На туннельном микроскопе исследованы ВАХ в автоэмиссионном наноконтакте вольфрамовый микрозонд—микрозерно поверхности полупроводников А3В5. ВАХ эмиссии из зёрен GaAs соответствуют теории полевой эмиссии из металлов, а узкозонных InSb и InAs — эмиссии из приповерхностных электронных состояний. В режимах эмиссии и инжекции наблюдались важные для практики явления низкополевой эмиссии и ограничений тока локализованным зарядом. Результаты объясняются в рамках модели кулоновского взаимодействия и локализации лёгких электронов.
We have investigated the current-voltage characteristics for the field emission nanocontact “tungsten microprobe—micrograin surface of semiconductors A3B5, which have obtained by the tunnel microscope. The VA curves for an electron emission from GaAs grains are correspond to the theory of field emission from metals, and in the case of narrow-gap InAs and InSb grains are correspond to the emission from near surface electronic states. In modes of emission and injection, phenomena were observed which is important for practice the low-field emission and the limitation of current by a localized charge. The results are explained in terms of the model of the Coulomb interaction and localization of light electrons.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 537.5. Электронные и ионные явления. Разряды. Плазма. Излучения
53.097. от электрических влияний
621.315. Передача электрической энергии. Провода и кабели, используемые для передачи энергии и для связи. Проводники. Электроизоляционные материалы. Линейная арматура. Сооружение линий электропередачи - eLIBRARY ID
- 23649660
В работе показано, что ВАХ эмиссии из зё- рен GaAs соответствуют теории полевой эмиссии из металлов, а узкозонных InSb и InAs — эмиссии из приповерхностных состояний полупроводников. В узкозонных полупроводниках наблюдаются важные для практики явления низкополевой эмиссии и ограничения тока локализованным зарядом. За счёт кулоновской блокады темновые токи имеют очень малые величины (менее 10-10 А), а токи при засветке, которая «срывает» эффект, — резкий рост. Это должно дать резкое повышение параметров фоточувствительности, что свидетельствует о перспективности использования микроструктурного антимонида индия собственного типа проводимости как фото- и автокатода. Результаты работы могут быть использованы при исследованиях и разработках элементов и схем эмиссионной микроэлектроники и фотокатодов.
Список литературы
1. Свинцов Д. А., Вьюрков В. В., Лукичёв В. Ф. и др. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 2. С. 244.
2. Жуков Н. Д., Глуховской Е. Г. // Нанотехника. 2014. В. 2(38). С. 127.
3. Жуков Н. Д., Глуховской Е. Г. Тезисы докладов Х Научно-практической конференции «Нанотехнологии — производству». — М.: «Янус-К». 2014. С. 144.
4. Рыков С. А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур. — СПБ: Наука. 2001.
5. Тутов Е. А., Тума Ф. А., Кукуев В. И. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2006. Т. 8. № 4. С. 334.
6. Егоров Н. В., Шешин Е. П. Электронная эмиссия. — М.: Изд. Интеллект (Долгопрудный). 2011.
7. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. — М.: Мир. 1973.
8. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. — М.: Мир. 1967.
9 Щелкачёв Н. М., Фоминов Я. В. Электрический ток в наноструктурах: кулоновская блокада и квантовые точечные контакты. — М.: МФТИ. 2010.
10. Баграев Н. Т., Буравлёв А. Д., Клячкин Л. Е. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 6. С. 716.
11. Стеценко Б. В. // ЖТФ. 2011. Т. 81. В. 4. С. 152.
1. D. A. Svintsov, V. V. V’yurkov, V. F. Lukichev, et al., Semiconductors 47, 244 (2013).
2. N. D. Zhukov and E. G. Gluhovskoy, Nanotekhnika, No. 2(38), 127 (2014).
3. N. D. Zhukov and E. G. Gluhovskoy, in Proc. Х Conf. «Nanotechnology — to Production». (Yanus-K, Moscow, 2014). P. 144 [in Russian].
