Проанализирован характер зависимости пороговой энергии ударной генерации электроннодырочных пар в полупроводниках при двух частичных столкновениях от степени непрямозонности полупроводника. Показано, что эта зависимость ассиметрична и немонотонна относительно взаимного импульсного расположения зоны проводимости и валентной зоны, причем минимальная пороговая энергия меньше, чем в прямозонном полупроводнике.
Consideration if given to a particular dependence of the threshold energy for the band-to-band impact generation of electron-hole pairs in semiconductors at two-particle collisions on an indirect-gap degree of semiconductor. It is shown that this dependence is asymmetric and non-monotonic in relation to the direct-gap arrangement of bands in a semiconductor; moreover, minimum threshold energy is lower, than in direct-gap semiconductor.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 24397444
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.