Исследована полевая эмиссия в разных вариантах структуры и материалов автокатода. Найдены условия оптимизации коэффициента усиления поля на автокатоде в условиях: структура — точечный (острийный) эмиттер, удалённый от (плоского) коллектора; материалы — узкозонные полупроводники А3В5. На зёрнах этих материалов микронного размера можно получить коэффициент усиления поля более 103, значения плотности тока эмиссии до 1А/см2.
На туннельном микроскопе исследованы ВАХ в автоэмиссионном наноконтакте вольфрамовый микрозонд—микрозерно поверхности полупроводников А3В5. ВАХ эмиссии из зёрен GaAs соответствуют теории полевой эмиссии из металлов, а узкозонных InSb и InAs — эмиссии из приповерхностных электронных состояний. В режимах эмиссии и инжекции наблюдались важные для практики явления низкополевой эмиссии и ограничений тока локализованным зарядом. Результаты объясняются в рамках модели кулоновского взаимодействия и локализации лёгких электронов.
Приводятся результаты исследования спектральных характеристик мощности низкочастотного шума от сопротивления резисторов, выполненных по толстопленочной технологии методом принтерной печати, при двух режимах. Первый, при фиксированном напряжении на резисторе U = 3,6 В и второй при фиксированном токе I = 7,8 мА. Показано, что при уменьшении ширины резистивной пленки флуктуации сопротивления и среднеквадратичное значение мощности низкочастотного шума изменяются по квадратичному закону, на основе полученных характеристик спектральной плотности мощности низкочастотного шум. При этом среднеквадратичное амплитудное значение мощности шума увеличивается при фиксированном токе и уменьшается при фиксированном напряжении. С научной точки зрения получен важный результат, который в будущем может использоваться при исследовании механизмов электропроводности и оценки электрофизических параметров резистивных компонентов, а том числе анализе надежности резистивных компонентов на основе низкочастотного шума.
Приводятся результаты исследования дрейфа низкочастотного шума углеродных ре-
зисторов в диапазоне частот 5 10 -4 –1 кГц после 108 часов электроимпульсной обра-
ботки при напряжении 35 В и длительности импульса 10 мкс. На основе анализа по-
лученных спектров зафиксирован рост низкочастотного шума на 5 и 12 % при полосе
пропускания 500 и 5 Гц, при этом дрейф сопротивления образцов составил менее 1 %.
С технологической и научной точки зрения получен важный результат, который в
будущем может использоваться для оценки надежности при исследовании структур
твердотельных электронных приборов.