ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636

· Языки: ru / en

Статья: Визуализация пространственного распределения интенсивности миллиметровых волн при помощи оптического континуума, излучаемого газовым разрядом в смеси Cs–Xe. Часть I. Метод и его физические основы (обзор) (2015)

Читать

Статья Литература Выпуск Статистика Издательство

Читать онлайн

Представлена первая часть обзора, который посвящен динамическому методу визуализации и измерения пространственного распределения интенсивности миллиметрового (ММ) излучения при помощи оптического континуума (ОК), излучаемого положительным столбом (ПС) разряда постоянного тока в смеси паров цезия с ксеноном. В ней рассмотрены принципы действия и физические основы этого нового метода. Приведено описание разрядной трубки и экспериментальной установки, которые были использованы для создания широкого однородного плазменного слоя с помощью Cs─Xe-разряда при давлении газа 45 Торр. Рассмотрены эксперименты, в которых изучено воздействие ММ-излучения на такой плазменный слой. Обсуждается механизм влияния ММ-излучения на яркость ОК, излучаемого ПС Cs─Xe-разряда, а также причины нарушения локальности связи между интенсивностью MM-излучения и яркостью оптического континуума. Описаны модельные эксперименты по визуализации излучения на выходе рупорных антенн и в квазиоптических пучках, которые показали, что этот метод может быть успешно использован для визуализации электромагнитного излучения средней интенсивности во всем диапазоне ММволн. Метод обладает микросекундным временным разрешением, его пространственное разрешение около 2 мм. Продемонстрировано, что энергетическая чувствительность метода в восьмимиллиметровом и двухмиллиметровом диапазоне не хуже, чем 10 и 200 мкДж/см2 соответственно.

The paper presents a review of a high-sensitive technique for time-resolved imaging and measurement of the 2D intensity profiles of millimeter waves (MMW) based on the use of visible continuum radiation (VCR) from the positive column (PC) of a medium pressure Cs–Xe DC discharge. The review focuses on the operating principles, fundamentals, and applications of this new technique. The design of a discharge tube and an experimental setup which were used to create a wide homogeneous PC plasma slab are described. The MMW effects on the plasma slab are studied. The mechanism of microwave-induced variations in the VCR intensity and the causes of violation of the local relation between the visible continuum emissivity and the MMW intensity are discussed. Experiments on imaging of the field patterns of horn antennas and quasioptical beams demonstrate that this technique can be used for a good-quality imaging of the MMW beams in the entire millimeterwavelength band. The temporal resolution of the technique is about 0.8 μs, its spatial resolution is 2 mm. Energy flux sensitivities of about 10 μJ/cm2 in the Ka band and about 200 μJ/cm2 in the D band have been demonstrated.

Автор (ы): Гитлин Михаил Семенович (Gitlin M. S.)

Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 533.9.03. Получение плазмы
533.9.07. Установки и аппаратура для изучения и создания плазмы
533.9.08. Основные принципы и теория измерений. Методы диагностики плазмы
535.338. Виды спектров. Непрерывные спектры. Линейчатые спектры. Полосатые спектры. Закономерности в спектрах. Термы. Комбинационный принцип
535-14. Диапазон между радиоволнами (волны Герца) и инфракрасной областью спектра
621.387. Газоразрядные и газонаполненные лампы, исключая осветительные. Ионизационные камеры. Счетчики ионов
621.396.677. Направленные и остронаправленные антенны
621.3.09. Характеристики распространения электромагнитных волн
eLIBRARY ID: 25085457

Для цитирования:

ГИТЛИН М. С. ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИНТЕНСИВНОСТИ МИЛЛИМЕТРОВЫХ ВОЛН ПРИ ПОМОЩИ ОПТИЧЕСКОГО КОНТИНУУМА, ИЗЛУЧАЕМОГО ГАЗОВЫМ РАЗРЯДОМ В СМЕСИ CS–XE. ЧАСТЬ I. МЕТОД И ЕГО ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ (ОБЗОР) // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2015. ТОМ 3, №6

Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.

