Найти:

Архив статей

Фильтры 1  
РЕЗУЛЬТАТЫ РАЗРАБОТКИ ФОТОДИОДОВ НА lnSb С УЛЬТРАНИЗКИМИ ТЕМНОВЫМИ ТОКАМИ ДЛЯ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ИК ПЗС (1999)
Выпуск: №2 (1999)
Авторы: Астахов В. П., Гиндин Д. А., Карпов В. В., Соловьева Г. С., Талимов А. В., Винецкий Ю. Р., Титов А. Г., Фамицкий В. И.

Представлены результаты исследований, позволившие определить пути усовершенствования базовой топологии и технологии изготовления фотодиодов на кристаллах InSb. Введение этих усовершенствований снижает уровень темновых токов фотодиодов до значений < 3·10-11 А, соответствующих требованию к низкофоновым фотоприемникам спектрального диапазона 3–6 мкм, работающих в BLIR-режиме.

Сохранить в закладках
Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.