В лабораторных условиях исследовано возникновение искровых каналов во влажном грунте у электрода при растекании импульсного тока c длительностью в диапазоне от нескольких микросекунд до сотен микросекунд при амплитуде напряжения 20—50 кВ. Разработана диагностика регистрации искровых каналов в объеме грунта. Впервые получены оптические изображения искровых каналов в грунте вблизи электродов различной формы. Подтверждено, что причиной образования искровых каналов при нелинейном растекании импульсного тока в грунте, когда происходит резкое уменьшение сопротивления заземления, является ионизационно-перегревная неустойчивость, возникающая при плотности тока на электроде больше критической. Развитие неустойчивости приводит к неоднородному распределению тока по сечению и возникновению искровых каналов.
Consideration is given to the laboratory experimental investigations of spark channels occurrence in wet soil at an electrode under spreading of pulse current with pulse duration in the range from several microseconds to hundreds of microseconds at an amplitude voltage of 20—50 kV. A diagnostics of registration of spark channels in soil was developed. For the first time, optical images of spark channels in soil have been obtained. It is confirmed that the reason for the formation of spark channels on the nonlinear stage of the spreading of the pulse current in soil is an ionizationoverheating instability that occurs when the current density on the electrode is more critical.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 26744170
В работе разработана методика оптической регистрации искровых каналов в объеме грунта. Впервые получены оптические изображения искровых каналов в объеме грунта вблизи электродов различной формы при растекании импульсного тока. Возникновение искровых каналов связано с ионизацией грунта вблизи поверхности электрода при плотности тока больше критического значения, что приводит к резкому снижению сопротивления заземления. Причиной образования искровых каналов при нелинейном растекании импульсного тока в грунте является ионизационно-перегревная неустойчивость, которая приводит к неоднородному распределению тока по сечению и возникновению искровых каналов.
Список литературы
1. Sunde E. D. Earth Conduction Effects in Transmission Systems. — New York: Van Nostrand Co., 1949.
2. Корсунцев А. В. // Электричество. 1958. № 5. С. 31.
3. Tatsuro O., Muneaki H. // Mem. Fac. Engng Kyoto Univ. 1963. Vol. 25. No. 4. P. 384.
4. Анненков В. З. // Электричество. 1993. № 12. С. 15.
5. Рябкова Е. Я. Заземления в установках высокого напряжения. — М.: Энергия, 1978.
6. Hayashi M. // The Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan. 1967. Vol. 87. P. 133.
7. Hayashi M., Higuchi T. / Proceedings of Fifth International Symposium on High Voltage Engineering (Germany, 1987). P. 1—4.
8. Víctor M., Cabrera M. // Journal of Electrostatics. 1993. Vol. 30. P. 47.
9. Han X.-m., Peng M.-f., Pu B.-j., Xia C.-z., Yu J.-h., Wang Y.-f., et al. / Power Engineering and Automation Conference (PEAM), 2011 IEEE, 2011, P. 36—40.
10. He J., Yuan J., Zhang B. // IEEJ Transactions on Power and Energy. 2013. Vol. 133. P. 947.
11. He J., Bo Z. / Asia-Pacific International Symposium and Exhibition on Electromagnetic Compatibility: APEMC (Australia, 2013) P. 94—98.
12. Zeqing S., Raghuveer M. R., Jingliang H. / Electrical Insulation and Dielectric Phenomena, 2000 Annual Report Conference on, 2000. Vol. 2. P. 739—742.
13. Zeqing S. Doctor of Philosophy Thesis, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Manitoba, Winnipeg, Manitoba, 2003.
14. Elzowawi A., Haddad A., Griffiths H. / 2015 Asia-Pacific international conference on lightning (APL). (Nagoya, Japan, 2015). P. 1—5.
15. Bazelyan E. M. and Raizer Yu. P. Lightning Physics and Lightning Protection (Bristol, IOP Publishing, 2000).
16. Ивонин В. В., Данилин А. Н., Ефимов Б. В., Колобов В. В., Селиванов В. Н., Василяк Л. М., Ветчинин С. П., Печеркин В. Я., Сон Э. Е. // Прикладная физика. 2015. № 4. С. 50.
17. Vasilyak L. M., Pecherkin V. Ya., Vetchinin S. P., Panov V. A., Son E. E., Efimov B. V., Danilin A. N., Kolobov V. V., Selivanov V. N., Ivonin V. V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2015. Vol. 48. P. 285201.