Создать тему для обсуждения

Список литературы

1. Thumm M. K., Kasparek W. // IEEE Trans. on Plasma Science. 2002. V. 30. No. 3. P. 755.
2. Aleksandrov N. L., Chirkov A. V., Denisov G. G., et al. // Int. J. Infrared Millim. Waves. 1997. V. 18. No. 8. P. 1505.
3. Jawla S., Hogge J-P., Alberti S., et al. // IEEE Trans. on Plasma Sci. 2009. V.37. No. 4. P. 414.
4. Smith S. L., Archer J. W., Timms G. P., et al. // IEEE Trans. on Antennas and Propag. 2012. V. 60. No. 4. P. 1744.
5. Матвеев В. И. // Контроль. Диагностика. 2005. № 2. С. 71.
6. Федюнин П. А., Казьмин А. И. Способы радиоволнового контроля параметров защитных покрытий авиационной техники. — М.: Физматлит, 2012.
7. Kharkovsky S., Zoughi R. // IEEE Instrum. Meas. Mag. 2007. V. 10. No. 2. P. 26.
8. Bolomey J.-C. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1989. V.37. No. 12. P. 2109.
9. Greeney N. S., Scales J. A. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. No. 22. P. 222909.
10. Sheen D. M., McMakin D. L., Hall T. E. // IEEE Trans. on Microwave Theory Tech. 2001. V. 49. No. 9. P. 1581.
11. Tang A., Gu Q. J., Chang M.-C. F. // IEEE Communicat. Mag. 2011. V. 49. No. 10. P. 190.
12. Ahmed S. S., Schiessl A., Gumbmann F. F., et al. // IEEE Microwave Mag. 2012. V. 13. No. 6. P. 26.
13. Watabe K., Shimizu K., Yoneyama M., et al. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2003. V. 51. No. 5. P. 1512.
14. Волков Л. В., Воронко А. И., Карапетян А. Р. и др. // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. № 9. С. 835.
15. Шашкин В. И., Белов Ю. И., Волков П. В. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 12. С. 44.
16. Tessmann A., Kudszus S., Feltgen T., et al. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2002. V. 50. No. 12. P. 2995.
17. Ozhegov R., Gorshkov K., Vachtomin Y., et al. Terahertz Imaging System Based on Superconducting Heterodyne Integrated Receiver. — In: THz and Security Applications, Detectors, Sources and Associated Electronics for THz Applications. / Corsi C., Sizov F., editors. Netherlands: Springer, 2014. P. 113.
18. Luhmann N. C., Bindslev H., Park H., et al. // Fusion Science and Technology. 2008. V. 53. No. 2. P. 335.
19. Kopeika N. S., Farhat N. H. // IEEE Trans. on Electron Devices. 1975. V. 22. No. 8. P. 534.
20. Felsteiner J., Rosenberg A., Politch J., et al. // Applied Optics. 1985. V. 24. No. 6. P. 800.
21. Abramovich A., Kopeika N. S., Rozban D. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. No. 3. P. 033302.
22. Brooker G., Johnson D. G. // IEEE Sensors J. 2015. V. 15. No. 6. P. 3557.
23. Tsuchiya M., Kanno A., Sasagawa K., et al. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2009. V. 57. No. 12. P. 3373.
24. Бажулин А. П., Ирисова И. А., Сосорев B. C. и др. // Вестник АН СССР. 1973. № 12. С. 15.
25. Cherkassky V. S., Gerasimov V. V., Ivanov G. M., et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 2007. V. 575. P. 63.
26. Chang T. H., Yu C. F., Fan C. T. // Rev. Sci. Insrum. 2005. V. 76. No. 7. P. 074703.
27. Junchang L., Yanmei W. // Optics Communications. 2009. V. 282. No. 4. P. 455.
28. Idehara T., Kosuga T., Agusu L., et al. // J. Infrared Millim. and Terahz Waves. 2010. V. 31. No. 7. P. 763.
29. Gold S. H., Fliflet A. W., Manheimer W. M., et al. // IEEE Trans. on Plasma Sci. 1988. V. 16. No. 2. P. 142.
