Статья: ФОТОПРИЕМНИКИ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ А3В5 (1999)

Читать онлайн

Разработаны фотоприемники на основе широкозонных полупроводниковых материалов GaP, GaAs и их тройного соединения GaPхAs1-х. Для создания фотоприемников использован барьер Шоттки с полупрозрачным металлическим слоем. В качестве исходного материала использованы эпитаксиальные структуры n-n+-n типа с нелегированным n-слоем. Приведены основные параметры фотоприемников.

We reported on the fabrication and characterization of ultraviolet photodetectors with Schottky barrier based on semiconductors GaP, GaPxAs1-x, GaAs. As row materials are used n-n+- n type epitaxial structures. The general parameters of the photodetectors have been demonstrated.

Ключевые фразы: фотоприемники, чистые полупроводники, фотодиоды
Автор (ы): Анисимова И. Д. (Anisimova I. D.), Стафеев В. И.
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592.2. Чистые полупроводники
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
Для цитирования:
АНИСИМОВА И. Д., СТАФЕЕВ В. И. ФОТОПРИЕМНИКИ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ А3В5 // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 1999. №2
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.