Экспериментально исследованы процессы растекания импульсного тока с шаровых электродов и электрический пробой в кварцевом песке. При плотностях тока на электроде больше критической величины происходит нелинейное уменьшение сопротивления заземления в результате искрообразования в грунте. Определены значения критической напряженности электрического поля ионизациия и пробоя. Показано, что на электроде развивается ионизационно-перегревная неустойчивость, которая приводит к контракции тока и образованию плазменных каналов.
The results of laboratory experiments on the spreading of pulsed current with spherical electrodes and electrical breakdown in quartz sand are presented. If the current density at the electrode exceeds the critical value, then the earthing resistance nonlinear reduced as a result of ionization in the sand. Values of critical intensity of electric field for sparking and breakdown are defined. It is shown that ionization-overheating instability develops near electrode. Instability leads to a contraction of current and formation of plasma channels.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 22273861
При плотностях импульсных токов больше критических происходит резкое нелинейное уменьшение сопротивления заземления в результате ионизации и искрообразования в грунте вблизи электрода. На электроде развивается ионизационно-перегревная неустойчивость, которая приводит к контракции тока и образованию плазменных каналов. Предложен метод определения критической напряженности электрического поля, при которой начинается ионизация в грунте, исходя из зависимости тока от напряжения на заземляющем электроде. Величина средней напряженности электрического поля пробоя Eb уменьшается с увеличением длины промежутка и влажности. Пробой в мокром песке развивается по разным механизмам в коротких (около 3 см) и длинных (более 10 см) промежутках, в которых среднее поле пробоя в промежутке Eb падает до уровня 2 кВ/см. В коротких промежутках пробой аналогичен пробою в воздухе, а в длинных промежутках пробой развивается с большим временем задержки (~1 мс), аналогично тепловому пробою, при этом скорость прорастания контрагированного плазменного канала в песке на два порядка меньше, чем скорость лидера в атмосфере.
Список литературы
1. Базелян Э. М., Райзер Ю. П. Физика молнии и молниезащиты. — М.: Физматлит, 2001.
2. Взрывные генераторы мощных импульсов электрического тока. Под редакцией Фортова В. Е. — М.: Наука, 2002.
3. Анненков В. З. // Электричество. 1993. № 12. С. 15.
4. Рябкова Е. Я. Заземления в установках высокого напряжения. — М.: Энергия, 1978.
5. Berger K. // Bulletin SEV. 1946. No. 8. P. 107.
6. Takeuchi M., Yasuda Y., Fukuzono H. // Proc. 24th Int. Conf. Lightning Prot., Birmingham, U.K., 1998. P. 513.
7. Yasuda Y., Kondo S., Hara T., Ikeda J., Sonoi Y., Furoka Y. // IEEJ Transactions on Power and Energy. 2003. V. 123B. No. 6. P. 718.
8. Vainer A. L., Floru V. N. // Elect. Technol. USSR (GB). 1971.V. 2. No. 5. P. 18.
9. Asimakopoulou F. E., Gonos I. F., Stathopulos I. A. // XVII International Symposium on High Voltage Engineering, Hannover, Germany, August 22—26, 2011. P. 101.
10. Nor Mohamad N., Haddad A., Griffiths H. // IEEE Trans. Power Delivery. 2006. V. 21. P. 353.
11. Борисов Р. К., Коломиец Е. В., Колиушко Г. М. // Сб. докл. 3-й Российской конф. по заземляющим устройствам. Новосибирск, 27—31 ноября, 2008 г. С. 61.
12. Вилков Ю. В., Кравченко А. С., Саиткулов М. М. и др. // ПТЭ. 2009. № 2. С. 75.
13. Техника высоких напряжений. Под редакцией Костенко М. В. — М.: Высшая школа. 1973.
14. Liew A. C., Darveniza M. // Proc. IEE. 1974. V. 121. No. 2. P. 123.
15. Phillips A., Anderson J. G. // Technical Report 1006866. 2002. EPRI. Palo Alto. California. P. 123.
16. Базелян Э. М., Скобарихин Ю. В., Манасыпов Р. Ф. // Известия Академии наук. Серия Энергетика. 2010. № 5. С. 33.
17. Bok-Hee Lee, Geon-Hun Park, Hoe-Gu Kim, et al. // Journal of Electrical Engineering & Technology. 2009. V. 4. No. 1. P. 98.
18. Королев Ю. Д., Месяц Г. А. Физика импульсного пробоя газов. — М.: Наука, 1991.
19. Аксинин В. И., Казанцев С. Ю., Кононов И. Г. и др. // Прикладная физика. 2014. № 1. С. 5.