30. Bratman V. L., Denisov G. G., Ofitserov M. M., et al. // IEEE Trans. on Plasma Sci. 1987. V.15. No. 1. P. 2.
31. Бугаев С. П., Канавец В. И., Климов А. И. и др. // Доклады АН СССР. 1988. Т. 298. № 1. C. 92.
32. Вихарев А. Л., Гильденбург В. Б., Голубев С. В. и др. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. № 4. С. 136.
33. Cook A., Shapiro M., Temkin R. // Appl. Phys. Letters. 2010. V. 97. No. 1. P. 11504.
34. Очкин В. Н. Спектроскопия низкотемпературной плазмы. — М.: Физматлит, 2010.
35. Gitlin M. S., Golovanov V. V., Spivakov A. G., et al. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. No. 6. P. 063301.
36. Гитлин М. С., Спиваков А. Г. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. Вып. 5. С. 46.
37. Gitlin M. S., Fedotov A. E., Stukachev S. E., et al. // Physics of Plasmas. 2012. V. 19. No. 3. P. 033508.
38. Fedotov A. E., Gitlin M. S., Golovanov V. V., et al. / In: Proc. of the Sixth Int. Kharkov Symposium on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves and Workshop on Terahertz Technologies. — Kharkov, Ukraine. IRE NASU: 2007. V. 1. P. 263—265.
39. Gitlin M. S., Golovanov V. V., Tsvetkov A. I. // IEEE Trans. on Plasma Sci. 2008. V. 36. No. 4. P. 1398.
40. Gitlin M. S., Tsvetkov A. I. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. No. 23. P. 234102.
41. Gitlin M. S., Epstein I. L., Lebedev Yu. A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2013. V. 46. No. 41. P. 415208.
42. Bogatov N. A., Gitlin M. S., Dikan D. A., et al. // Phys. Rev. Lett. 1997. V.79. No. 15. P. 2819.
43. Wazink J. H., Polman J. // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. No. 6. P. 2403.
44. van Tongeren H. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. No. 1. P. 89.
45. Биберман Л. М., Воробьев В. С., Якубов И. Т. Кинетика неравновесной низкотемпературной плазмы. — М.: Наука, 1982.
46. Батенин В. М., Чиннов В. Ф. // ЖЭТФ. 1971. Т. 61. Вып. 1. С. 56.
47. Голубовский Ю. Б., Каган Ю. М., Комарова Л. Л. // Опт. и спектр. 1972. Т. 33. № 6. С. 1185.
48. Park J., Henins I., Herrmann H. W., et al. // Phys. Plasmas. 2000. V. 7. No. 8. P. 3141.
49. Park S., Choe W., Moon S. Y., et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. No. 8. P. 084103.
50. Райзер Ю. П. Физика газового разряда. — М.: Наука, 1987. — 592 с.
51. Лебедев И. В. Техника и приборы СВЧ. — М.: Высшая школа, 1970. Т. 1.
52. Marcuvitz N. Waveguide Handbook. — London: P. Peregrinus, 1986.
53. Camparo J., Fathi G. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. No. 10. P. 103302.
54. Bratman V. L., Dumesh B. S., Fedotov A. E., et al. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2010. V. 38. No. 6. P. 1466.
55. Clarricoats P. J. B., Olver A. D. Corrugated horns for microwave antennas. — London: P. Peregrinus, 1984.
56. Rutscher A., Pfau S. // Physica B+C. 1976. V. 81. P. 395.
57. de Regt J. M., van Dijk J., van der Mullen J. A. M., et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. V. 28. P. 40.
58. Burm K. T. A. L. // Plasma Sources Sci. Technol. 2004. V. 13. P. 387.
59. Agnew L., Reichelt W. H. // J. Appl. Phys. 1968. V. 39. No. 7. P. 3149.
60. Бакшт Ф. Г., Дюжев Г. А., Марциновский A. M. и др. Термоэмиссионные преобразователи и низкотемпературная плазма / Под ред. Мойжеса Б. Я. и Пикуса Г. Е. — М.: Наука, 1973.
61. Дюжев Г. А., Каплан В. Б., Мойжес B. Я. и др. // ЖТФ. 1968. Т. 38. № 6. С. 963.

