Читать онлайн

Изложены результаты разработки и исследований основных характеристик одноэлементных фотодиодов из соединений ртуть - кадмий - теллур (КРТ), в том числе в гетеродинном режиме с быстродействием до 1 ГГц, на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм. Изложены особенности топологии и технологии матричных фотоприемников форматов 32х32, 128х128, 384х288, 4х16, 4х48, 2х96, 4х128, 2х256 на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм, изготовленных как на объемных монокристаллах, так и эпитаксиальных слоях, выращенных различными технологическими методами. Проанализированы проблемы временной и температрурной стабильности фотодиодов из КРТ и возможные пути совершенствования параметров МФП.

Signal element Cadmium Mercury Telluride (CMT) LWIR and MWIR photodiodes have been investigated. High speed up to 1 GHz heterodyne mode detectors are included. Topology and technology features of 32x32, 128x128, 384x288, 4x16, 4x48, 2x96, 4x128, 2x256 LWIR and MWIR Focal Plane Arrays (FPA) produced on the base of CMT crystal and epitaxial layers are discussed. Temporary and temperature photodiodes stability and future FPA development are analyzed.

Ключевые фразы: фотодиоды, фотодиодные матрицы, одноэлементные фотодиоды
Автор (ы): Бовина Л. А. (Bovina L. A.), Стафеев В. И.
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.52. Фотодиоды
Для цитирования:
БОВИНА Л. А., СТАФЕЕВ В. И. ФОТОДИОДЫ И ФОТОДИОДНЫЕ МАТРИЦЫ НА ОСНОВЕ CDХHG1-ХTE // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 1999. №2
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.