20. Ашурбеков Н. А., Иминов К. О., Рамазанов А. Р. и др. // Прикладная физика. 2014. № 2. С. 29.
21. Курбанисмаилов В. С., Омаров О. А., Рагимханов Г. Б. и др. // Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2. № 3. С. 234.
1. E. M. Bazelyan and Yu. P. Raizer, Physics of Lighting and Lightning Protection (Fizmatlit, Moscow, 2001) [in Russian].
2. Explosive Generators of High-Power Pulses of Electric Current. Ed. by V. E. Fortov (Nauka, Moscow, 2002) [in Russian].
3. V. Z. Annenkov, Elektrichestvo, Электричество, No. 12, 15 (1993).
4. E. Ya. Ryabkova, Grounding in High-Voktage Devices (Energiya, Moscow, 1978) [in Russian].
5. K. Berger, Bulletin SEV. No. 8,107 (1946).
6. M. Takeuchi, Y. Yasuda, and H. Fukuzono, in Proc. 24th Int. Conf. Lightning Prot., (Birmingham, U.K., 1998). P. 513.
7. Y. Yasuda, S. Kondo, T. Hara, et al., IEEJ Transactions on Power and Energy 123B, 718 (2003).
8. A. L. Vainer and V. N. Floru,/ Elect. Technol. USSR (GB). 2 (5), 18 (1971).
9. F. E. Asimakopoulou, I. F. Gonos, and I. A. Stathopulos, in Proc. XVII International Symposium on High Voltage Engineering, (Hannover, Germany, August 22—26, 2011). P. 101.
10. N. Nor Mohamad, A. Haddad, and H. Griffiths, IEEE Trans. Power Delivery 21, 353 (2006).
11. R. K. Borisov, E. V. Kolomiets, et al., in Proc. III Russian Conf. on Grounding (Novosibirsk, Russia, 2008). P. 61.
12. Yu. V. Vilkov, A. S. Kravchenko, M. M. Sotkulov, et al., Instrum. Exp. Tech., No. 2, 75 (2009).
13. Engineering of High Voltage Ed. by M. V. Kostenko (Vyssh. Shkola, Moscow, 1973) [in Russian].
14. A. C. Liew and M. Darveniza, Proc. IEE. 121, 123 (1974).
15. A. Phillips and J. G. Anderson, Technical Report 1006866. 2002. EPRI. Palo Alto. California. P. 123.
16. E. M. Bazelyan, Yu. V. Skobarikhin, and R. F. Manasypov, Bull. Russ. Acad. Sci.: Electr., No. 5, 33 (2010).
17. Bok-Hee Lee, Geon-Hun Park, Hoe-Gu Kim, et al., Journal of Electrical Engineering & Technology 4,98 (2009).
18. Yu. D. Korolev and G. A. Mesyats, Physics of Gas Pulse Breakdown (Nauka, Moscow, 1991) [in Russian].
19. V. I. Alsinin, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, et al., Prikladnaya Fizika, No. 1, 5 (2014).
20. N. A. Ashurbekov, K. O. Iminov, A. R. Ramazanov, et al., Prikladnaya Fizika, No. 2, 29 (2014).
21. V. S. Kurbanismailov, O. A. Omarov, G. B. Ragimkhanov, et al., Uspekhi Prikladnoi Fiziki 2, С. 234 (2014).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Голятина Р. И., Майоров С. А. Расчет характеристик переноса электронов в смеси гелия с ксеноном 5
Анпилов А. М., Бархударов Э. М., Коссый И. А., Лукьянчиков Г. С., Мисакян М. А., Моряков И. В. Тонкая наноструктурированная углеродная плёнка на поверхности металла как способ предотвращения мультипакторного разряда 11
Морозов А. Н., Скрипкин А. В. Диффузия ионов в электролите под действием случайного тока 16
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Василяк Л. М., Ветчинин С. П., Панов В. А., Печеркин В. Я., Сон Э. Е. Электрический пробой при растекании импульсного тока в песке 20
Андреев С. Е., Ульянов Д. К. Метод управления спектром плазменного релятивистского СВЧ-генератора в частотно-периодическом режиме 26
Богачев Н. Н., Богданкевич И. Л., Гусейнзаде Н. Г. Моделирование режимов работы плазменной антенны 30
Герман В. О., Глинов А. П., Головин А. П., Козлов П. В. О влиянии внешнего магнитного поля на устойчивость электродугового разряда 35
Боровской А. М. Моделирование течения газа с учётом нагрева в цилиндрических каналах высоковольтных плазмотронов переменного тока 40
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Болтарь К. О., Власов П. В., Ерошенков В. В., Лопухин А. А. Исследование фотодиодов c токами утечки в матричных фотоприемниках на основе антимонида индия 45
Седнев М. В., Болтарь К. О., Шаронов Ю. П., Лопухин А. А. Ионно-лучевое травление для формирования мезаструктур МФПУ 51
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Кузьмин В. Д., Ремесник В. Г., Сидоров Ю. Г. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур 56
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Кузьмин В. Д., Ремесник В. Г., Сидоров Ю. Г. Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) 62
Демидов С. С., Климанов Е. А. Влияние параметров границы раздела полупроводник-диэлектрик на ток охранного кольца кремниевых фотодиодов 68
