Разработаны фотоприемники на основе широкозонных полупроводниковых материалов GaP, GaAs и их тройного соединения GaPхAs1-х. Для создания фотоприемников использован барьер Шоттки с полупрозрачным металлическим слоем. В качестве исходного материала использованы эпитаксиальные структуры n-n+-n типа с нелегированным n-слоем. Приведены основные параметры фотоприемников.
We reported on the fabrication and characterization of ultraviolet photodetectors with Schottky barrier based on semiconductors GaP, GaPxAs1-x, GaAs. As row materials are used n-n+- n type epitaxial structures. The general parameters of the photodetectors have been demonstrated.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.