4. S. A. Rykov, Scanning Probe Microscopy of Semiconductors (Nauka, S-Pb, 2001) [in Russian].
5. E. A. Tutov, F. A. Tuma, and V. I. Kukuev, Konders. Sredy 8, 334 (2006).
6. N. V. Egorov and E. P. Sheshin, Electron Emission (Intellekt, Dolgoprudny, 2011) [in Russian].
7. M. Lampert and P. Mark, Injective Currents in Solids (Mir, Moscow, 1973) [in Russian].
8. O. Madelung, Physics of Semiconductor Compounds of Elements of the III and V Groups (Mir, Moscow, 1967) [in Russian].
9. N. M. Shchelkachev and Ya. V. Fominov, Electrical Currents in Nanostructures (MFTI, Moscow, 2010) [in Russian].
10. N. T. Bagraev, A. D. Buravlev, L. E. Klyachkin, et al., Semiconductors 39, 716 (2005).
11. B. V. Stetsenko, Tech. Phys. 81 (4), 152 (2011).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Глуховской Е. Г., Жуков Н. Д. Протекание тока в автоэмиссионном наноконтакте металл—полупроводник 5
Нищев К. Н., Новопольцев М. И., Саврасов К. В., Мишкин В. П., Елисеев В. В., Мартыненко В. А., Гришанин А. В. Исследование низкотемпературного спекания серебросодержащих паст методом растровой электронной микроскопии 10
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Мещеряков А. И., Вафин И. Ю. Измерения эффективного заряда плазмы по спектру мягкого рентгеновского излучения и по проводимости на стеллараторе Л-2М в условиях боронизации вакуумной камеры 15
Долгов А. Н., Прохорович Д. Е., Клячин Н. А. Возможный механизм формирования наблюдаемой структуры источников мягкого рентгеновского излучения в микропинче 20
Александров А. Ф., Петров А. К., Вавилин К. В., Кралькина Е. А., Неклюдова П. А., Никонов А. М., Павлов В. Б., Айрапетов А. А., Одиноков В. В., Сологуб В. А., Павлов Г. Я. Исследование параметров плазмы «геликонного» разряда в макете ВЧ гибридной плазменной системы 25
Андреев В. В., Новицкий А. А., Винниченко Л. А., Умнов А. М., Ндонг Д. Д. Параметры электронного пучка, инжектируемого в магнитную ловушку плазменного ускорителя 29
Андреев В. В., Новицкий А. А., Умнов А. М., Чупров Д. В. Пространственная конфигурация плазменного сгустка, полученного при гиромагнитном резонансе в пробочной магнитной ловушке 35
Виноградов С. В., Кононов М. А., Кононов В. М. Получение ориентированных тетраэдрических углеродных фуллеренов методом магнетронного распыления 40
Головин А. И. Оценка влияния параметров анода на вольт-амперную характеристику открытого разряда 43
Иванов К. Г., Щербаков А. П., Иванов Д. К. Образование плазменного шнура углеродным волокном 47
Аль-Харети Ф. М. А., Омаров О. А., Омарова Н. О., Омарова П. Х., Хачалов М. Б. Роль термоэлектронной эмиссии в формировании и развитии искрового канала в газах 52
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Балиев Д. Л., Болтарь К. О. Влияние многократных термоударов на распределение элементов с повышенным шумом в многорядном МФПУ 57
Козлов К. В., Кузнецов П. А. Исследование влияния алгоритма ВЗН на выходные характеристики многорядного МФПУ 61
Яковлева Н. И., Болтарь К. О. Быстродействующие матрицы фотодиодов на основе двойных гетероструктур InGaAs–InGaAlAs–InAlAs и их характеристики 66
Седнев М. В., Болтарь К. О., Иродов Н. А., Демидов С. С. Исследование фотоэлектрической взаимосвязи элементов матричных ФП на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs 73
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Амосов В. Н., Родионов Н. Б., Митрофанов К. В., Егоров А. С., Мещанинов С. А., Родионов Р. Н., Пиксайкин В. М. Тестирование алмазного нейтронного детектора на каскадном сильноточном ускорителе КГ–2,5 80
Железнов Ю. А., Хасая Р. Р., Хомич Ю. В., Ямщиков В. А. Эффективный метод увеличения длительности импульса излу-чения электроразрядного KrF-лазера 85
Шулюпин А. Н., Чернев И. И. Тепловизионный метод исследования гидродинамических характеристик пароводяных геотермальных скважин 89
Жуков Н. Д., Мосияш Д. С., Хазанов А. А., Абаньшин Н. П. Оптимизация структуры и материала автокатода 93