1. M. K. Thumm and W. Kasparek, IEEE Trans. on Plasma Science 30, 755 (2002).
2. N. L. Aleksandrov, A. V. Chirkov, G. G. Denisov, et al., Int. J. Infrared Millim. Waves 18, 1505 (1997).
3. S. Jawla, J-P. Hogge, S. Alberti, et al., IEEE Trans. on Plasma Sci. 37, 414 (2009).
4. S. L. Smith, J. W. Archer, G. P. Timms, et al., IEEE Trans. on Antennas and Propag. 60, 1744 (2012).
5. V. I. Matveev, Testing. Diagnostics No. 2. 71 (2005).
6. P. A. Fedyunin and A. I. Kazmin, Methods of radiowave monitoring of the protective coating parameters of aviation equipment (Moscow: Fizmatlit, 2012) [in Russian].
7. S. Kharkovsky and R. Zoughi, IEEE Instrum. Meas. Mag. 10 (2), 26 (2007).
8. J.-C. Bolomey, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 37, 2109 (1989).
9. N. S. Greeney and J. A. Scales, Appl. Phys. Lett. 91, 222909 (2007).
10. D. M. Sheen, D. L. McMakin, and T. E. Hall, IEEE Trans. on Microwave Theory Tech. 49, 1581 (2001).
11. A. Tang, Q. J. Gu, and M.-C. F. Chang, IEEE Communicat. Mag. 49 (10), 190 (2011).
12. S. S. Ahmed, A. Schiessl, F. F. Gumbmann, et al., IEEE Microwave Mag. 13 (6), 26 (2012).
13. K. Watabe, K. Shimizu, M. Yoneyama, et al., IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 51, 1512 (2003).
14. L. V. Volkov, A. I. Voronko, A. R. Karapetyan, et al., Quantum Electron. 32, 835 (2002).
15. V. I. Shashkin, Yu. I. Belov, P.V. Volkov, et al., Tech. Phys. Lett. 39, 560 (2013).
16. A. Tessmann, S. Kudszus, T. Feltgen, et al., IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 50, 2995 (2002).
17. R. Ozhegov, K. Gorshkov, Y. Vachtomin, et al., in Book: THz and Security Applications, Detectors, Sources and Associated Electronics for THz Applications. Ed. by C. Corsi and F. Sizov, (Netherlands: Springer, 2014). P. 113.
18. N. C. Luhmann, H. Bindslev, H. Park, et al., Fusion Science and Technology 53, 335 (2008).
19. N. S. Kopeika and N. H. Farhat, IEEE Trans. on Electron Devices 22, 534 (1975).
20. J. Felsteiner, A. Rosenberg, J. Politch, et al., Applied Optics 24, 800 (1985).
21. A. Abramovich, N. S. Kopeika, and D. Rozban, J. Appl. Phys. 104, 033302 (2008).
22. G. Brooker and D. G. Johnson, IEEE Sensors J. 15, 3557 (2015).
23. M. Tsuchiya, A. Kanno, K. Sasagawa, et al., IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 57, 3373 (2009).
24. A. P. Bazhulin, I. A. Irisova, V. S. Sosorev, et al., Bulletin of Academy of Sciences of the USSR, No. 12, 15 (1973).
25. V. S. Cherkassky, V. V. Gerasimov, G. M. Ivanov, et al., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 575, 63 (2007).
26. T. H. Chang, C. F. Yu, and C. T. Fan, Rev. Sci. Insrum. 76, 074703 (2005).
27. L. Junchang and W. Yanmei, Optics Communications 282, 455 (2009).
28. T. Idehara, T. Kosuga, L. Agusu, et al., J. Infrared Millim. and Terahz Waves 31, 763 (2010).
29. S. H. Gold, A. W. Fliflet, W. M. Manheimer, et al., IEEE Trans. on Plasma Sci. 16, 142 (1988).
30. V. L. Bratman, G. G. Denisov, M. M. Ofitserov, et al., IEEE Trans. on Plasma Sci. 15, 2 (1987).