Демидов С. С., Климанов Е. А., Нури М. А. Кремниевый координатный фотодиод с улучшенными параметрами 73
Кашуба А. С., Головин С. В., Болтарь К. О., Пермикина Е. В., Атрашков А. C. Исследование влияния термообработки на электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев гетероструктур теллурида кадмия-ртути 76
Бурлаков И. Д., Денисов И. А., Сизов А. Л., Силина А. А., Смирнова Н. А. Исследование шероховатости поверхности подложек CdZnTe различными методами измерения нанометровой точности 80
Костюк Б. А., Варавин В. С., Парм И. О., Ремесник В. Г., Сидоров Г. Ю. Влияние плазмохимического травления и последующего отжига на электрофизические свойства CdHgTe 85
Андреев Д. С., Гришина Т. Н., Мищенкова Т. Н., Тришенков М. А., Чинарева И. В. Формирование общего контакта в мезапланарных матрицах фоточувствительных элементов на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP 90
Комков О. С., Фирсов Д. Д., Ковалишина Е. А., Петров А. С. Спектральные характеристики поглощения в эпитаксиальных структурах на основе InAs при температурах 80 К и 300 К 93
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Мелкумян Б. В. Лазерный акселерометр на основе автономного резонаторного датчика 97
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» 102
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
R. I. Golyatina and S. A. Maiorov Calculation of the characteristics electron transport in a mixture of helium and xenon 5
A. M. Anpilov, E. M. Barkhudarov, I. A. Kossyi, G. S. Luk’yanchikov, M. A. Misakyan, and I. V. Moryakov Thin film of nano-dimensional carbon deposition on the metallic samples as a multipactor prevention method 11
A. N. Morozov and A. V. Skripkin Diffusion of ions in the electrolyte under the influence of random current 16
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
L. M. Vasilyak, S. P. Vetchinin, V. A. Panov, V. Ya. Pecherkin and E. E. Son Electric breakdown under the spread of pulsed current in a sand 20
S. E. Andreev and D. K. Ulyanov Method of radiation spectrum control for plasma relativistic microwave oscillator in repetitively-rated regime 25
N. N. Bogachev, I. L. Bogdankevich and N. G. Gusein-zade Simulation of plasma antenna operation modes 30
V. O. German, A. P. Glinov, A. P. Golovin and P. V. Kozlov About influence of an exterior magnetic field on stability of an electric arc 35
A. M. Borovskoi Simulation of gas flow in the cylindrical channels of high-voltage AC plasma torches subject to heating 40
PHOTOELECTRONICS
K. O. Boltar, P. V. Vlasov, V. V. Eroshenkov and A. A. Lopuhin Research of photodiodes with a leakage current in the InSb FPA 45
M. V. Sednev, K. O. Boltar, Y. P. Sharonov and A. A. Lopukhin Effects of ion-beam etching at formation of mesa-structures with the submicron sizes 51
A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. V. Vasilev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. D. Kuzmin, V. G. Remesnik and Yu. G. Sidorov The investigation of admittance of MIS-structures based on graded-gap MBE n-HgCdTe (x = 0.22—0.23 and 0.31—0.32) in wide temperature range 56 A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. V. Vasilev, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. D. Kuzmin, V. G. Remesnik and Yu. G. Sidorov The peculiarities of admittance of MIS structures based on graded-gap MBE p-HgCdTe (x = 0.22—0.23) 62
S. S. Demidov and E. A. Klimanov Influence of parameters of a semiconductor-dielectric border on the current of a guard ring for silicon photodiodes 68
S. S. Demidov, E. A. Klimanov and M. A. Nuri The coordinate silicon photodiode with improved parameters 73
A. S. Kashuba, C. V. Golovin, K. O. Boltar, E. V. Permikina and A. S. Atrashkov Investigation of influence the heat processing time on electrophysical characteristics of CdхHg1-хTe multilayered structures 76
I. D. Burlakov, I. А. Denisov, A. L. Sizov, А. А. Silina and N. А. Smirnova The surface roughness investigation of CdZnTe sub-strates by different measuring methods of nanometer accuracy 80
B. A. Kostiuk, V. S. Varavin, I. O. Parm, V. G. Remesnik and G. Y. Sidorov Influence of plasma etching and following storage on the CdHgTe electrical properties 85
D. S. Andreev, T. N. Grishina, T. N. Mishchenkova, M. A. Trishenkov and I. V. Chinareva Forming of the general contact in a mesaplanar FPA on basis of the InGaAs/InP heteroepitaxial structures 90