18. Ardelyan N. V., Bychkov V. L., Kosmachevskii K. V. // IEEE Transactions on Plasma Science. 2016. Vol. 44. No. 4. DOI: 10.1109/TPS.2016.2544804.
1. E. D. Sunde. Earth Conduction Effects in Transmission Systems (Van Nostrand Co., New York, NY, 1949).
2. A. V. Korsuntsev, Elektrichestvo, No. 5, 31 (1958).
3. O. Tatsuro and H. Muneaki, Mem. Fac. Engng Kyoto Univ. 25, 384 (1963).
4. V. Z. Annenkov, Elektrichestvo, No. 12, 15 (1993).
5. E. Y. Ryabkova, Ground Connections in the High-Voltage Installations (Energia, Moscow, 1978) [in Russian].
6. M. Hayashi, The Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan 87, 133 (1967).
7. M. Hayashi and T. Higuchi, in Proceedings of Fifth International
Symposium on High Voltage Engineering (Germany, 1987). P. 1—4.
8. M. Víctor and M. Cabrera, Journal of Electrostatics 30, 47 (1993).
9. X.-m. Han, M.-f. Peng, B.-j. Pu, C.-z. Xia, J.-h. Yu, Y.-f. Wang, et al., in Power Engineering and Automation Conference (PEAM, IEEE, 2011) P. 36—40.
10. J. He, J. Yuan, and B. Zhang, IEEJ Transactions on Power and Energy 133, 947 (2013).
11. J. He and Z. Bo, in Asia-Pacific International Symposium and Exhibition on Electromagnetic Compatibility: APEMC (Australia, 2013) P. 94—98.
12. S. Zeqing, M. R. Raghuveer, and H. Jingliang, in Electrical Insulation and Dielectric Phenomena, 2000 Annual Report Conference (2000). Vol. 2. P. 739—742.
13. S. Zeqing, Doctor of Philosophy Thesis (Department of electrical and computer engineering, University of Manitoba, Winnipeg, Manitoba, 2003).
14. A. Elzowawi, A. Haddad, and H. Griffiths, in 2015 Asia-Pacific International Conference on Lightning (APL). (Nagoya, Japan, 2015). P. 1—5.
15. E. M. Bazelyan and Yu. P. Raizer, Lightning Physics and Lightning Protection (Bristol, IOP Publishing, 2000).
16. V. V. Ivonin, A. N. Danilin, B. V. Efimov, V. V. Kolobov, V. N. Selivanov, L. M. Vasilyak, V. Ya. Pecherkin, S. P. Vetchinin, and E. E. Son, Prykladnaya Fizika, No. 4. 50 (2015).
17. L. M. Vasilyak, V. Ya. Pecherkin, S. P. Vetchinin, V. A. Panov, E. E. Son, B. V. Efimov, A. N. Danilin, V. V. Kolobov, V. N. Selivanov, and V. V. Ivonin, J. Phys. D: Appl. Phys. 48, 285201 (2015).
18. N. V. Ardelyan, V. L. Bychkov, and K. V. Kosmachevskii, IEEE Transactions on Plasma Science 44 (4), (2016); DOI: 10.1109/TPS.2016.2544804.