31. S. P. Bugaev, V. I. Kanavets, A. I. Klimov, et al., Reports of Academy of Sciences of the USSR 298, 92 (1988).
32. A. L. Vikharev, V. B. Gil’denburg, S. V. Golubev, et al., Sov. Phys. JETP 67, 724 (1988).
33. A. Cook, M. Shapiro, and R. Temkin, Appl. Phys. Letters 97, 11504 (2010).
34. V.N. Ochkin, Spectroscopy of Low Temperature Plasma. (Weinheim: Wiley, 2009).
35. M. S. Gitlin, V. V. Golovanov, A. G. Spivakov, et al., J. Appl. Phys. 107, 063301 (2010).
36. M. S. Gitlin and A. G. Spivakov, Tech. Phys. Lett. 33, 205 (2007).
37. M. S. Gitlin, A. E. Fedotov, S. E. Stukachev, et al., Physics of Plasmas 19, 033508 (2012).
38. A. E. Fedotov, M. S. Gitlin, V. V. Golovanov, et al., in Proc. of the Sixth Int. Kharkov Symposium on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves and Workshop on Terahertz Technologies. (Kharkov, Ukraine. IRE NASU, 2007). V. 1. P. 263–265.
39. M. S. Gitlin, V. V. Golovanov, and A. I. Tsvetkov, IEEE Trans. on Plasma Sci. 36, 1398 (2008).
40. M. S. Gitlin and A. I. Tsvetkov, Appl. Phys. Lett. 94, 234102 (2009).
41. M. S. Gitlin, I. L. Epstein, and Yu. A. Lebedev, J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 415208 (2013).
42. N. A. Bogatov, M. S. Gitlin, D. A. Dikan, et al., Phys. Rev. Lett. 79, 2819 (1997).
43. J. H. Wazink and J. Polman, J. Appl. Phys. 40, 2403 (1969).
44. H. van Tongeren, J. Appl. Phys. 45, 89 (1974).
45. L. M. Biberman, V. S. Vorobjev, and I. T. Yakubov, Kinetics of Nonequilibrium Low-Temperature Plasma (New York: Plenum Publ. Corp., 1987).
46. V. M. Batenin and V. F. Chinnov, Sov. Phys. JETP 34, 30 (1972).
47. Yu. B. Golubovskii, Yu. M. Kagan, and L. L. Komarova, Opt. Spectrosc. (USSR) 33, 646 (1972).
48. J. Park, I. Henins, H. W. Herrmann, et al., Phys. Plasmas 7, 3141 (2000).
49. S. Park, W. Choe, S. Y. Moon, et al., Appl. Phys. Lett. 104, 084103 (2014).
50. Y. P. Raizer, Gas Discharge Physics. (Berlin — Springer-Verlag, 1991).
51. I. V. Lebedev, Microwave Technique and Devises. V. 1. (Moscow: High school, 1970.) [in Russian].
52. N. Marcuvitz, Waveguide Handbook. (London: P. Peregrinus; 1986).
53. J. Camparo and G. Fathi, J. Appl. Phys. 105, 103302 (2009).
54. V. L. Bratman, B. S. Dumesh, A. E. Fedotov, et al., IEEE Trans. Plasma Sci. 38, 1466 (2010).
55. P. J. B. Clarricoats and A. D. Olver, Corrugated horns for microwave antennas. (London: P. Peregrinus, 1984).
56. A. Rutscher and S. Pfau, Physica B+C 81, 395 (1976).
57. J. M. de Regt, J. van Dijk, J. A. M. van der Mullen, et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 28, 40 (1995).
58. K. T. A. L. Bur, Plasma Sources Sci. Technol. 13, 387 (2004).
59. L. Agnew and W. H. Reichelt, J. Appl. Phys. 39, 3149 (1968).
60. Thermionic Converters and Low Temperature Plasma, Edited by B. Y. Moyzhes and G. E. Pikus (Springfield : Nat. Tech. Inform. Service, DOE-TR-1, 1978).
61. G. A. Dyuzhev, V. B. Kaplan, and B. Y. Moyzhes, Soviet Physics. J. Technical Physics. 38, 714 (1968).

