Статья: Анализ оптических параметров эпитаксиальных слоев и многослойных гетероструктур на основе InGaAsP/InP (2015)

Читать онлайн

Разработана модель диэлектрической проницаемости для полупроводников со структурой цинковой обманки. Проведен расчет и построены модели показателя преломления и коэффициента поглощения гетероэпитаксиальных слоев соединений группы AIIIBV в расширенном диапазоне энергии излучения, а именно, 0,4—6,0 эВ.

A method is described for calculation of the dielectric function of crystals with the zinc-blende arrangement. Methods for modeling the index of refraction and the absorption in III-V compounds are completed over an extended practical energy range.

Ключевые фразы: лавинные фотоприемники, ingaasp, гетероэпитаксиальные структуры, показатель преломления, коэффициент поглощения
Автор (ы): Скребнева Полина Станиславовна (Skrebneva P. S.), Никонов Антон Викторович, Яковлева Наталья Ивановна, Пономаренко Владимир Павлович
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
eLIBRARY ID
24397452
Для цитирования:
СКРЕБНЕВА П. С., НИКОНОВ А. В., ЯКОВЛЕВА Н. И., ПОНОМАРЕНКО В. АНАЛИЗ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ INGAASP/INP // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2015. ТОМ 3, №5
Текстовый фрагмент статьи