дано описание принципа действия твердотельного преобразователя изображения (ТПИ), а также прибора ночного видения на основе этого преобразователя. Предложены схема прибора и его принцип действия, характеристики и результаты экспериментов. Показаны перспективы повышения чувствительности твердотельных преобразователей изображения на базе структуры МДП–жидкий кристалл.

Сохранить в закладках

АКТИВНО-ИМПУЛЬСНЫЙ ПЕРЕНОСНОЙ ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИБОР НАБЛЮДЕНИЯ С ДИСТАНЦИОННОЙ ПЕРЕДАЧЕЙ ИЗОБРАЖЕНИЯ (1999)

Авторы: Волков В. Г., Кощавцев Н. Ф., Лелейкин В. И., Плешков А. А.

Дано описание активно-импульсного телевизионного (ТВ) переносного прибора наблюдения, обеспечивающего дистанционную передачу изображения с помощью малогабаритного радиопередатчика на дальность до 200 м. Прибор обеспечивает дальность опознавания автомашины до 2000 м при точности измерения дальности ±10 м.

Сохранить в закладках

СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ТЕХНИКИ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ (1999)

Авторы: Кощавцев Н. Ф., Федотова С. Ф.

Кратко изложено современное состояние развития приборов ночного видения и тепловизионных приборов, показаны пути и концепции дальнейшего развития этих видов техники, перечислены важнейшие ведущиеся разработки новых видов ночной техники на базе новейших достижений в разработке и создании электронно- оптических преобразователей (ЭОП) и фотоприемных устройств (ФПУ). Дан сравнительный анализ оснащения приборами ночного видения и тепловизионными приборами российской и зарубежных армий.

Сохранить в закладках

ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ. СОСТОЯНИЕ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ (1999)

Авторы: Бегучев В. П., Чапкевич А. П., Филачев А. М.

Рассмотрены основные тенденции современного развития ЭОП, основными из которых являются существенное повышение уровня параметров зарубежных ЭОП 3-го поколения, включая создание ЭОП с продленной в ближнюю ИК-область чувствительностью, развитие ЭОП 2+ - поколения и создание их модификаций суперпоколения, а также расширение возможностей ЭОП за счет электронной и компьютерной обработки получаемого изображения в приборах с “развязанным” дисплеем (4-е поколение). В качестве примера последних описана разработанная в “НПО “Орион” совместно с “Орэкс” дневно-ночная цветная стереотелевизионная система наблюдения.

Сохранить в закладках

ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЕ ПОКРЫТИЯ КОНСТРУКТИВНЫХ УЗЛОВ И ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОПРИЕМНИКОВ (1999)

Авторы: Буткевич В. Г., Глебов А.Ю., Глобус Е. Р., Зверева Н. Ю., Ревзина О. Г., Алмазов Ю. А.

Развитие промышленности фотоприемных устройств потребовало, чтобы оптические покрытия, как и другие комплектующие узлы, удовлетворяли жестким технологическим (на этапах сборки фотоприемника) и эксплуатационным требованиям. В статье приведены основные этапы создания таких покрытий для областей спектра 3—5 и 8–14 мкм на основе процессов термо- и ионного осаждения.

Сохранить в закладках

МАТРИЧНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА СВИНЦА (1999)

Авторы: Бочков В. Д., Дражников Б. Н., Казанцев Г. А., Кафтаненко Э. И., Храпунов М. Л.

Приведены результаты научно-исследовательской работы по разработке фотоприемного устройства, состоящего из фотоприемника на основе матрицы из PbSe форматом 8х8 и термоэлектрического охладителя, и устройства обработки и управления. Показана возможность реализации по- рогового потока 6,32·10-8 Вт/эл при частоте модуляции 1200 Гц, полосе пропускания сигнала 150 Гц, температуре слоя 22 °C.

Сохранить в закладках

СЕРНИСТО-СВИНЦОВЫЙ 256-ЭЛЕМЕНТНЫЙ ФОТОМОДУЛЬ (1999)

Авторы: Бочков В. Д., Малюгин Ю. А., Храпунов М. Л., Залевская Л. Н., Елесин В. А.

Рассмотрена конструкция фотомодуля, состоящего из 256-элементного сернисто-свинцового фоторезистора и микросборок предварительного усиления и коммутации, выполненных на основе 64-канальных ПЗС мультиплексоров (ПЗСМ), дан анализ функциональной схемы, приведены основные параметры.

Сохранить в закладках

СХЕМОТЕХНИКА МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА (1999)

Авторы: Бочков В. Д., Воропаев И. И., Храпунов М. Л.