Выпуск

Том 3, №6 (2015)

Кол-во страниц: 102 страницы

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ОБЩАЯ ФИЗИКА

Гитлин М. С. Визуализация пространственного распределения интенсивности миллиметровых волн при помощи оптического континуума, излучаемого газовым разрядом в смеси Cs–Xe. Часть I. Метод и его физические основы (обзор) 515
Шемухин А. А., Назаров А. В., Кожемяко А. В., Балакшин Ю. В. Влияние энергии ионов пучка Si+ на образование дефектов и твердофазную рекристаллизацию вблизи границы раздела кремний-сапфир 537

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Асюнин В. И., Бушин С. А., Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Пилюшенко А. В., Пшеничный А. А., Ревазов В. О., Якубов Р. Х. Эрозионные процессы в малогабаритном вакуумном разряднике с искровым поджигом 542
Арделян Н. В., Бычков В. Л., Космачевский К. В., Максимов Д. С. Ионизация воздуха в предгрозовых атмосферных условиях 553

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Бурлаков И. Д., Болтарь К. О., Мирофянченко А. Е., Власов П. В., Лопухин А. А., Пряникова Е. В., Соловьев В. А., Семенов А. Н., Мельцер Б. Я., Комиссарова Т. А., Львова Т. В., Иванов С. В. Исследование структур InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии 559
Дражников Б. Н., Козлов К. В., Кузнецов П. А., Соляков В. Н. Анализ эффективности пространственной фильтрации сигналов на выходе фотоприемного устройства с режимом временной задержки и накопления 566
Жегалов С. И., Фадеев В. В. Исследование нейронной схемы формирования изображения для фотоприемного устройства с микросканированием 573
Яковлева Н. И., Никонов А. В., Шабаров В. В. Экспериментальные исследования и расчеты спектральной зависимости коэффициента поглощения в однослойных эпитаксиальных структурах HgCdTe 579
Лобачев А. В., Соломонова Н. А., Тресак В. К., Шкетов А. И., Фирсенкова Ю. А. Исследование коэффициента фотоэлектрической связи ультрафиолетового матричного фотоприемного устройства 589

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ

Высикайло Ф. И., Митин В. С., Митин А. В., Краснобаев Н. Н., Беляев В. В. Высокоскоростное ионно-плазменное магнетронное распыление для металлизации керамических теплоотводов мощных СВЧ-транзисторов (обзор) 594

ИНФОРМАЦИЯ

XLIII Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 604
24-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 607
Сводный перечень статей, опубликованных в журнале «Успехи прикладной физики» в 2015 г. 608
Правила для авторов 610

C O N T E N T S

GENERAL PHYSICS

M. S. Gitlin Imaging of millimeter wave intensity profiles using a visible continuum radiation from a Cs–Xe DC discharge. Part I. A technique and its fundamentals (a review) 515
A. A. Shemukhin, A. V. Nazarov, A. V. Kozhemyako, and Yu. V. Balakshin The influence of the ion energy for the Si+ beam on the defect formation and solid-phase recrystallization near the silicon-sapphire interface 537

PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS

V. I. Asiunin, S. A. Bushin, S. G. Davydov, A. N. Dolgov, A. V. Pilyushenko, A. A. Pshenichniy, V. O. Revazov, and R. Kh. Yakubov Erosion processes in a small-size vacuum spark gap 542
N. V. Ardelyan, V. L. Bychkov, K. V. Kosmachevskii, and D. S. Maximov Air ionization under extreme physical conditions 553

