Архив статей

Анализ оптических параметров эпитаксиальных слоев и многослойных гетероструктур на основе InGaAsP/InP (2015)

Разработана модель диэлектрической проницаемости для полупроводников со структурой цинковой обманки. Проведен расчет и построены модели показателя преломления и коэффициента поглощения гетероэпитаксиальных слоев соединений группы AIIIBV в расширенном диапазоне энергии излучения, а именно, 0,4—6,0 эВ.