Ведутся работы по созданию многоканальных фотоприемных устройств, работающих в области спектра 3-5 мкм, выполненных на основе высокочувствительных охлаждаемых гибридных фотомодулей (ФМ), состоящих из многоэлементного фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мультиплексоров и устройств охлаждения (например, ТЭО). Применение таких ФМ позволит улучшить массогабаритные показатели оптика-электронной аппаратуры, уменьшить потребляемую мощность, снизить стоимость и трудоемкость изготовления ФПУ. Коммутация сигналов в ФМ осуществляется при помощи бескорпусных БИС мультиплексоров с предусилителями на входах. Для достижения предельных пороговых характеристик таких фотомодулей параметры ФЧЭ и мультиплексоров должны быть взаимно согласованы. Рассмотрены вопросы разработки и исследования мультиплексоров с целью их оптимального сопряжения с фоторезистором из PbSe, определены требования к параметрам фоторезистора и характеристики мультиплексора, обеспечивающего реализацию обнаружительной способности фотомодуля.

Сохранить в закладках

КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИЙ ВЫСОКОЭЛАСТИЧНЫЙ КЛЕЙ-ГЕРМЕТИК ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР (1999)

Авторы: Антипова М. А., Глобус Е. Р., Макарова Л. И., Молостова А. Ю.

Разработан новый вид клея-герметика на основе силоксануретановых блоксополимеров для герметизации и сборки фотоприемников на основе халькогенидов свинца. Герметик отличается от известных полимерных клеев- герметиков, применяемых в технологии изготовления названных фотоприемников, повышенной эластичностью и экологической чистотой при сохранении адгезионной прочности, оптической прозрачности и способности к стабилизации фотоэлектрических параметров герметизируемых фоточувствительных структур.

Сохранить в закладках

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СЛОИ PbSe CО СМЕЩЕННОЙ ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ (1999)

Авторы: Казанцев Г. А., Глебов Ю. А., Буткевич В. Г., Зверева Н. Ю., Камышина Т. А., Стрельникова Т. А.

Приведены результаты исследования химических слоев селенистого свинца, осажденных на подложках из фотостекла с селективными интерференционными дихроичными зеркалами, увеличивающими фотоактивное поглощение в области спектра 4 мкм и более. Интегральные D* и Su при этом обладают повышенными значениями по сравнению с фотослоями, изготовленными традиционными способами

Сохранить в закладках

ФОТОПРИЕМНИКИ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА: СОСТОЯНИЕ РАБОТ В ГУП« НПО "ОРИОН"» И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ (1999)

Авторы: Буткевич В. Г., Глобус Е. Р., Казанцев Г. А., Бутров Ю. П., Лебедева Л. Я.

Приведены результаты разработок фотоприемников на основе сульфида и селенида свинца в ГУП «НПО“ Орион“», характеризующие возможности предприятия по созданию различных образцов изделий и фотоэлектрические параметры последних.

Сохранить в закладках

ДВУХКАНАЛЬНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ КРЕМНИЕВОГО ДИОДА И ФОТОРЕЗИСТОРА PbS (1999)

Авторы: Глобус Е. Р., Бутров Ю. П., Нестерова Л. И., Сорокина Ю. Н., Андрюшин С. Я., Хакуашев П. Е.

Разработано неохлаждаемое двухканальное фотоприемное устройство с кремниевым фотодиодом и пленочным фоторезистором из сульфида свинца. Фотодиодный канал снабжен усилителем 744УД1А-1 и обладает порогом чувствительности не выше 1,5·10-10 Вт/Гц-1/2 по источнику А (Т = 2850°С). Удельный порог ФР не превышает 1,3·10-9 Вт/см/Гц1/2 по черному телу с температурой 300°С. ФПУ характеризуется высокой точностью соосности фотодиода, фоторезистора и иммерсионной линзы относительно посадочного диаметра устройства.

Сохранить в закладках

УПРАВЛЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК СЕРНИСТОГО СВИНЦА (1999)

Авторы: Буткевич В. Г., Глобус Е. Р., Залевская Л. Н.

На основе представлений о формировании фоточувствительных пленок сернистого свинца при осаждении из раствора рассмотрены возможности целенаправленного изменения характеристик пленок. Показано, что, изменяя условия процесса осаждения, можно модифицировать параметры пленок (спектральный фотоответ, постоянную времени, темновое сопротивление) при сохранении высокого уровня обнаружительной способности.

Сохранить в закладках

СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ БОЛОМЕТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА ВАНАДИЯ И АМОРФНОГО ГИДРИРОВАННОГО КРЕМНИЯ (1999)

Авторы: Маляров В. Г., Хребтов И. А., Куликов Ю. В., Шаганов И. И., Зеров В. Ю., Феоктистов Н. А.