PHOTOELECTRONICS

I. D. Burlakov, K. O. Boltar, A. E. Mirofyanchenko, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, E. V. Pryanikova, V. A. Solov’ev, A. N. Semenov, B. Ya. Mel’tser, T. A. Komissarova, T. V. L’vova, and S. V. Ivanov Investigation of InSb structures grown by molecular beam epitaxy 559
B. N. Drajnikov, K. V. Kozlov, P. A. Kyznetsov, and V. N. Solyakov The analysis of TDI FPA images dimensional filtration efficiency 566
S. I. Zhegalov and V. V. Fadeev A neural scheme for the FPA image formation with microscanning 573
N. I. Iakovleva, V. Nikonov, and V. V. Shabarov Investigation and calculation of absorption spectra in the HgCdTe single-layer epitaxial structures 579
A. V. Lobachyov, N. A. Solomonova, V. C. Tresak, A. I. Shketov, and Yu. A. Firsenkova The dependence of the coefficient of pixel crosstalk for a ultraviolet FPA on the operating point 589

PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS

P. I. Vysikaylo, V. S. Mitin, A. V. Mitin, N. N. Krasnobaev, and V. V. Belyaev Using the high-speed ion plasma magnetron sputtering to metallization of ceramic heatsinks in cooling devices of the powerful microwave transistors (a review) 594

INFORMATION

XLIII International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thermonuclear Fusion 604
XXIV International Conference on Photoelectronics and Nigth Vision Devices 607
The summary list of the articles published in Uspekhi Prikladnoi Fiziki in 2015 608
Rules for authors 610

Другие статьи выпуска

Высокоскоростное ионно-плазменное магнетронное распыление для металлизации керамических теплоотводов мощных СВЧ-транзисторов (обзор) (2015)

Авторы: Высикайло Ф. И., Митин В. С., Митин А. В., Краснобаев Н. Н., Беляев В. В.

Обобщены экспериментальные и теоретические исследования механизма адгезии металлического покрытия к керамической подложке на примере оксида бериллия. Предложенный механизм адгезии основывается на увеличении концентрации структурных дефектов (вакансий) и электронно-обменном взаимодействии пары металл-оксид бериллия при температурной активации процесса. Аналитически и экспериментально для различных металлов обоснованы и рекомендованы оптимальные режимы осаждения покрытия (температура и время осаждения, энергия активации) с максимальным значением адгезии металлического покрытия.

Сохранить в закладках

Исследование коэффициента фотоэлектрической связи ультрафиолетового матричного фотоприемного устройства (2015)

Авторы: Лобачев А. В., Соломонова Н. А., Тресак В. К., Шкетов А. И., Фирсенкова Ю. А.

Приведены результаты измерений величины фотоэлектрической связи от положения рабочей точки УФ матричного фотоприемного устройства (МФПУ). Для измерения величины фотоэлектрической связи ультрафиолетового МФПУ был использован «классический» метод. В результате проведенных исследований были получены зависимости коэффициента фотоэлектрической связи от величины управляющих напряжений.

Сохранить в закладках

Экспериментальные исследования и расчеты спектральной зависимости коэффициента поглощения в однослойных эпитаксиальных структурах HgCdTe (2015)

Авторы: Яковлева Н. И., Никонов А. В., Шабаров В. В.

Проведены исследования и расчеты коэффициента поглощения для структур HgCdTe, выращенных методами жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) и эпитаксией металлоорганических соединений из газовой фазы (MOCVD) и сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов, и с другими эмпирическими зависимостями. Проведены расчеты смещения уровня Ферми исследованных структур HgCdTe, а также наклона экспериментальных характеристик поглощения.

Сохранить в закладках

Исследование нейронной схемы формирования изображения для фотоприемного устройства с микросканированием (2015)

Авторы: Жегалов С. И., Фадеев В. В.

Исследуется нейронная схема формирования изображения для ФПУ с микросканированием. Нейронная схема достигает сопоставимых результатов с коррекцией неоднородности по опорным сигналам с увеличением кадровой скорости ФПУ. Нейронная схема, как и двухточечная коррекция, не корректирует влияние нелинейной составляющей характеристики элементов ФПУ.

Сохранить в закладках

Анализ эффективности пространственной фильтрации сигналов на выходе фотоприемного устройства с режимом временной задержки и накопления (2015)

Авторы: Дражников Б. Н., Козлов К. В., Кузнецов П. А., Соляков В. Н.

