Влияние структурного совершенства сапфира на оптические характеристики оболочки импульсной газоразрядной лампы (2022)
Приведены результаты исследований влияния на оптическое пропускание дефектов структуры сапфировой трубы, выращенной по методу А. В. Степанова, изменения прозрачности монокристалла после механической обработки поверхности и воздействия ультрафиолетового и радиационных облучений.
The paper presents the results of studies of the influence on the optical transmission of defects in the structure of a sapphire tube grown by the method of A.V. Stepanov, changes in the transparency of a single crystal after mechanical surface treatment and ultraviolet and radiation exposure.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469-2022-10-4-404-410
- eLIBRARY ID
- 49432934
Представленные в данной работе результаты имеют практическое значение при разработке импульсных источников излучения в видимом и УФ диапазонах спектра. При этом при использовании в конструкции сапфировой трубы, выращенной по методу А. В. Степанова, необходимо учитывать следующие рекомендации:
• Для оболочки требуется использовать участок корундовой трубы, выращенный в середине процесса направленной кристаллизации.
• Перед изготовлением колбы требуется провести химико-спектральный анализ на наличие примесей и дефектов в монокристаллической структуре.
• Выполнить механическую обработку (шлифовку и полировку) внутренней и внешней цилиндрических поверхностей на глубину до 0,25 мм до 14 класса чистоты с целью устранения приповерхностных газонаполненных пор.
• Провести отжиг колб в вакууме (710-4 мм рт. ст.) в течение 1–5 часов при температуре 1980 оС.
Авторы выражают надежду, что представленные в данной работе результаты позволят разработчикам плазменных устройств сократить область экспериментального исследования при создании оптимальной конструкции прибора на основе монокристалла сапфира.
Список литературы
- Гавриш С. В. // Прикладная физика. 2011. № 4. С. 42.
- Тумашевич К. А., Киреев С. Г., Шашковский С. Г., Пугачев Д. Ю. // Успехи прикладной физики. 2019. Т. 7. № 6. С. 608.
- Гавриш С. В., Кугушев Д. Н., Пугачев Д. Ю., Пучнина С. В., Шашковский С. Г. // Прикладная физика. 2020. № 3. С. 69.
- Гавриш С. В., Логинов В. В., Пучнина С. В. // Успехи прикладной физики. 2018. Т. 6. № 4. С. 333.
- Гавриш С. В. // Прикладная физика. 2010. № 4. С. 45.
- Гавриш С. В., Логинов В. В., Пугачев Д. Ю., Пучнина С. В. // Успехи прикладной физики. 2019. Т. 7. № 5. С. 480.
- Маршак И. С., Дойников А. С., Жильцов В. П. и др. Импульсные источники света. / 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергия, 1978.
- Рохлин Г. Н. Разрядные источники света. – М.: Энер-гоатомиздат, 1991.
- Гавриш С. В., Петренко Н. Ю., Пугачев Д. Ю. // Успехи прикладной физики. 2020. Т. 8. № 1. С. 75.
- Лингарт Ю. К., Петров В. А., Тихонова Н. А. // ТВТ. 1982. Т. 20. № 5. С. 872.
- Добровинская Е. Р., Литвинов Л. А., Пищик В. В. Энциклопедия сапфира. – Харьков: Институт монокристаллов, 2004.
- Aric Loytty. // Lighing Design and application. 1976. February. Р. 14.
- Гавриш С. В. // Технология машиностроения. 2008. № 6. С. 56.
- Сатункин Г. А., Татарченко В. А., Цейтлин Е. М., Яловец Т. Н. // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. 1976. Т. 40. № 7. С. 1492.
- Торопкин Г. Н. Основы надежности изделий кванто-вой электроники. – М.: Сов. Радио, 1983.
- Арбузов В. И. Основы радиационного оптического материаловедения: учеб. пособие. – СПб: СПбГУИТМО. 2008.
- S. V. Gavrish, Applied Physics, No. 4, 42 (2011) [in Russian].
- K. A. Tumashevich, S. G. Kireev, S. G. Shashkovsky, and D. Yu. Pugachev, Usp. Prikl. Fiz. 7 (6), 608 (2019).
- S. V. Gavrish, D. N. Kugushev, D. Yu. Pugachev, S. V. Puchnina, and S. G. Shashkovsky, Applied Physics, No. 3, 69 (2020).
- S. V. Gavrish, V. V. Loginov, and S. V. Puchnina, Usp. Prikl. Fiz. 6 (4), 333 (2018).
- S. V. Gavrish, Applied Physics, No. 4, 45 (2010) [in Russian].