Выбор материала чувствительного элемента неохлаждаемой микроболометрический матрицы в значительной степени определяет ее предельные параметры. В статье представлены результаты исследований сэндвичных и плоскостных болометрических структур на основе пленок аSi: Н и VO2, соответственно. Пленки аSi: Н изготовлены методом плазмохимического газофазного осаждения, пленки VO2 методом реактивного магнетронного ионно-плазменного распыления. Сэндвичные структуры при площади 100х100 мкм имеют сопротивление ~20 кОм и температурный коэффициент сопротивления (ТКС) >2 %/К при 25°С. Плоскостные структуры с рабочим участком 100х70 мкм при том же сопротивлении имеют ТКС 2,9 %/К. Найдены способы снижения контактного шума тех и других структур. Сэндвичи, построенные в виде оптических резонаторов, поглощают 80 % излучения на длине волны 8 мкм. Показано, что может быть достигнуто поглощение плоскостных структур 50—80 % в полосе 8,5—10 мкм.

Сохранить в закладках

О ВЛИЯНИИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО КАНАЛА НА ТЕМНОВОЙ ТОК КВАДРАНТНЫХ p-i-n-ФОТОДИОДОВ НА КРЕМНИИ (1999)

Авторы: Астахов В. П., Гиндин Д. А., Карпов В. В., Сорокин К. В.

Приведены результаты экспериментального исследования влияния величины сопротивления поверхностного канала на электрические и фотоэлектрические характеристики p-i-n-фотодиодов большой площади с охранным кольцом, изготовленных на кремнии p-типа проводимости с удельным сопротивлением r ~ 20 кОм·см. Проведен анализ зависимостей темновых токов фоточувствительных площадок и охранного кольца, а также чувствительности, коэффициента фотоэлектрической взаимосвязи и ватт-амперных характеристик приборов от сопротивления канала для широкого интервала его значений. Определены оптимальная величина сопротивления канала для p-i-n-фотодиодов и требования к его значению на различных участках топологического рисунка поверхности при необходимости улучшения характеристик приборов.

Сохранить в закладках

РЕЗУЛЬТАТЫ РАЗРАБОТКИ ФОТОДИОДОВ НА lnSb С УЛЬТРАНИЗКИМИ ТЕМНОВЫМИ ТОКАМИ ДЛЯ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ИК ПЗС (1999)

Авторы: Астахов В. П., Гиндин Д. А., Карпов В. В., Соловьева Г. С., Талимов А. В., Винецкий Ю. Р., Титов А. Г., Фамицкий В. И.

Представлены результаты исследований, позволившие определить пути усовершенствования базовой топологии и технологии изготовления фотодиодов на кристаллах InSb. Введение этих усовершенствований снижает уровень темновых токов фотодиодов до значений < 3·10-11 А, соответствующих требованию к низкофоновым фотоприемникам спектрального диапазона 3–6 мкм, работающих в BLIR-режиме.

Сохранить в закладках

НОВЫЕ ПОЛИМЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФР И ФПУ НА ОСНОВЕ КРТ (1999)

Авторы: Хитрова Л. М., Трошкин Ю. С., Беляев В.П., Поповян Г. Э., Киселева Л. В.

В развитие РТМ 3-1950-91 с целью повышения качества ФП и ФПУ разработаны новые крио- и химстойкие клеи ФХ-5Р и “Орион-2” для крепления КРТ к подложке. Вакуумно-плотный клей ХСК-Н обеспечивает надежное соединение входных окон и элементов держателя. Использована виброгасящая композиция “Орион-65” для монтажа многослойных печатных плат.

Сохранить в закладках

ВАКУУМНЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ ДЛЯ ДИАПАЗОНА 8-12 МКМ НА ОСНОВЕ ФОТОРЕЗИСТОРОВ ИЗ CdHgTe (1999)

Авторы: Трошкин Ю. С., Филатов А. В., Алексеевичева В. С., Гусаров А. В., Коршунова А. П., Поповян Г. Э., Посевин О. П.

Дано описание конструкции и характеристики вакуумных фоторезисторов из CdHdTe для спектрального диапазона 8-12 мкм, охлаждаемых с помощью дроссельных микротеплообменников и газовых криогенных машин, работающих по обратному циклу Стирлинга.

Сохранить в закладках

ФОТОДИОДЫ И ФОТОДИОДНЫЕ МАТРИЦЫ НА ОСНОВЕ CdхHg1-хTe (1999)

Авторы: Бовина Л. А., Стафеев В. И.