Произведен расчет оптимальных коэффициентов пространственного фильтра для выходных изображений многорядного фотоприемного устройства (ФПУ) с режимом временной задержки и накопления (ВЗН). Представлены результаты анализа эффективности пространственной фильтрации от величины матрицы фильтра, чувствительности и уровня шумов отдельных каналов ФПУ, размера изображения целевого источника излучения. Исследовано влияние оптимальной пространственной фильтрации выходных сигналов ФПУ на пространственное разрешение итогового изображения. Приведены результаты экспериментальных исследований эффективности оптимальной пространственной фильтрации изображений.

Сохранить в закладках

Исследование структур InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (2015)

Авторы: Бурлаков И. Д., Болтарь К., Мирофянченко А. Е., Власов П. В., Лопухин А. А., Пряникова Е. В., Соловьёв В. А., Семёнов А. Н., Мельцер Б. Я., Комиссарова Т. А., Львова Т. В., Иванов С. В.

В работе различными аналитическими методами исследовались эпитаксиальные структуры InSb, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на сильнолегированных подложках InSb (100). Подложки предварительно подвергались серной пассивации в Na2S. Исследования показали, что образцы имели гладкую поверхность с значениями среднеквадратичной шероховатости менее 1 нм при достаточно хорошем структурном совершенстве. Исследования на просвечивающем электронном микроскопе подтвердили предположение о гладкости интерфейса между подложкой и эпитаксиальным слоем. На полученных структурах изготовлены и исследованы фотодиодные матрицы формата 320256.

Сохранить в закладках

Ионизация воздуха в предгрозовых атмосферных условиях (2015)

Авторы: Арделян Н. В., Бычков В. Л., Космачевский К. В., Максимов Д. С.

Рассмотрены плазмохимические процессы в больших областях воздуха (на больших временах) в экстремальных грозовых и атмосферных условиях. Проведено математическое моделирование, на основе которого оценены эффективные величины приведенных напряжённостей электрических полей при лавинном развитии процессов нагрева газа. Оценены величины температуры локального разогрева. Дана оценка роли острий в объеме газа в исследуемых процессах развития нагрева. Развитие разрядов на этих объектах может порождать появление очагов свечения и воспламенения углеводородных материалов, которые будут проявляться в виде огней Хессдалена и лесных светящихся шаров.

Сохранить в закладках

Эрозионные процессы в малогабаритном вакуумном разряднике с искровым поджигом (2015)

Авторы: Асюнин В. И., Бушин С. А., Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Пилюшенко А. В., Пшеничный А. А., Ревазов В. О., Якубов Р. Х.

Приведены результаты исследования эрозионных процессов в малогабаритном вакуумном разряднике с искровым поджигом методами электронной микроскопии, рентгенофлуоресцентного элементного анализа и масс-спектрометрии продуктов газовыделения. Изучены закономерности эрозии и переноса вещества металлических элементов разрядного устройства и диэлектрика, разряд по поверхности которого инициирует процесс коммутации. Обнаружено влияние поверхностной микроструктуры и окисной пленки, присутствующей на поверхности материала катода, на развитие дугового разряда в коммутаторе, что отвечает эктонной модели катодного пятна.

Сохранить в закладках

Влияние энергии ионов пучка Si+ на образование дефектов и твердофазную рекристаллизацию вблизи границы раздела кремний-сапфир (2015)

Авторы: Шемухин А. А., Назаров А. В., Кожемяко А. В., Балакшин Ю. В.

В работе исследовано образование дефектов и последующая твердофазная рекристаллизация в пленках кремния на сапфире в процессе облучения ионами кремния с энергиями в диапазоне от 170 до 230 кэВ при различных температурах подложки. С помощью методики резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием обнаружено, что полное разрушение сильнодефектной области зависит от энергии имплантируемых ионов. Энергия разупорядочения сильнодефектной области при температуре жидкого азота — 200 кэВ, а при комнатной температуре — 230 кэВ.

Сохранить в закладках

Статистика статьи

Статистика просмотров за 2026 год.

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.