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Котов В. М., Шкердин Г. Н., Аверин С. В., Котов Е. В. Высокочастотная акустооптическая дифракция четырехцветного излучения на одной акустической волне 321
Петрин А. Б. О нанофокусировке света на вершине металлического микроострия, расположенного над плоскослоистой структурой 326
Виноградов С. В., Кононов М. А. Расчет параметров многослойной структуры при резонансном возбуждении поверхностных плазмонов 343
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Зимин С. П., Горлачев Е. С., Мокров Д. А., Амиров И. И., Гременок В. Ф., Иванов В. А. Динамика роста наноструктур на поверхности пленок SnS при плазменной обработке 349
Ивонин В. В., Данилин А. Н., Ефимов Б. В., Колобов В. В., Селиванов В. Н., Василяк Л. М., Ветчинин С. П., Печеркин В. Я., Сон Э. Е. Оптические изображения искровых каналов при растекании импульсных токов в грунте 355
Поляков Д. Н., Шумова В. В., Василяк Л. М. Положительный столб тлеющего разряда в неоне с заря-женными микрочастицами (обзор) 362 Свитнев С. А., Попов О. А., Левченко В. А., Старшинов П. В. Характеристики бесферритного индук-ционного разряда низкого давления. Часть 2. Излучательные характеристики плазмы 372
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Бурлаков И. Д., Козлов К. В., Патрашин А. И., Соляков В. Н., Филачев А. М. Аналитическая модель облученности многоспектральных матричных фотоприемных устройств 385
Яковлева Н. И., Никонов А. В. Особенности спектральных зависимостей поглощения в структурах А3В5 и А2В6 394
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г., Мустафаев М. Г. Профили концентрации и оптические константы ионно-имплантированных пленок соединений халькогенидов элементов первой группы 403
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Савенкова Н. П., Кузьмин Р. Н., Анпилов С. В., Калмыков А. В. Моделирование влияния динамики изменения внутреннего пространства ванны алюминиевого электролизёра на МГД-процессы 409
Мандрыко Ю. А. Исследование режимов функционирования газоразрядной лампы в электрической схеме с коммутирующим биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT) 416
ИНФОРМАЦИЯ
Импакт-факторы российских научных журналов за 2015 г. по данным Thomson Reuters 428
Правила для авторов 432
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
V. M. Kotov, G. N. Shkerdin, S. V. Averin, and E. V. Kotov High frequency acousto-optic diffraction of the four-color radiation on the single acoustic wave 321
A. B. Petrin On the nanofocusing of light at the apex of a metal microtip near the multilayer thin film structure 326
S. V. Vinogradov and M. A. Kononov Calculation of parameters of a multilayered structure at the surface plasmon resonance 343
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
S. P. Zimin, E. S. Gorlachev, D. A. Mokrov, I. I. Amirov, V. F. Gremenok, and V. A. Ivanov Nanostructure growth dynamics on the surface of SnS films during plasma treatment 349
V. V. Ivonin, A. N. Danilin, B. V. Efimov, V. V. Kolobov, V. N. Selivanov, L. M. Vasilyak, S. P. Vetchinin, V. Ya. Pecherkin, and E. E. Son Optical images of spark channels under a spreading pulse current in soil 355
D. N. Polyakov, V. V. Shumova, and L. M. Vasilyak Positive column of glow discharge in neon with charged microparticles (a review) 362
S. A. Svitnev, O. A. Popov, V. A. Levchenko, and P. V. Starshinov Characteristics of the ferrite-free low pressure inductively-coupled discharge. Part 2. Plasma UV radiation characteristics 372
PHOTOELECTRONICS
I. D. Byrlakov, K. V. Kozlov, A. I. Patrashin, V. N. Solyakov, and A. M. Filachev The analytical model of irradiance for focal plane of multispectral FPA 385
N. I. Iakovleva and A. V. Nikonov Features of experimental absorption spectra in the А3В5 и А2В6 semi-conductor structures 394
MATERIALS SCIENCE
G. A. Mustafaev, D. G. Mustafaeva, and M. G. Mustafaev Concentration profiles and optical constants for ion-implanted films of chalcogenide compounds of the first group elements 403
PHYSICAL EQUIPMENT AND ELEMENTS
N. P. Savenkov, R. N. Kuzmin, S. V. Anpilov, and A. V. Kalmykov Mathematical modeling of influence of an electrolysis reduction cell shape on MHD processes 409
Yu. A. Mandryko Research of gas discharging lamp modes in an electrical circuit with the switching insu-lated-gate bipolar transistor (IGBT) 416
INFORMATION
Thomson Reuters Impact Factors for Russian Journals in 2015 428 Rules for authors 432
Другие статьи выпуска
Проведено исследование излучательных характеристик индукционного разряда низкого давления на частотах 0,5—12,0 МГц и мощности 25—130 Вт в смеси паров ртути ( ≈ 10-2 Торр) и аргона (0,1—0,6 Торр) в трубках длиной 300 мм и диаметром 40, 50, 60 и 70 мм с помощью индуктивной катушки, охватывающей трубку по ее продольному периметру. Установлено, что потоки и КПД генерации резонансного ультрафиолетового (УФ) излучения лампы на длинах волн 185 и 254 нм возрастают с увеличением диаметра разрядной трубки, числа витков катушки и частоты разрядного тока и уменьшаются с увеличением давления аргона. Установлено, что влияние частоты разрядного тока на излучательные характеристики ламп проявляется «через» КПД индуктивной катушки ηcoil = 1–(Pcoil/P). Обнаружено, что поток и КПД генерации УФ-излучения плазмы на длине волны 185 нм возрастают с увеличением мощности плазмы. Зависимость КПД генерации УФ-излучения лампы на длине волны 254 нм от мощности лампы имеет максимум на той же мощности, на которой зависимость мощности потерь в проводе катушки Pcoil от мощности лампы имеет минимум. Увеличение диаметра трубки, частоты разрядного тока, числа витков катушки и давления аргона сдвигает положение максимума в сторону меньших мощностей лампы. Результаты расчета суммарного КПД генерации УФ-излучения ηUV = η185 + η254 качественно согласуются с результатами эксперимента.