O. S. Komkov, D. D. Firsov, E. A. Kovalishina and A. S. Petrov Spectral absorption characteristics in epitaxial structures based on InAs at temperatures of 80 K and 300 K 93
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
B. V. Melkoumian Laser accelerometer on base of the autonomous resonator sensor 97
INFORMATION
Rules for authors 102
Другие статьи выпуска
Проведено исследование основных причин возникновения фотодиодов с токами утечки в МФПУ на основе антимонида индия. На большом объеме МФЧЭ установлена связь одноточечной дефектности с напряжением пробоя, диффузионной длиной, концентрацией основных носителей и плотностью дислокаций. Представлены характерные распределения дефектности по пластинам антимонида индия. Показано влияние на дефектность качества обработки пластин после резки слитков и погрешностей технологии изготовления.
Характеристики плазмотронов зависят от организации подачи плазмообразующего газа и характера взаимодействия газового потока с электрическими дугами. Поэтому в процессе исследования было выполнено 3D-моделирование течения воздуха с учётом его нагрева от столба электрической дуги в областях тангенциальной подачи, в цилиндрическом канале, в сужающемся сопле и в смесительной камере исследуемых плазмотронов и за их пределами (в окружающей среде). При этом скорость газа, нагретого от дугового столба, на выходе из сужающегося сопла и из смесительной камеры в 2—6 раз больше скорости холодного газа.
Разработана стендовая установка для исследования способов стабилизации и дестабилизации разряда, связанных с наложением внешнего магнитного поля на основе системы линейных токов, включенных последовательно в цепь разряда. Получены данные о влиянии конфигурации внешнего магнитного поля на движение и форму дугового столба, размеры и скорости перемещения его опорных пятен и электродных струй-факелов.
С помощью численного моделирования изучались особенности и режимы работы плазменной несимметричной вибраторной антенны конечной длины и диаметра на частоте сигнала f0 = 1,7 ГГц. Концентрация плазмы изменялась в пределах двух порядков, результаты расчетов сравнивались с аналогичной металлической антенной. Получены распределения составляющих электрических полей антенн в ближней зоне и диаграммы направленности. Приведены диаграммы направленности металлического вибратора, полученные в результате измерения и моделирования в двух программах.
Плазменный релятивистский генератор может работать в режиме генерации одиночного импульса СВЧ-излучения или частотно-периодическом режиме (до 50 импульсов в секунду, длительностью до 80 нс, мощность до 50 МВт с частотами излучения от 2 до 25 ГГц). Для получения и исследования режимов генерации в частотнопериодическом режиме необходима оперативная обработка получаемых временных рядов. Представлена методика анализа временного ряда за время между экспериментами серии, позволяющая найти требуемый режим работы устройства. Приведены примеры достигнутых в результате исследования режимов работы плазменного релятивистского СВЧ-генератора.
Рассматривается диффузия ионов электролита вблизи электрода при наличии флуктуирующего тока через его поверхность. Показано, что плотность ионов вблизи электрода испытывает случайные изменения, имеющие характер фликкер-шума. Найдены статистические характеристики таких флуктуаций.
Нанесённая на поверхность металла тонкая наноуглеродная плёнка способна уменьшить коэффициент вторичной электроннной эмиссии до величины менее или равной единице. Тем самым устранить возможность развития мультипакторного разряда. В работе описан метод получения коллоидного раствора углерода, способ создания на его основе наноструктурированной плёнки на поверхности металла, а также результаты измерения коэффициента вторичной электронной эмиссии, полученного образца.
Рассчитаны и проанализированы характеристики дрейфа электрона в смеси гелия с ксеноном при напряженности электрического поля E/N= 1—100 Тд с учетом неупругих столкновений. Показано, что даже незначительная добавка ксенона в гелий, начиная с долей процента, сильно влияет на разряд, в особенности, на характеристики неупругих процессов. Исследовано влияние процентного состава гелия и ксенона на дрейф электронов, в частности, на коэффициенты диффузии и подвижности, частоту ионизации и т. д.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400