- S. V. Gavrish, V. V. Loginov, D. Y. Pugachev, and S. V. Puchnina, Usp. Prikl. Fiz. 7 (5), 480 (2019).
- I.S. Marshak, A.S. Doinikov, V.P. Zhiltsov, et al., Pulsed light sources, 2nd ed. revised. and additional. (Energy, Moscow, 1978).
- G. N. Rokhlin, Discharge light sources. (Energoatomizdat, Moscow, 1991).
- S. V. Gavrish, N. Yu. Petrenko, and D. Yu. Pugachev, Usp. Prikl. Fiz. 8 (1), 75 (2020).
- Yu. K. Lingart, V. A. Petrov, and N. A. Tikhonova, TVT 20 (5), 872 (1982).
- E. R. Dobrovinskaya, L. A. Litvinov, and V. V. Pishchik, Sapphire Encyclopedia. (Institute of Single Crystals, Kharkov, 2004).
- Aric Loytty, Lighting Design and application, February, 14 (1976).
- S. V. Gavrish, Engineering Technology, No. 6, 56 (2008).
- G. A. Satunkin, V. A. Tatarchenko, E. M. Zeitlin, and T. N. Yalovets, Izv. USSR Academy of Sciences, ser. Physical 40 (7), 1492 (1976).
- G. N. Toropkin, Fundamentals of reliability of products of quantum electronics. (Sov. Radio, Moscow, 1983).
- V. I. Arbuzov, Fundamentals of Radiation Optical Materials Science: tutorial. (SPbGUITMO, St. Petersburg, 2008).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Лебедев Ю. А., Шахатов В. А.
Разложение СО2 в тлеющем разряде (аналитический обзор) 323
Иванов В. А.
Электрическое поле на поверхности погруженного в плазму металлического электрода при большом отрицательном потенциале 343
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Бурлаков И. Д., Кузнецов С. А., Яковлев А. Ю.
Современные тенденции развития фотоэлектроники (Обзор материалов XXVI Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения) 351
Болтарь К. О., Лопухин А. А., Власов П. В., Яковлева Н. И.
Фотоприемные устройства на основе гомо- и гетероструктур двойных и тройных соединений группы антимонидов 381
Сотникова Г. Ю., Александров С. А., Гаврилов Г. А.
Средневолновая ИК-пирометрия с использованием фотодиодов на основе InAs и InAsSb (обзор) 389
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Гавриш С. В., Логинов В. В., Пучнина С. В., Ушаков Р. М.
Влияние структурного совершенства сапфира на оптические характеристики оболочки импульсной газоразрядной лампы 404
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Денисов Д. Г., Патрикеева А. А., Морозов А. Б.
Высокоточный метод аттестации параметров формы крупногабаритных полированных плоских оптических изделий на основе расчёта и анализа спектральной плотности корреляционной функции 411
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Yu. A. Lebedev and V. A. Shakhatov
Decomposition of CO2 in a glow discharge (analytical review) 323
V. A. Ivanov
Electric field on the surface of a metal electrode immersed in plasma at a high negative potential 343
PHOTOELECTRONICS
I. D. Burlakov, S. A. Kuznetsov, and A. Yu. Yakovlev
Current trends in the development of photoelectronics (Review of the materials of the XXVI International scientific and technical conference on photoelectronics and night vision devices) 351
K. O. Boltar, A. A. Lopuhin, P. V. Vlasov, and N. I. Iakovleva
Homo- and heterostructures based on the binary and ternary alloys of antimonide group semiconductors 381
G. Yu. Sotnikova, S. E. Alexandrovand, and G. A. Gavrilov
Mid- Infrared Pyrometry based on InAs and InAsSb Photodiodes (a review) 389
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
S. V. Gavrish, V. V. Loginov, S. V. Puchnina, and R. M. Ushakov
Influence of the structural perfection of sapphire on the optical characteristics of the shell of a pulsed discharge lamp 404
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
D. G. Denisov, A. A. Patrikeeva, and A. B. Morozov
A high-precision method for attesting the shape parameters of large-sized polished flat optical products based on the calculation and analysis of the spectral density of the correlation function 411
Другие статьи выпуска
В работе рассматривается возможность описания средне- и мелкоструктурных неоднородностей профилей поверхностей крупногабаритных оптических изделий, используя двумерную спектральную плотность корреляционной функции (СПКФ). Предложен метод измерения амплитудных значений пространственных неоднородностей в широком спектральном диапазоне, на основе теоремы Парсеваля и Винера-Хинчина, используя алгоритм приведения двумерной функции СПКФ к одномерному виду. Данный метод позволяет сравнивать измеренную функцию СПКФ с теоретически рассчитанной и указанной в техническом задании на изготовление оптической детали, а также выдвигать требования на аппаратуру контроля. В статье представлено математическое описание метода приведения двумерной функции СПКФ к одномерному виду функции и предложен алгоритм программного обеспечения, разработанного для реализации данного метода приведения функции СПКФ, и его апробация как на математических моделях поверхностей, так и на результатах экспериментальных измерений.