ИНФОРМАЦИЯ
Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике 98
Правила для авторов журнала 100
Бланк-заказ для подписки на 2015 г. 102
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
E. G. Gluhovskoy and N. D. Zhukov Charge transport in metal–semiconductor autoemission nanocontact 5
K. N. Nishchev, M. I. Novopoltsev, K. V. Savrasov, V. P. Mishkin, V. V. Eliseev, V. A. Martynenko, and A. V. Grishanin Investiga-tion of the process of low-temperature sintering of silver-pastes by the scanning electron microscopy 10
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
A. I. Meshcheryakov and I. Yu. Vafin Estimations of the plasma effective charge at the L-2M stellarator after boronization of its vacuum chamber on the basis of measurements of a soft X-ray spectrum and plasma conductivity 15
A. N. Dolgov, D. E. Prokhorovich, and N. A. Klyachin A possible mechanism of the observed patterns of the soft X-ray radiation in a micropinch 20
A. F. Aleksandrov, A. K. Petrov, K. V. Vavilin, E. A. Kralkina, P. A. Neklyudova, A. M. Nikonov, V. B. Pavlov, A. A. Ayrapetov, V. V. Odinokov, V. A. Sologub, and G. Ya. Pavlov Investigation of “Helicon” discharge plasma parameters in the hybrid RF plasma system 25
V. V. Andreev, A. A. Novitsky, L. A. Vinnichenko, A. M. Umnov, and D. O. Ndong Properties and parameters of a electron beam injected into a mirror magnetic trap of a plasma accelerator 29
V. V. Andreev, A. A. Novitsky, A. M. Umnov, and D. V. Chuprov Spatial distribution of a plasma vortex obtained under gyromagnetic resonance in the mirror magnetic trap 35
S. V. Vinogradov, M. A. Kononov, and V. M. Kononov Oriented tetrahedral fullerene getting by vacuum magnetron sputtering 40
A. I. Golovin Estimation of the effect of anode characteristics on volt-ampere curves for an open discharge 43
K. G. Ivanov, A. P. Shcherbakov, and D. K. Ivanov Formation of a plasma filament along the carbon fiber 47
F. M. A. Al-Harethi, O. A. Omarov, N. O. Omarova, P. H. Omarova, and M. B. Khachalov Explosive processes in the development of the spark channel at gas breakdown 52
PHOTOELECTRONICS
D. L. Baliev and K. O. Boltar Effect of multiple cooling cycles on high-noise elements distribution in TDI IR detectors 57
K. V. Kozlov and P. A. Kyznetsov Investigation of the TDI algorithm influence on FPA output characteristics 61
N. I. Iakovleva and K. O. Boltar High-speed FPAs based on InGaAs–InGaAlAs–InAlAs double heterojunctions and their current characteristics 66
M. V. Sednev, K. O. Boltar, N. A. Irodov, and Demidov Research of photoelectric interrelation of elements in a photodiode matrix on the basis of InGaAs heteroepetaxy structures 73
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
V. N. Amosov, S. A. Meshchaninov, N. B. Rodionov, R. N. Rodionov, A. S. Egorov, K. V. Mitrofanov, and V. M. Piksaikin Testing the diamond neutron detector at the KG–2.5 cascade high-current accelerator 80
Yu. A. Zheleznov, R. R. Khasaya, Yu. V. Khomich, and V. A. Yamcshikov Effective approach for increasing the duration of KrF laser radiation 85
A. N. Shulyupin and I. I. Chernev Heat shooting as a research method of hydrodynamic characteristics of steam-water geothermal wells 89
N. D. Zhukov, D. S. Mosiyash, A. A. Khazanov, and N. P. Abanshin Optimization of the structure and material for the field emission cathode 93
INFORMATION
Three Volumes on Photoelectronics 98
Rules for authors 100
Subscription 102
Другие статьи выпуска
В работе представлены данные экспериментального исследования формирования искрового канала, где в результате плавления вискера образуется катодное пятно с последующим дрейфом из него термоэлектронного пучка. Измерены параметры плазмы в различных типах разрядов. По регистрируемым спектрам ионных и атомных линий определялась концентрация электронов, а по их относительным интенсивностям — температура электронов в моменты образования стримера, канала и дуги.
