Статья: О возможности уменьшения пороговой энергии Оже-генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках при двухчастичных столкновениях за счет отклонения от прямозонности (2015)

Читать онлайн

Проанализирован характер зависимости пороговой энергии ударной генерации электроннодырочных пар в полупроводниках при двух частичных столкновениях от степени непрямозонности полупроводника. Показано, что эта зависимость ассиметрична и немонотонна относительно взаимного импульсного расположения зоны проводимости и валентной зоны, причем минимальная пороговая энергия меньше, чем в прямозонном полупроводнике.

Consideration if given to a particular dependence of the threshold energy for the band-to-band impact generation of electron-hole pairs in semiconductors at two-particle collisions on an indirect-gap degree of semiconductor. It is shown that this dependence is asymmetric and non-monotonic in relation to the direct-gap arrangement of bands in a semiconductor; moreover, minimum threshold energy is lower, than in direct-gap semiconductor.

Ключевые фразы: полупроводник, прямозонный, непрямозонный, ударная ионизации, электронно-дырочная пара, пороговая энергия
Автор (ы): Холоднов Вячеслав Александрович (Holodnov V. A.), Бурлаков Игорь Дмитриевич, Другова Альбина Александровна
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621. Общее машиностроение. Ядерная техника. Электротехника. Технология машиностроения в целом
eLIBRARY ID
24397444
Для цитирования:
ХОЛОДНОВ В. А., БУРЛАКОВ И. Д., ДРУГОВА А. А. О ВОЗМОЖНОСТИ УМЕНЬШЕНИЯ ПОРОГОВОЙ ЭНЕРГИИ ОЖЕ-ГЕНЕРАЦИИ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПАР В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРИ ДВУХЧАСТИЧНЫХ СТОЛКНОВЕНИЯХ ЗА СЧЕТ ОТКЛОНЕНИЯ ОТ ПРЯМОЗОННОСТИ // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2015. ТОМ 3, №5
Текстовый фрагмент статьи