Представлен обзор современного состояния мирового рынка пирометров промышленного назначения. Приводятся технические характеристики макетов специализированных пирометров, разработанных в лабораториях ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН и реализованных на отечественной элементной базе фотоприемников.
Предложена конструкция универсального пирометрического сенсора на основе неохлаждаемых одно и двухспектральных фотодиодных сэндвич-структур с максимумами спектральной чувствительности в средневолновый (MWIR) области спектра.
Отработаны алгоритмы градуировки и калибровки пирометров на исследуемый объект, что позволяет минимизировать методические составляющие погрешности при измерении истинной температуры объекта с неизвестными/изменяющимися значениями излучательной способности.
Показано, что пирометры на основе неохлаждаемых иммерсионных InAs и InAsSb фотодиодов по совокупности параметров быстродействие, точность, чувствительность и диапазон измерения температуры соответствуют лучшим образцам ИК-радиационных термометров, представленных на мировом рынке.
Исследованы фотоприемные устройства (ФПУ), детектирующие излучение в средневолновом инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, изготовленные на основе многослойных структур антимонидов с поглощающими слоями InSb, AlxIn1-xSb и InAs1-xSbx в том числе структуры с барьерными слоями InAlSb (InSb/InAlSb/InSb) и InAsSb (InAsSb/AlAsSb/InAsSb), предназначенные для оптико-электронных систем и приборных комплексов. Изготовлены фоточувствительные элементы (ФЧЭ) различной топологии, показано, что широкозонные тройные растворы AlxIn1-xSb и InAs1-xSbx, являются альтернативой узкозонному бинарному соединению InSb, поскольку фотодиоды на их основе имеют меньшие темновые токи, а, следовательно, шу-мы. Рассчитаны средние значения обнаружительной способности и эквивалентной шуму разности температур (ЭШРТ) ФПУ, изготовленных на основе матриц фоточувствитель-ных элементов (МФЧЭ) различной топологии.
25–27 мая 2022 года в Государственном научном центре Российской Федерации Акционерном обществе «НПО «Орион» состоялась XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
Найдено аналитическое решение уравнения Пуассона для расчета электрического поля на поверхности электрода, погруженного в однородную неизотермическую бесстолкновительную плазму, состоящую из электронов и однозарядных ионов с зарядом e, с температурой электронов Te, при больших значениях отрицательного электрического потенциала , когда параметр |e| / Te >> 1. Установлено, что размер слоя L плазмы с нарушенной квазинейтральностью вблизи высокопотенциального электрода увеличивается по сравнению с радиусом Дебая rD пропорционально параметру [e / 2Te]3/4 , L = rD [e / 2Te]3/4. Показано, что в лабораторной плазме с плотностью в интервале значений 10101013 см3 и температурой электронов от 1 до 10 эВ при больших значениях потенциала и параметра e/Te >> 1 электрическое поле, рассчитанное по полученной формуле E = | L вблизи поверхности погруженного в плазму электрода, от 20 до 200 раз меньше значений полей, рассчитанных по классической формуле E = | rD, полученной при малых потенциала и при значениях параметра e / Te << 1.
Приведен аналитический обзор результатов экспериментальных и теоретических исследований разложения углекислого газа в тлеющих разрядах. Из сравнительного анализа литературных данных предпринята попытка определить параметры разряда, при которых обеспечиваются максимальные значения степени разложения углекислого газа и энергетическая эффективность для конкретного устройства. Максимальные значения степени разложения сухого углекислого газа 40 % и энергетической эффективности 32 % достигаются в разрядных устройствах при силе тока от 10 до 100 мА, удельной мощности от 0,2 до 3,6 Вт/см, приходящейся на единицу длины положительного столба, при средних (50–60 Торр) и атмосферном давлениях в дозвуковом протоке газа с объёмным расходом 300 см3/с. Перспективными могут быть разрядные устройства, в которых для утилизации углекислого газа применяется импульсно-периодический (в диапазоне от несколько десятых долей до несколько десятков кГц) тлеющий разряд атмосферного давления.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400