Приведены результаты исследования электрической проводимости углеродных волокон (УВ) под воздействием импульсных токов. Показано, что импульсные токи через УВ, создают ионизированную плазму, шунтирующую сопротивление УВ образованием канала с высокой проводимостью вдоль волокна. Подобное явление может найти применение, например, для молниезащиты различных объектов.
Предложенная ранее математическая модель процессов в высоковольтном тлеющем разряде с убеганием электронов (открытом разряде) позволяет учитывать влияние положения и эффективной прозрачности анода на вольт-амперную характеристику. Выполнен численный анализ зависимостей безразмерных параметров, показавший, что в большинстве случаев влияние характеристик анода незначительно, что соответствует имеющимся экспериментальным данным.
Методом магнетронного распыления углерода в вакууме получены образцы пленок, состоящих из ориентированных тетраэдрических фуллеренов на стеклянной подложке с буферным слоем из нитрида циркония ZrN. Методом атомно-силовой микроскопии получены изображения тетраэдрических фуллеренов на подложке.
Экспериментально и численно изучается пространственная конфигурация релятивистских плазменных сгустков, генерируемых в процессе гиромагнитного авторезонанса и удерживаемых в зеркальной магнитной ловушке. С помощью рентгеноспектральных и рентгенорадиометрических измерений исследованы характеристики генерируемого плазменными сгустками тормозного излучения с газа и со стенок камеры, что позволило определить область локализации сгустка и проанализировать динамику его удержания.
Определены параметры инжектора аксиального плазменного пучка, инжектируемого в плазменный ускоритель, действующий на основе гирорезонансного ускорения электронов в реверсном магнитном поле. Методом частиц в ячейке проведено численное моделирование захвата электронов пучка в режим гирорезонансного ускорения. Определено оптимальное время аксиальной инжекции пучка в магнитную ловушку пробочного типа. Найдены параметры пучка, удовлетворяющие условиям эффективного захвата частиц в режим гиромагнитного авторезонанса.
В работе представлены результаты экспериментального исследования параметров плазмы «геликонного» разряда в макете ВЧ гибридной плазменной системы, оснащенном соленоидальной антенной. Показано, что с ростом величины внешнего магнитного поля происходит формирование плазменного «столба» и смещение максимальных значений ионного тока по оси разряда в сторону нижнего фланцу макета. Изменение конфигурации магнитного поля позволяет управлять формой плазменного столба.
В плазме микропинчевого разряда наблюдается устойчивое формирование трубчатой области, излучающей в диапазоне L-спектра плазмообразующего элемента. Оценки показывают, что за формирование трубчатого источника мягкого рентгеновского излучения может отвечать аномальное скинирование тока в перетяжке вследствие быстрого возрастания напряженности поля, вызванного аномальным ростом сопротивления плазмы.
Проведение процедуры боронизации стенок вакуумной камеры привело к тому, что существенно изменился состав плазмы в рабочих импульсах стелларатора Л-2М. Это, в свою очередь, вызвало необходимость вычисления эффективного заряда плазмы. В режиме омического нагрева был измерен эффективный заряд плазмы по проводимости плазменного шнура и из спектра мягкого рентгеновского излучения. Обнаружено сильное влияние боронизации на значение эффективного заряда плазмы. Сравнение значений эффективного заряда плазмы, измеренного двумя способами позволило определить условия, в которых оба метода дают хорошее согласие, и появляется возможность оценивать эффективный заряд плазмы из спектральных измерений.
Методом растровой электронной микроскопии исследованы изменения микроструктуры спеченных слоев серебросодержащих паст в зависимости от температуры процесса спекания (230—270 °С) при заданном давлении прессования, а также в зависимости от давления прессования (10—40 МПа) при заданной температуре спекания. Установлена корреляция полученных результатов с данными электрических измерений.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400