Изложены результаты разработки и исследований основных характеристик одноэлементных фотодиодов из соединений ртуть - кадмий - теллур (КРТ), в том числе в гетеродинном режиме с быстродействием до 1 ГГц, на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм. Изложены особенности топологии и технологии матричных фотоприемников форматов 32х32, 128х128, 384х288, 4х16, 4х48, 2х96, 4х128, 2х256 на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм, изготовленных как на объемных монокристаллах, так и эпитаксиальных слоях, выращенных различными технологическими методами. Проанализированы проблемы временной и температрурной стабильности фотодиодов из КРТ и возможные пути совершенствования параметров МФП.

Сохранить в закладках

АНОМАЛИЯ СОСТАВА СОБСТВЕННОГО ОКИСЛА, ВЫРАЩЕННОГО НА ПОВЕРХНОСТИ КРТ С РАЗЛИЧНОЙ ОРИЕНТАЦИЕЙ (1999)

Авторы: Гусева З. И., Евсеева О. Н., Мезин Ю. С., Средин В. Г.

Проведены исследования зависимости состава собственного окисла, выращенного на поверхности монокристаллов CdхHg1-хTe, от ориентации поверхностей кристаллов. Выполненный методом ЭСХА послойный анализ состава анодного окисла показал, что для плоскостей (111) и (100) состав окисла плавно изменяется от подложки к поверхности окисного слоя. В окисле же на поверхности (110) обнаружена прослойка неокисленного теллура. В работе обсуждается связь обнаруженных эффектов с физико-химическими свойствами поверхностей кристалла.

Сохранить в закладках

ТЕПЛОВИЗОР НА ОСНОВЕ "СМОТРЯЩЕЙ" МАТРИЦЫ ИЗ Cd0,2Нg0,8Te ФОРМАТА 128Х128 (1999)

Авторы: Болтарь К., Бовина Л. А., Сагинов Л. Д., Стафеев В. И., Гибин И. С., Малеев В. М.

Изготовлен и исследован макет бессканерного тепловизора формата 128х128 на спектральный диапазон 8-12 мкм. Тепловизор состоит из матрицы фоточувствительных элементов на основе фотодиодов из КРТ, состыкованной на индиевых столбиках с охлаждаемым МОП-мультиплексором, микрокриогенной системы Сплит-Стирлинга и электронного блока обработки изображения. Эквивалентная шуму разница температур тепловизора не превышает 0,1 К.

Сохранить в закладках

ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ЭЛЕМЕНТОВ В МАТРИЧНЫХ ИК-ФОТОПРИЕМНИКАХ (1999)

Авторы: Болтарь К., Яковлева Н. И.

Экспериментально исследован метод восстановления функции распределения чувствительности по фотоприемнику по экспериментально измеренной зависимости сигнала от перемещения и известной функции распределения освещенности оптического зонда.

Сохранить в закладках

ФОТОПРИЕМНИКИ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ А3В5 (1999)

Авторы: Анисимова И. Д., Стафеев В. И.

Разработаны фотоприемники на основе широкозонных полупроводниковых материалов GaP, GaAs и их тройного соединения GaPхAs1-х. Для создания фотоприемников использован барьер Шоттки с полупрозрачным металлическим слоем. В качестве исходного материала использованы эпитаксиальные структуры n-n+-n типа с нелегированным n-слоем. Приведены основные параметры фотоприемников.

Сохранить в закладках

НОВЫЕ СХЕМЫ СПЕКТРОМЕТРОВ (1999)

Авторы: Бакуменко В. Л., Свиридов А. Н.

Обсуждаются схемы двумерных спектрометров, использующие абсорбцию света, явление нарушения полного внутреннего отражения и механизмы управления спектральной чувствительностью фотоприемников. Подобно тому, как это производится в интерференционных спектрометрах, спектр анализируемого излучения в рассматриваемых приборах получается в результате обработки сигнала на их выходе средствами вычислительной техники.

Сохранить в закладках

МЕДИЦИНСКИЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР НА ЛАЗЕРАХ И ФОТОПРИЕМНИКАХ БЛИЖНЕГО ИК-ДИАПАЗОНА (1999)

Авторы: Бритов А. Д., Надеждинский А. И., Березин А. Г., Кононов А. С., Сулейманов Н. А., Ершов О. В., Кутняк В. Г.

Разработан неохлаждаемый вариант высокочувствительного лазерно-спектроскопического газоанализатора. Для регистрации газов используются аналитические линии на основе составных частот. Применены фотоприемники и лазерные диоды ближнего ИК-диапазона в районе 1,7 мкм. Наиболее перспективным является использование прибора в медицине (ранняя диагностика заболеваний внутренних органов).

Сохранить в закладках

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.

Сказать «Спасибо»

Вы можете поблагодарить автора за публикацию. Ему (ей) будет приятно.

Наведите камеру на QR-код, чтобы открыть моб. версию страницы.

Ведущий журнала

Ильина Надежда

Написать

По вопросам связанным с журналом вы можете связаться с его ведущим.