Экспериментально и численно исследовано влияние заряженных пылевых частиц микронного размера на электрические параметры положительного столба тлеющего разряда постоянного тока низкого давления в неоне. Численный анализ выполнен в рамках модели плазмы разряда в диффузионно-дрейфовом приближении с учётом взаимодействия пылевых частиц с метастабильными атомами неона. В разряде с облаком пылевых частиц напряженность продольного электрического поля возрастает. При увеличении концентрации пылевых частиц, в осесимметричном пылевом облаке цилиндрической формы приращение напряженности электрического поля выходит на насыщение. Показано, что вклад метастабильных атомов в ионизацию выше в разряде с частицами, несмотря на тушение метастабильных атомов на пылевых частицах. Рассмотрены процессы зарядки пылевых частиц и пылевого облака. С ростом концентрации пылевых частиц их заряд уменьшается, однако объемный заряд пылевого облака увеличивается. Результаты работы могут быть использованы в области плазменных технологий с микрочастицами.
В работе исследовано формирование массивов конических наноструктур на поверхности нанокристаллических пленок сульфида олова при обработке пленок в аргоновой плазме индукционного разряда в течение 30 и 60 с. Исходные слои SnS выращивались методом «горячей стенки» при температуре стеклянных подложек 290 °C и характеризовались лепестковой структурой с толщиной пластинок 50—300 нм. Показано, что плазмостимулированный рост наноструктур имеет место одновременно со сглаживанием развитой исходной поверхности пленок. Описаны геометрические параметры наноструктур сульфида олова, особенности их локализации, проанализированы основные закономерности динамики их роста по времени. Показано, что рост наноструктур SnS в ходе плазменной обработки имеет сложный характер и происходит с участием самоформирующихся сферических затравок Sn по механизму «пар-жидкость-кристалл» при локализации на торцах крупных нанокристаллитов.
В данной работе описывается метод вычисления резонансной кривой зависимости коэффициента отражения при возбуждении поверхностного плазмонного резонанса (ППР) для многослойной структуры. Для проверки метода были получены магнетронным напылением плёнки в виде чередующихся тонких слоёв SiC и SiO2. Сравнение экспериментальных и расчётных данных показало хорошее согласие в полученных результатах. Возбуждаемые поверхностные электромагнитные волны (ПЭВ) распространяются в узком приповерхностном слое и имеют широкое применение в научных приложениях: в исследованиях поверхности полупроводников и металлов, в исследованиях переходных, адсорбционных и окисных слоёв, в исследованиях всевозможных физических и химических процессов, протекающих в приповерхностной области. На основе модельных вычислений показаны области применимости рассмотренных методов.
Исследуется фокусировка электромагнитной энергии оптического диапазона частот в наноразмерную пространственную область в окрестности нановершины металлического микроострия, расположенного вблизи слоистой структуры, состоящей из плоских диэлектрических и/или металлических слоев. Предполагается, что фокусировка возникает при симметричном схождении к нановершине поверхностной плазмонной TM-волны. Граница металла вблизи нановершины приближается поверхностью параболоида вращения. Разработан численный метод нахождения электрического поля в окрестности вершины острия, включая слоистую структуру. Результаты расчетов показали, что по сравнению с одиночным острием наличие структуры приводит к дополнительной концентрации электрического поля вблизи нановершины. Оказалось, что главное влияние на фокусировку оказывает верхняя плёнка слоистой структуры.
Предложен вариант брэгговской дифракции, обеспечивающий эффективное акустооптическое взаимодействие четырехцветного излучения с одной акустической волной на высокой частоте звука. Вариант опробован на примере дифракции четырехцветного излучения с длинами волн 0,488, 0,496, 0,514 и 0,633 мкм, взаимодействующих с одной акустической волной в монокристалле парателлурита. Эффективная дифракция получена на частоте поперечного звука, равной 165 МГц.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400